Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://scon155.phys.msu.su/publ/kaz2000-1.html
Дата изменения: Fri Nov 8 20:04:00 2002
Дата индексирования: Mon Oct 1 20:20:21 2012
Кодировка: koi8-r
Поглощение и фотопроводимость в компенсированном бором c-Si:H Работа опубликована в журнале Физики и техника полупроводников, т. 34, в. 3, с. 373-375 (2000).

Поглощение и фотопроводимость в компенсированном бором mc-Si:H

А.Г. Казанский, Х. Мелл, Е.И. Теруков, П.А. Форш

Исследованы поглощение, проводимость и фотопроводимость фоточувствительного слабо легированного бором mc-Si:H. Зависимости фотопроводимости от температуры и интенсивности света измерены в области температур 100-400 K для различных энергий квантов (0.9, 1.3 и 1.8 эВ). Полученные результаты объясняются определяющим вкладом микрокристаллической фазы и состояний на границах раздела микрокристаллов в перенос и рекомбинацию неравновесных носителей в mc-Si:H. Рассмотрены возможные механизмы рекомбинации и изменение их роли с температурой.

Аморфные и микрокристаллические полупроводники