Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://www.issp.ac.ru/sc/9_050404.doc Дата изменения: Fri Jun 18 02:44:29 2004 Дата индексирования: Mon Oct 1 21:09:22 2012 Кодировка: koi8-r Поисковые слова: п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА

Заседание Ученого совета от 5 апреля 2004 года

ПРОТОКОЛ ? 9
ПРИСУТСТВОВАЛИ: КВЕДЕР В.В. - председатель, АБРОСИМОВА Г.Е., ТИМОФЕЕВ В.Б.,
ГАНТМАХЕР В.Ф., АНТОНОВ В.Е., ДОЛГОПОЛОВ В.Т., ЕМЕЛЬЧЕНКО Г.А., КАРПОВ
М.И., КЛАССЕН Н.В., МЕЖОВ-ДЕГЛИН Л.П., МИЛЕЙКО С.Т., МОЛОТКОВ С.Н.,
НИКИТЕНКО В.И., ПОНОМАРЕВ Б.К., РЯЗАНОВ В.В., СУВОРОВ Э.В., ТАРТАКОВСКИЙ
И.И., ТРУНИН М.Р., ШЕХТМАН В.Ш., ШИКИН В.Б.

ПОВЕСТКА ДНЯ:


I. Научный доклад АЛЕШИНА А.Н. «Проблемы стабильности микроструктуры
металлических нанокристаллов»

II. Доклады по работам, направляемым в печать:


1. С.К.БРАНТОВ, В.В.КВЕДЕР, Н.Н.КУЗНЕЦОВ, В.И.ОРЛОВ «Silicon layers
grown on siliconized carbon net: producing and properties»
(Composites: Science and Technology)

III. Закрытая часть


СЛУШАЛИ: Научный доклад АЛЕШИНА А.Н. «Проблемы стабильности
микроструктуры металлических нанокристаллов»
По докладу задали вопросы Гантмахер В.Ф., Карпов М.И., Никитенко В.И.,
Шехтман В.Ш., Тимофеев В.Б., Кведер В.В., Серебряков А.В., Абросимова
Г.Е., Аронин А.С., Рязанов В.В., на которые докладчик ответил.

СЛУШАЛИ: Доклад С.К.БРАНТОВА по его работе с В.В.КВЕДЕРОМ,
Н.Н.КУЗНЕЦОВЫМ, В.И.ОРЛОВЫМ «Silicon layers grown on siliconized carbon
net: producing and properties»
Работа посвящена разработке метода получения композиционных Si\SiC
пластин и исследованию из свойств.
Ранее известный способ двух формообразующих элементов (ДФЭ) был
использован для получения материалов данного класса. Первые результаты
показывают, что это композиционный материал может быть эффективным и
недорогим заменителем стандартных монокристаллических пластин. Так,
кристаллические зерна вытянуты вдоль направления кристаллизации, их
относительная разориентация показывает, что материал приемлем для
изготовления солнечных элементов. Плотность дислокаций не превышает 1.104
см-2, время жизни не основных носителей заряда составляет 10 - 15 мксек.
По докладу задали вопросы Карпов М.И., Милейко С.Т., на которые докладчик
ответил.

ПОСТАНОВИЛИ: Рекомендовать работу для публикации в «Composites: Science
and Technology»

III. Закрытая часть

СЛУШАЛИ: О введении в состав Ученого совета ИФТТ РАН заместителя
директора Института по науке, доктора физико-математических наук
БРЕДИХИНА С.И.

ПОСТАНОВИЛИ: Ввести в состав Ученого совета ИФТТ РАН заместителя
директора Института по науке, доктора физико-математических наук
БРЕДИХИНА С.И.

Протокол счетной комиссии прилагается.


Председатель Ученого совета ИФТТ РАН
профессор В.В.Кведер

Ученый секретарь ИФТТ РАН
к.ф.-м.н. Г.Е.Абросимова