Только что Нобелевский комитет
объявил о
присуждении Нобелевской премии 2000 года
по физике
русскому физику
Жоресу
Ивановичу Алферову
за вклад развитие физики полупроводников и их применение
в технике (оптоволоконные технологии, лазерные диоды,
быстрые микросхемы).
Жорес Иванович родился 15 марта 1930 года в городе Витебске.
Окончил факультет электроники Ленинградского
Электротехнического института.
С 1953 года работает в Физико-Техническом институте имени
А.Ф.Иоффе (Санкт-Петербург).
Защитил кандидатскую диссертацию
в 1961 году, а в 1970 стал доктором физико-математических
наук.
С 1962 года занимается исследованием полупроводниковых
гетероструктур.
Был удостоен многих премий и звания иностранного члена
нескольких академий.
Автор трех книг, 300 статей и 50 зварегистрированных
открытий.
В настоящее время является директором Физико-Технического
института имени Иоффе.
Вице-президент Российской Академии Наук.
Одновременно премия вручена двум американским физикам
Герберту
Кремеру и Джеку Килби, за смежные работы в
США.
Сайт Нобелевского комитета и Физико-Технического
Института им. А.Ф.Иоффе