Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://www.sao.ru/precise/Laboratory/Dis_akn/node51.html
Дата изменения: Thu Jul 8 15:31:51 1999
Дата индексирования: Tue Oct 2 02:36:21 2012
Кодировка: koi8-r
Поисковые слова: iapetus

Определение электронной температуры и плотности

Хорошо известно, что электронная температура T_e различна в зонах высокого и низкого возбуждения HII областей (Stasinska 1990). Так как интенсивности запрещенных линий зависят экспоненциально от T_e, то очень важно учитывать изменения T_e в различных зонах HII областей. T_e(OIII) определялась из отношения и N_e(SII) из отношения [SII] $\lambda$6717/$\lambda$6731. Для определения электронной температуры иона O⁺ были использованы результаты HII фотоионизационных моделей (Stasinska 1990). Результаты ее моделей можно представить следующими выражениями:

 

t_e(OII)=0.243+t_e(OIII)(1.031-0.184t_e(OIII)), (3.7)

 

t_e(NeIII)=t_e(OIII), (3.8)

 

t_e(NII)=t_e(OII), (3.9)

 

t_e(FeIII)=t_e(OII), (3.10)

 

t_e(He II)=t_e(OIII), (3.11)

где t_e=T_e/10⁴K.

Garnett (1992) изучил поведение T_e для различных ионов и заключил что использование соотношений (3.8) и (3.9) оправдано. Он также проверил зависимость T_e(SIII) от T_e(OIII), определив следующее отношение, которое также было использовано:

 

t_e(SIII)=0.83t_e(OIII)+0.17. (3.12)

Распределение Cl⁺⁺ в HII области близко к распределению S⁺⁺ (Stasinska 1990). Поэтому, мы использовали:

 

t_e(ClIII)=t_e(SIII). (3.13)