Сканирующая электронная микроскопия, спектроскопия и томография структур микро- и наноэлектроники
|
Растровая (сканирующая) электронная микроскопия является мощным инструментом исследований широкого круга материалов, и приборных структур микро- и наноэлектроники. В лаборатории имеются растровые электронные микроскопы, производства фирмы 'Carl Zeiss' Германия и 'Jeol' Япония, измерительное, аналитическое оборудование.
Сотрудниками научной группы разработаны уникальные методы исследований микрообъектов в растровом электронном микроскопе, позволяющие получать не только информацию о поверхности образца, но и заглянуть внутрь объекта без его разрушения. Ведутся разработки новых электронно-зондовых методов диагностики полупроводниковых материалов и приборов микроэлектроники, микромеханики, наносенсорики и наноэлектроники.
Разрабатываются оригинальные методы нанотомографии и аппаратура для измерений геометрических параметров и топологии наноструктур скрытых под поверхностью, с помощью регистрации и анализа энергии отраженных электронов в РЭМ. Создаются методики и средств контроля размеров и химического состава нанообъектов, пригодных для аттестации в нанотехнологии и наноиндустрии, включая метод измерения глубин залегания и толщин подповерхностных композиционных деталей исследуемых наноструктур.
Проводится большой объем как фундаментальных, так и прикладных научных исследований новых материалов, структур, приборов и объектов, созданных по нанотехнологии. Совершенствуются разработанные в лаборатории методы диагностики и мониторинг распределения легирующих примесей в полупроводниковых кристаллах в диапазоне концентраций от 1016 до 1020 см-3. Ведется фундаментальное исследование процессов, происходящих на поверхности диэлектриков, сегнетоэлектриков и широкозонных полупроводников при облучении электронными пучками средний энергий (от 0,1 кэВ до 30 кэВ).
Разрабатываются новые бесконтактные неразрушающие методы диагностики многослойных микроструктур, определения основных электрофизических параметров полупроводниковых кристаллов. Создан уникальный тороидальный спектрометр (дополнительная приставка к сканирующему электронному микроскопу), с помощью осуществляется неразрушающая диагностика трехмерных микроструктур методом томографии в отраженных электронах, а также аналитическая спектроскопия во вторичных электронах.
Применение спектроскопии вторичных электронов с использованием энергетической фильтрации позволило проводить высокочувствительный мониторинг локального распределения имплантированных примесей в полупроводниковых кристаллах. Электронная спектроскопия используется также для определения кинетики зарядки массивных и пленочных диэлектриков под воздействием электронного облучения в широком диапазоне энергий, а также для определения рекомендуемых параметров электронного зонда при литографии.
Руководитель - Рау Эдуард Иванович, доктор физико-математических наук, профессор, ведущий научный сотрудник.
Сайт лаборатории: http://scanlab.phys.msu.ru комната 1-57а, телефон (495)939-38-95, сотрудники: д.ф.-м.н., проф., в.н.с. Э. И. Рау, к.ф.-м.н., м.н.с. Е. Н. Евстафьева. комната 1-70, т. (495)939-54-33 сотрудники: к.ф.-м.н., с.н.с. А.Е. Лукьянов, к.ф.-м.н., с.н.с. С. В. Зайцев.