... выполненные на основе развитой теоретической модели, дают следую- N B S B Рис. 2 щую приближенную формулу для силы фотоэлектромагнитного тока I в замкнутой цепи, когда электроды образца замкнуты накоротко (т.е. когда сопротивление внешней цепи пренебрежимо мало по сравнению с сопротивлением самого полупроводника): I = KeNB , где е заряд электрона, N количество квантов света , поглощаемых 2 1 м поверхности ... Из полупроводника (германия) вырезается образец в виде маленького цилиндра. ...