Только что Нобелевский комитет объявил о присуждении Нобелевской премии 2000 года по физике русскому физику Жоресу Ивановичу Алферову за вклад развитие физики полупроводников и их применение в технике (оптоволоконные технологии, лазерные диоды, быстрые микросхемы).

Жорес Иванович родился 15 марта 1930 года в городе Витебске. Окончил факультет электроники Ленинградского Электротехнического института. С 1953 года работает в Физико-Техническом институте имени А.Ф.Иоффе (Санкт-Петербург). Защитил кандидатскую диссертацию в 1961 году, а в 1970 стал доктором физико-математических наук. С 1962 года занимается исследованием полупроводниковых гетероструктур. Был удостоен многих премий и звания иностранного члена нескольких академий. Автор трех книг, 300 статей и 50 зварегистрированных открытий.

В настоящее время является директором Физико-Технического института имени Иоффе. Вице-президент Российской Академии Наук.

Одновременно премия вручена двум американским физикам Герберту Кремеру и Джеку Килби, за смежные работы в США.

Сайт Нобелевского комитета и Физико-Технического Института им. А.Ф.Иоффе