... Полупроводник р-типа, получают добавлением (легирование) к кристаллу кремния акцепторных примесей, например, атомов бора. ... В ПЗС со скрытым каналом благодаря специальному легированию подложки эти процессы происходят в толще полупроводника на ...
... В процессе эпитаксии возможно строго контролируемое легирование растущего слоя. ... потенциальной ямы зависит от степени легирования кремния и величины приложенного к ...