Denis E. Presnov

Denis E. Presnov

Nanoelectronics
Senior researcher

ISTINA
E: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
P: +7 (495) 939-39-87
P2: +7 (495) 939-39-88
F: +7 (495) 939-30-00
Ц-49а Ц-33б

Publications

Trifonov, A., Ovchenkov, Y., Presnov, D., Belosludov, R., Boltalin, A., Liu, M., Morozov, I., Nejo, H., and Vasiliev, A. Scanning tunneling microscopy study of morphology and electronic properties.љJournal of Applied Physics 116љ(2014), 043904. [љDOIљ]

Presnova, G., Rubtsova, M., Presnov, D., Grigorenko, V., Yaminsky, I., and Egorov, A. Streptavidin conjugates with gold nanoparticles for dna visualization.љBiochemistry (Moscow) Supplement. Series B: Biomedical Chemistry 8, 2 (2014), 164?167.љ[љDOIљ]

Преснов, Д., Амитонов, С., Власенко, В., иљКрупенин, В. Одноэлектронный транзистор из высоколегированного кремния на изоляторе.љРадиотехника, 1 (2014), 35?39.љ[љURLљ]

Presnov, D.љE., Amitonov, S.љV., Krutitskii, P.љA., Kolybasova, V.љV., Devyatov, I.љA., Krupenin, V.љA., and Soloviev, I.љI. A highly ph-sensitive nanowire field-effect transistor based on silicon on insulator.љBeilstein journal of nanotechnology 4љ(2013), 330?335. [љDOIљ]

Amitonov, S., Presnov, D., Rudakov, V., and Krupenin, V. Field-effect transistor with nanowire channel based on heterogeneously doped soi.љRussian Microelectronics 42, 3 (2013), 160?164. [љDOIљ]

Трифонов, А., Васильев, Р., Езубченко, И., Соколикова, М., Бритов, Д., Преснов, Д.,љиљСнигирев, О. Исследование электронных свойств одиночных нанокристаллов СdTe и CdTe/CdSe в сканирующем туннельном микроскопе.љРадиотехника, 5 (2013), 35?40.љ[љURLљ]

Амитонов, С., Преснов, Д., иљКрупенин, В. Кремниевый транзистор с каналом-нанопроводом из неравномерно легированного кремния на изоляторе.љРадиотехника, 5 (2013), 30?34.љ[љURLљ]

Амитонов, С., Преснов, Д., Рудаков, В., иљКрупенин, В. Полевой транзистор с каналом-нанопроводом на основе неравномерно легированного КНИ.љЖурнал Микроэлектроника 42, 3 (2013), 200?205. [љDOIљ]

Преснов, Д., Крупенин, В., иљАмитонов, С. Полевой транзистор с каналом-нанопроводом ? основа молекулярного биосенсора.љРадиотехника, 9 (2012), 122?126.

Presnov, D., Amitonov, S., and Krupenin, V. Silicon nanowire field effect transistor made of silicon-on-insulator.љRussian Microelectronics 41, 5 (2012), 310?313. [љDOIљ]

Преснов, Д., Амитонов, С., иљКрупенин, В. Полевой транзистор с каналом-нанопроводом на основе кремния на изоляторе.љЖурнал Микроэлектроника 41, 5 (2012), 364?367.

Крупенин, В., Преснов, Д., Власенко, В.,љиљАмитонов, С. Полевой транзистор на основе кремниевого нанопровода.љРадиотехника 3, 3 (2009), 104?107.

Крупенин, В., Преснов, Д., иљВласенко, B. Зарядовый шум в одноэлектронном транзисторе из высокодопированного кремния-на-изоляторе.љРадиотехника 1, 1 (2008), 78?83.

Krupenin, V., Presnov, D., Zalunin, V., Vasenko, S., and Zorin, A. A strongly asymmetric single-electron transistor operating as a zero-biased electrometer.љJETP Letters 82, 2 (2005), 77?80. [љDOIљ]

Крупенин, В., Преснов, Д., Зорин, А., Васенко, С., иљНимайер, Ю. Проблема флуктуаций фонового заряда в металлических одноэлектронных транзисторах и ее возможное решение.љНелинейный мир 3, 1-2 (2005), 27?39.

Krupenin, V., Zorin, A., Presnov, D., Savvateev, M., and Niemeyer, J. Metallic single-electron transistor without traditional tunnel barriers.љPhysics Uspekhi 44, Supplement 171 (10) (2001), 113?116. [љDOIљ]

Arutyunov, K., Pekola, J., Pavolotski, A., and Presnov, D. Nonlocality in superconducting microstructures.љPhysical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 64, 6 (2001), 064519?1?064519?6. [љDOIљ]

Krupenin, V., Zorin, A., Savvateev, M., Presnov, D., and Niemeyer, J. Single-electron transistor with metallic microstrips instead of tunnel junctions.љJournal of Applied Physics 90, 5 (2001), 2411?2415. [љDOIљ]

Arutyunov, K., Farhangfar, S., Presnov, D., and Pekola, J. Unconventional behavior of superconducting nanostructures.љPhysica B 284љ(2000), 1848?1849. [љDOIљ]

Krupenin, V., Presnov, D., Zorin, A., and Niemeyer, J. A very low-noise single-electron electrometer of stacked-junction geometry.љPhysica B 284љ(2000), 1800?1801. [љDOIљ]

Krupenin, V., Presnov, D., Zorin, A., and Niemeyer, J. Aluminum single electron transistors with islands isolated from the substrate.љJournal of Low Temperature Physics 118, 5-6 (2000), 287?296. [љDOIљ]

Arutyunov, K., Presnov, D., Lotkhov, S., Pavolotski, A., and Rinderer, L. Resistive-state anomaly in superconducting nanostructures.љPhysical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 59, 9 (1999), 6487?6498. [љDOIљ]

Krupenin, V., Presnov, D., Savvateev, M., Scherer, H., Zorin, A., and Niemeyer, J. Noise in al single electron transistors of stacked design.љJournal of Applied Physics 84, 6 (1998), 3212?3215. [љDOIљ]

Soldatov, E., Khanin, V., Trifonov, A., Gubin, S., Kolesov, V., Presnov, D., Iakovenko, S., Khomutov, G., and Korotkov, A. Room temperature molecular single-electron transistor.љPhysics Uspekhi 41, 2 (1998), 202?204. [љDOIљ]

Солдатов, Е., Ханин, В., Трифонов, А., Губин, С., Колесов, В., Преснов, Д., Яковенко, С., Хомутов, Г., иљКоротков, А. Молекулярный одноэлектронный транзистор, работающий при комнатной температуре.љУспехи физических наук 168, 2 (1998), 217?219. [љDOIљ]