Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://www.chem.msu.ru/rus/program/integration/tuapse2001/a094.html
Дата изменения: Unknown
Дата индексирования: Fri Feb 28 15:13:23 2014
Кодировка: Windows-1251
НЕЭМПИРИЧЕСКИЕ РАСЧЕТЫ ОСНОВНОГО И НИЖНИХ ЭЛЕКТРОННО-ВОЗБУЖДЕННЫХ СОСТОЯНИЙ МОЛЕКУЛ СИЛАДИОКСИРАНОВ
  Оглавление     Пред. доклад     След. доклад     На первую страницу сайта  

НЕЭМПИРИЧЕСКИЕ РАСЧЕТЫ ОСНОВНОГО И НИЖНИХ ЭЛЕКТРОННО-ВОЗБУЖДЕННЫХ СОСТОЯНИЙ МОЛЕКУЛ СИЛАДИОКСИРАНОВ

Радциг В.А.1,Романов А.Н.1, Руфов Ю.Н.1, Корчак В.Н.1, Кули-Заде А.М.2

1Институт химической физики им. Н.Н. Семенова РАН

2Институт органической химии им. Н.Д. Зелинского РАН

Экспериментально обнаружено, что силадиоксирановые группировки на поверхности SiO2обладают уникальной активностью в реакциях окисления многих органических соединений. Поэтому представляется интересным провести квантовохимические расчеты модельных соединений, обладающих трехчленным силадиоксирановым кольцом.

В качестве таковых выбраны H2SiO2и F2SiO2. Была произведена оптимизация геометрии основного синглетного и двух нижних возбужденных триплетных состояний (3B1и 3B2в симметрии С2v), а также определена энергия вертикального электронного перехода из основного в нижнее синглетное возбужденное состояние 1B1. Оптимизация геометрии производилась в одноэлектронном базисе 6-311G(2df) методом CASSCF. Размер активного пространства составлял 12 орбиталей для молекулы H2SiO2 (полное валентное пространство) и 10 для F2SiO2 (из полного валентного активного пространства были исключены несвязывающие орбитали на атомах фтора). Затем производился одноточечный расчет в оптимизированной геометрии с учетом динамической корреляции в рамках многоконфигурационной теории возмущения второго порядка (MCQDPT). В результате расчетов установлено, что:

1.     Молекулы силадиоксиранов имеют необычно длинную связь O-O (1,64A для молекулы H2SiO2и 1, 71A для молекулы F2SiO2).

2.     Оптимизированная геометрия для двух нижних триплетных состояний молекул силадиоксиранов соответствует бирадикальному состоянию с разорванной связью O-O. Энергии этих состояний лишь немного превышают энергию основного состояния (менее электронвольта).

3.     Рассчитанная энергия вертикального перехода из основного в нижнее возбужденное синглетное состояние 1B1 составляет3.35 эв. для H2SiO2и 2.67 эв. для F2SiO2, что в целом соответствует экспериментальным данным.

Исходя из этого можно заключить, что уникальная реакционоспособность силадиоксиранов может быть обьяснена, как активацией кислородной части молекулы в результате сильного ослабления связи O-O, так и возможным термическим возбуждением в триплетное радикальное состояние.