Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://www.sao.ru/drabek/Components/NewSprawoch/AMP/153/ud5.html
Дата изменения: Sat Nov 18 01:04:20 2000 Дата индексирования: Sat Sep 11 19:38:45 2010 Кодировка: koi8-r Поисковые слова: п п п п п |
Корпус ИМС К153УД5
Корпус ИМС К153УД501
Типовая схема включения ИМС К153УД5,
К153УД501
Электрические параметры
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Общие рекомендации по применению
Зарубежные аналоги
Литература
Микросхемы представляют собой прецезионные малошумящие
операционные усилители с выходным напряжением
10 В, большими коэффициентами усиления и подавления синфазной составляющей,
низким дрейфом напряжения смещения нуля и чувствительностью к изменениям
напряжения питания (коэффициент влияния нестабильности источников питания
на напряжение смещения нуля менее 35 мкВ/В). Имеют защиту выхода от коротких
замыканий. Содержат 45 интегральных элементов. Корпус К153УД5 типа 301.8-2,
К153УД501 типа 3101.8-1, масса не более 1,3 г.
Корпус ИМС К153УД5
Типовая схема включения ИМС К153УД5, К153УД501
1,8 - балансировка; 2 - инвертирующий вход; 3 - неинвертирующий
вход; 4 - напряжение питания (-Uп);
5 - частотная коррекция; 6 - выход; 7 - напряжение питание
(+Uп);
1 | Номинальное напряжение питания | ![]() ![]() |
2 | Максимальное выходное напряжение
при Uп= ![]() ![]() ![]() |
![]() ![]() |
3 | Напряжение смещения нуля при Uп=![]() ![]() |
![]() |
4 | Средний входной ток при Uп=![]() ![]() |
![]() |
5 | Разность входных токов при Uп= ![]() ![]() |
![]() |
6 | Ток потребления при Uп=![]() ![]() |
![]() |
7 | Коэффициент усиления напряжения при Uп=![]() ![]() |
![]() |
8 | Коэффициент ослабления синфазных напряжений при Uп=![]() ![]() |
![]() |
9 | Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение
смещения нуля при Uп=![]() ![]() |
![]() |
10 | Частота единичного усиления | 0,1 МГц |
11 | Входное сопротивление | 1 МОм |
12 | Температурный дрейф напряжения смещения нуля | 7 мкВ/ њ C |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
1 | Напряжение питания
в предельном режиме |
![]() ![]() |
2 | Входное напряжение
в предельном режиме |
![]() ![]() ![]() |
3 | Синфазные входные напряжения | ![]() ![]() |
4 | Сопротивление нагрузки | ![]() |
5 | Рассеиваемая мощность
в предельном режиме |
![]() ![]() |
6 | Статический потенциал | 100 В |
7 | Температура окружающей среды | -10...+70 њ C |
Общие рекомендации по применению
Максимальная температура пайки микросхем (270
10) њ C, расстояние от корпуса до места пайки не менее 1,5 мм, продолжительность
пайки не более 3 с. При проведении монтажных операций допускается не более
трех перепаек микросхем. Корпус ИС находится под отрицательным потенциалом.