1. Впервые экспериментально изучено распыление и вторичная ионная эмиссия материалов при переходе через точку Кюри и в области полиморфного превращения. Установлено, что коэффициент распыления резко изменяется при магнитном или структурном переходе (см., например,: Письма в ЖЭТФ, 21 (1975) 88; Rad. Eff. Lett., 57 (1980) 119; Nucl. Instr. and Meth., 191 (1981) 253; Nucl. Instr. and Meth., 209/210 (1983) 543).
2. Установлено, что угловые распределения компонентов, распыленных из сплавов AgAu и CuPt ионами Ar в режиме линейных каскадов, различны. Эти эксперименты продемонстрировали, что в отличие от распыления одноэлементных мишеней распыление многоэлементных материалов не может быть описано только с использованием столкновительных механизмов. Для объяснения различия угловых распределений распыленных компонентов предложена модель радиационно-индуцированной гиббсовской сегрегации (Nucl. Instr. and Meth., 191 (1981) 241; Surf. Sci., 123 (1982) 39).
3. В исследованиях угловых распределений распыленных частиц обнаружен эффект массы бомбардирующих ионов. Показано, что механизм распыления обратно рассеянными ионами играет важную роль в распылении легкими ионами (Письма в ЖЭТФ, 63 (1996) 532).
4. Создана сверхвысоковакуумная ионно-лучевая установка с масс сепарацией первичного ионного пучка для исследования вторичной ионной эмиссии с разрешением потока вторичных ионов по массам, азимутальному и полярному углам эмисии и энергии (Vacuum, 43 (1992) 627). Были измерены пространственные распределения вторичных ионов, распыленных из поликристаллических мишеней Al, Cu и NiTi. Результаты этих исследований показали, что модель электронного тунелирования применима для описания вторичной ионной эмиссии из чистых металлических поверхностей (ЖЭТФ, 96 (1989) 1505; Vacuum, 44 (1993)1131). Исследования вторичной ионной эмиссии из монокристаллов Al, имплантированных ионами Li (растворимый элемент) и Cu (нерастворимый), с использованием масс спектрометрии вторичных ионов с угловым и энергетическим разрешением показали, что эта методика может быть использована для анализа кристаллической структуры тонких (менее 100 нм) приповерхностных слоев (Nucl. Instr. and Meth., B 61 (1991) 21).
5. Изучен вклад различных механизмов в формирование угловых распределений распыленных частиц и обнаружен эффект массы. При исследовании распыления никель-палладиевых сплавов обнаружен эффект аномальной сегрегации атомов. (Nucl. Instr. and Meth., B 160 (2000) 221; Rad. Effects & Defects in Solids, 159 (2004) 149-155; Поверхность, 2006, ?3, с. 32).