Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/diplom.html
Дата изменения: Tue Mar 15 10:46:32 2016
Дата индексирования: Sat Apr 9 22:46:43 2016
Кодировка: koi8-r
Темы дипломных работ, защищенных на кафедре физики полупроводников в
последние годы
2015
Я.В. Вальчук. Метод наведенных дифракционных решеток для исследования
нелинейно-оптических явлений в полупроводниках. (бакалавр)
Н.С. Журавлев. Электрические и фотоэлектрические свойства супрамолекулярных
структур органических полупроводников. (бакалавр)
В.И. Захаров. Электролюминесцентные и структурные свойства гетероструктур
InGaN/GaN, полученных методом металлорганической эпитаксии. (бакалавр)
И.Г. Карпов. Спектры и эффективность излучения квантоворазмерных
гетероструктур InGaAsP, полученных методом металлорганической эпитаксии.
(бакалавр)
В.П. Кириллов. Свойства тонких пленок оксида цинка, легированных алюминием.
(бакалавр)
С.Н. Промыслов. Локальная структура и зарядовое состояние примесей кобальта
и никеля в титанате бария.
Л.П. Шурупова. Нестационарные эффекты в связанных квантовых точках.
А.А. Цурукин. Внешний и внутренний квантовый выход катодолюминесценции
гетероэпитаксиальных структур на основе нитрида галлия с множественными
квантовыми ямами.
2013
М.Ф. Вениаминов. Анализ последовательного сопротивления в концентраторном
кремниевом солнечном элементе с вертикальными электронно-дырочными переходами
и с пленками прозрачных проводящих полимеров и оксидов.
Н.В. Долгих. Самодифракция ультракоротких импульсов лазера на двухфотонно
возбужденной дифракционной решетке в коллоидных квантовых точках.
В.В. Малов. Фотоэлектрические свойства объемных гетеропереходов на основе
полимерных композитов.
А.А. Старцев. Исследование легированных бором диффузионных эмиттеров на
планарной и текстурированной поверхности кремниевых солнечных элементов.
2012
С.А. Миронов. Влияние термообработки на структурные и оптические свойства
пористого кремния.
Э.О. Николаев. Катодолюминесцентные процессы в гетероэпитаксиальных
структурах GaN/InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами.
Н.Г. Руденко. Влияние толщины пленок полиморфного гидрированного кремния
на их электрические и фотоэлектрические параметры.
А.И. Фокеев. Катодолюминесценция кристаллов и пленок оксида цинка,
легированных некоторыми редкоземельными элементами.
2011
Р.М. Аль-Хужейри. Изменение формы лазерных импульсов двухфотонно
поглощающими кристаллом GaAs и квантовыми точками CdSe/ZnS, помещенными
внутри резонатора.
Т.С. Белякова. Самодифракция в коллоидных квантовых точках CdSe/ZnS.
Е.А. Дворников. Спектры фото- и электролюминесценции люминофоров для
светодиодов белого свечения (на основе гетероструктур с квантовыми ямами
InGaN/GaN).
Д.А. Задорин. Изучение методами протяженной тонкой структуры в
спектрах рентгеновского поглощения и электронного парамагнитного резонанса
примеси Mn в SrTiO3 и CaTiO3.
Р.О. Иванов. Локальная структура и зарядовое состояние примеси Pr в
SrTiO3 по данным XAFS-спектроскопии.
П.С. Королев. Терагерцовая спектроскопия натуральных и изотопно-обогащенных
кремния и германия.
А.А. Распопин. Катодолюминесценция твердых растворов (Zn,Mn)O и
(Zn,Mg)O.
М.В. Хенкин. Свойства пленок гидрированного кремния с двухфазной
структурой.
2010
Е.В. Воробьева. Моделирование электронных процессов в мощных транзисторах
на основе широкозонных материалов.
А.А. Хомич. Исследование структуры двухфазных пленок гидрированного кремния
методом комбинационного рассеяния света.
2009
A.A. Воробьев. Анализ локального нагрева решетки электронами и
моделирование теплового режима в мощных полевых СВЧ транзисторах.
Дау Ши Хьеу. Исследование особенностей эффектов самовоздействия в
коллоидном растворе квантовых точек CdSe/ZnS.
С.С. Дьяков. Исследование спектральной зависимости коэффициента
поглощения в пленках гидрированного кремния с двухфазной структурой.
Н.А. Кирилюк. Фотоэлектрические свойства слоистых пленок аморфного
гидрированного кремния.
А.Н. Клочков. Влияние кулоновского взаимодействия на энергетический
спектр короткопериодных сверхрешеток с контролируемым беспорядком.
М.В. Козлова. Пропускание света и фотолюминесценция в полупроводниковых
квантовых точках первого и второго типов при различных температурах и
уровнях накачки.
А.М. Радина. Особенности частотной зависимости низкотемпературной
бесфононной проводимости неупорядоченных систем.
П.Е. Рузанов. Точечные квантовые контакты в разупорядоченных
квазидвумерных структурах кремний-диэлектрик-металл с высокой
концентрацией встроенных зарядов.
Р.Ю. Скребцов. Локальное окружение примесных атомов Mn и Cd в
SrTiO3 по данным XAFS-спектроскопии.
В.В. Татулин. Зависимость спектров и эффективности светодиодов белого
свечения от температуры.
В.А. Шепелев. Особенности спектров возбуждения фотолюминесценции
квантовых точек первого и второго типа.
2008
Е.Н. Абуткина. Резонансное двухфотонное возбуждение экситонов в квантовых
точках CdSe/ZnS.
А.Н. Афанасьев. Исследование частотной зависимости проводимости в InMnAs.
В.А. Венедиктов. Влияние ориентационного беспорядка на прыжковую
проводимость неупорядоченных систем.
Данг Тхай Зианг. Особенности спектров возбуждения фотолюминесценции и
дифференциального пропускания квантовых точек CdSe/ZnS.
А.Н. Данилин. Влияние p-p+ перехода на фоточувствительность
кремниевого фотопреобразователя n+-p-p+ типа,
облученного протонами.
О.Е. Драчева. Зависимость поглощения квантовых точек CdSe/ZnS от
температуры.
П.А. Иоффе. Фотоиндуцированные метастабильные дефекты в высокоомных
пленках a-Si:H.
Г.К. Леонов. Влияние сильного поля на прыжковую проводимость
неупорядоченных систем.
К.В. Мельничук. Примесный фотовольтаический эффект на p-i-n структурах
из арсенида галлия.
Т.О. Феденко. Исследование усилительных свойств активных пиксельных
сенсоров и их применение для регистрации заряженных частиц.
2007
Р.С. Балдин. Электрические и фотоэлектрические свойства тонких пленок
аморфного гидрированного кремния.
Ф.А. Глубоков. Фотоиндуцированные изменения проводимости и фотопроводимости
компенсированного аморфного гидрированного кремния.
Д.А. Ефимов. Магниточувствительная микросхема на основе биполярного
транзистора.
Д.А. Кабанин. Нелинейное поглощение и преломление света в коллоидном
растворе квантовых точек CdSe/ZnS при резонансном возбуждении экситонов.
К.Ю. Косевич. Особенности проводимости неупорядоченных двумерных структур.
В.В. Мищенко. Исследование локального окружения Pb в SrTiO3,
BaTiO3 и CaTiO3 методом EXAFS-спектроскопии.
П.В. Петухов. Электрические свойства, квантовый выход излучения и
светоотдача светодиодов голубого и белого свечения на основе гетероструктур
типа AlGaN/InGaN/GaN.
А.В. Пономарев. Влияние уровня возбуждения на механизмы краевой
катодолюминесценции кристаллов оксида цинка.
А.Н. Санталов. Релаксация носителей заряда по уровням размерного
квантования в квантовых точках CdSe/ZnS.
2005
С.Г. Енгибарян. Влияние примесей группы железа на спектры
катодолюминесценции кристаллов оксида цинка.
Д.С. Еремин. Фотоиндуцированные состояния в компенсированном аморфном
кремнии.
С.В. Каминский. Влияние отжига на катодолюминесцентные свойства
кристаллов оксида цинка.
А.П. Свотин. Влияние отжига на катодолюминесценцию гетероэпитаксиальных
пленок ZnO:Ga, имплантированных азотом.
М.А. Феклисов. Квантовые явления проводимости электростатически
разупорядоченных Si-МОП структур с инверсионным p-каналом (III премия
на конкурсе студенческих работ им. Р.В.Хохлова).
С.С. Широков. Спектры люминесценции ультрафиолетовых светодиодов на
основе гетероструктур с квантовыми ямами InGaN/AlGaN/GaN.
2004
К.В. Богатырев. Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов
Cd1-xZnxAs2.
М.Г. Варешкин. Эффективность и цветовые характеристики белых светодиодов.
Р.Е. Костюк. Электрические и фотоэлектрические свойства пленок аморфного
гидрированного кремния, подвергнутых высокотемпературному отжигу в атмосфере
водорода.
С.С. Обыдена. Спектры электролюминесценции и электрические свойства
гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN с модулированно легированными квантовыми
ямами.
Г.В. Прокофьев. Светоиндуцированный отжиг метастабильных состояний в
аморфном гидрированном кремнии, слабо легированном бором.
М.В. Рыжков. Люминесценция квантовых нитей CdSe/Al2O3
и монокристаллов CdSe при высоких уровнях фотовозбуждения.
К.Ю. Хабарова. Исследование плотности электронных состояний в a-Si:H и
mc-Si:H методом фотомодуляционной спектроскопии (III премия на конкурсе
студенческих работ им. Р.В.Хохлова).
О.В. Чесникова. Катодолюминесценция кристаллов ZnO, выращенных
гидротермальным и газотранспортным методами.
Ю.В. Старокуров. Исследование полупроводниковых наноструктур,
кристаллизованных в диэлектрической матрице, методом накачки и зондирования.
А.А. Чугунов. Спектры люминесценции и цветовые характеристики светодиодов
белого свечения на основе гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN, покрытых
люминофором.
2000
К.Е. Борисов. Особенности электрон-фононного взаимодействия в сверхрешетках
с контролируемым беспорядком в режиме прыжкового переноса (III премия на
конкурсе студенческих работ им. Р.В.Хохлова).
А.М. Залеснов. Кинетика люминесценции пористого кремния при различных
условиях возбуждения.
Е.В. Литвак. Влияние освещения на электрофизические свойства пленок
a-Si:H, легированного мышьяком.
Е.С. Лобанова. Спиновая поляризация в двойных квантовых ямах.
С.С. Мамакин. Спектры электролюминесценции, квантовый выход и проблемы
деградации излучателей на основе GaN.
Н.Ю. Маркова. Люминесценция экситонов в квантовых нитях полупроводник
(InP)--диэлектрик при различных уровнях возбуждения.
М.В. Рыков. Релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в
a-Si:H, легированном бором.
А.Н. Сырников. Люминесценция экситонов в квантовых нитях полупроводник
(CdS)--диэлектрик.
П.А. Форш. Оптические и фотоэлектрические свойства микрокристаллического
гидрированного кремния, слабо легированного бором.
1999
Л.В. Железнякова. Спектры дырок в квантовой нити.
В.С. Касаточкин. Нелинейное поглощение нанокристаллов CdSe в стекле.
Р.М. Раденко. Спектры полупроводниковых наноструктур CdS, CdSe, кристаллизованных
в диэлектрической матрице из оксида алюминия.
В.Е. Розанов. Вертикальная термоэдс сверхрешеток в режиме баллистических фононов.
Н.В. Рыжкова. Фотоэлектрические свойства аморфного кремния, гидрированного и
легированного методом ионной имплантации.
1998
Б.Б. Кедич. Фотоиндуцированные и термоиндуцированные метастабильные состояния
в a-Si:H, легированном фосфором.
В.Е. Кудряшов. Спектры электролюминесценции светодиодов на основе
гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами.
А.В. Мичурин. Полупроводниковые свойства и структура твердых растворов
InGaTe и InTeSe.
Ю.В. Мазаева. Оптические нелинейности в полупроводниковых нанокристаллах InP.
О.А. Шалыгина. Исследование энергетической структуры и механизмов рекомбинации
пористого InP.
1997
А.Г. Белов. Влияние одноосного сжатия на спектры катодолюминесценции кристаллов
Cd1-xMnxTe.
В.В. Гусев. Исследование оптических свойств полупроводниковых наноструктур
методом счета фотонов.
К.Г. Золина. Спектры электролюминесценции голубых и зеленых светодиодов на
основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN.
Р.Н. Лушин. Кинетика релаксации метастабильных состояний в нелегированных
пленках a-Si:H.