В СГАУ пройдет практикум по квантово-механическим расчетам свойств кристаллов в пакете VASP
03.02.2016, 12:25
Межвузовский научно-исследовательский центр по теоретическому материаловедению (МНИЦТМ) при СГАУ проводит «Практикум по квантово-механическим расчетам свойств кристаллов в пакете VASP».
Современное теоретическое материаловедение основано на атомной (классической) и субатомной (квантовой) моделях кристаллических структур, которые позволяют не только описать физические свойства кристаллов, но и предсказать их для новых гипотетических структур, используя методы квантовой механики и, в первую очередь, теорию функционала плотности (ТФП) для многоэлектронных систем.
Расчеты в ТФП требуют значительных вычислительных ресурсов и выполняются на многопроцессорных кластерных системах или суперкомпьютерах. Одним из самых эффективных программных пакетов для проведения таких расчетов является VASP (Vienna Ab initio Simulation Package).
Практикум рассчитан на магистрантов и аспирантов специальностей физика, химия и механика, и научных сотрудников, интересующихся вычислительными методами современного теоретического материаловедения.
Приглашаются все желающие.
Занятия будут проходить 9-11 февраля в конференц-зале МНИЦТМ (ул. Ак. Павлова 1, аудиторный корпус, 1 этаж, ауд. Л-15). Начало занятий в 9:00. Предполагается предварительная регистрация участников (saleev@samsu.ru) и наличие персональных компьютеров.
Расписание
9 февраля, 9:00-12:00
1. Салеев В.А. (д.ф.-м.н., зав. лаб. МНИЦТМ). Расчет свойств кристаллических структур: классические и квантовые методы.
2. Кабанов А.А. (к.ф.-м.н., н.с. МНИЦТМ). Запуск VASP на рабочей станции и в системе очередей кластера.
3. Шипилова А.В. (к.ф.-м.н., н.с. МНИЦТМ). Входные и выходные файлы VASP, формирование задания и контроль точности.
11 февраля, 9:00-12:00
1. Кабанов А.А. (к.ф.-м.н., н.с. МНИЦТМ). Вычисление энергии и оптимизация геометрии кристаллической ячейки. Расчет механических свойств и спектра фононов кристалла.
2. Шипилова А.В. (к.ф.-м.н., н.с. МНИЦТМ). Расчет электронной структуры и диэлектрических свойств кристалла. Графическая обработка результатов расчетов в VASP.
Заметили ошибку в тексте? Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter