Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://polly.phys.msu.ru/en/news/attach/2013-05-31-Zaytsev.doc Дата изменения: Wed May 29 14:46:21 2013 Дата индексирования: Thu Feb 27 22:41:09 2014 Кодировка: koi8-r

Современные и перспективные технологии


нано-структурирования


С.И. Зайцев, дфмн
ИПТМ РАН, Черноголовка, Россия, e-mail: zaitsev@iptm.ru

Основу современной микро- и наноэлектроники составляют две ключевые и
неразрывные технологии: электронно-лучевая литография (для изготовления
шаблонов) и оптическая литография (для массового, промышленного
производства с использованием шаблонов). Однако электронно-лучевая
литография несомненно является более важной. Потому что она универсальна.
Она используется в массовом производстве не только для изготовления
шаблонов, но и напрямую при производстве малосерийной продукции. Кроме
того, исследовательские и перспективные разработки производятся с
использованием только электронно-лучевой литографии. При этом электронно-
лучевая литография является основным средством наноструктурирования и по
универсальности использования значительно опережает другие известные
литографии, например, ионно-лучевую или литографию с использованием
сканирующих зондов.
Электронная литография обеспечивает возможность структурирования в
поперечном к планарной подложке направлении с предельной точностью не хуже
5-10нм на площадях свыше 100х100мм2.
Кроме короткого обзора современных методов наноструктурирования в
доклад будет представлено описании достижений электронной литографии
предельного разрешения, полученные в ИПТМ РАН. В частности будет
представлен аппаратно-программный комплекс НаноМейкер (Интерфейс, Москва),
описаны основные физические и приборные ограничения, ведущие к понижению
точности электронной литографии, такие как, эффект близости, статические и
динамические искажения установок с фокусированным электронным пучком. Будут
представлены технические решения компенсации и коррекции причин потери
точности и разрешения в современной электронной литографии, реализованные в
НаноМейкере. Возможности НаноМейкера будут сравнены с возможностями
аналогичных систем, доступных на мировом рынке. Будут продемонстрированы
примеры использования электронной литографии предельного разрешения.
Будет представлена технология нано-импринтинга (NIL) в двух основных
реализациях, термическая NIL и ультрафиолетовая NIL. Планируется рассказать
о самых последних разработках моделирования в обеих NIL.
Последняя часть будет посвящена современному состоянию технологий
прямого рисования с помощью пучков заряженных частиц (электронов, ионов).
Эти технологии претендуют на вытеснение фотолитографии из производственного
цикла и основаны на использовании т. н. проекционного, безмасочного подхода
к организации неоднородного экспонирования поверхности рабочей пластины.
Будет описан ключевой элемент этих технологий Программируемая Апертурная
Плата, состоящая из десятков тысяч отверстий, состояние которых
(открыт/закрыт) может контролироваться индивидуально. Будут приведены
результаты первых экспериментов, свидетельствующих о достижении разрешения
в 20нм, а также результаты 3D структурирования с помощью ионных пучков.
В заключение будет объяснено, почему технология прямого рисования
ионами пучками представляется наиболее перспективной.