Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://www.issp.ac.ru/lsss/resear.html
Дата изменения: Wed Dec 5 11:40:59 2012
Дата индексирования: Sun Feb 3 01:22:12 2013
Кодировка: Windows-1251
Поисковые слова: п п п п п п п п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п
ЛСПП - Исследования
Лаборатория спектроскопии поверхности полупроводников



Исследования

  • Исследования электронной и атомно-кристаллической структуры соединений РЗМ (манганитов, палладосилицидов) методами электронной спектроскопии;
  • Исследование электронной и атомной структуры ультратонких металлических покрытий на поверхностях полупроводников типа А3В5 и графита;
  • Создание низкоразмерных систем нанообъектов на основе заполненных различными материалами (металлы и полупроводники) пустот двумерных (квазидвумерных) опаловых матриц (1 - 10 слоев SiO2 сфер), исследование их электронной и атомной структуры и транспортных свойств;
  • Создание низкоразмерных структур (квантовые точки, нити, 2Д метарешетки) благородных, переходных и редкоземельных металлов на вицинальных (террасированных) поверхностях полупроводников (кремний) и металлов (вольфрам, молибден, медь) и их исследование методами зондовой микроскопии (АСМ, СОМБП, СТМ) и электронной спектроскопии;
  • Физическое материаловедение тугоплавких металлов;
  • Создание и исследование планарных структур на базе С60 (совместно с ЛСДС, ЛМХ, ЛКТ, ИПТМ);
  • Исследование электронной структуры и физико-химических свойств металлопорфириновых макромолекул и комплексов;
  • Разработка и создание низкотемпературного сверхвысоковакуумного туннельного микроскопа;
  • Разработка вакуумного комплекса на базе зондового микроскопа Smena, позволяющего исследовать поверхность изучаемого объекта с нанометровым разрешением при охлаждении образца до азотных температур (совместно с компанией НТ-МДТ, г. Зеленоград);
  • Исследование поверхности β-SiC(100) в широком интервале температур (80К - 1200К): атомная структура и электронные свойства;
  • Фотоэлектронная эмиссия из двумерного канала, образованного вблизи поверхности узкозонных полупроводников;
  • Исследование структуры и электронных свойств (100) поверхности модификации Sn на InSb(100);
Лаборатория осуществляет сотрудничество с рядом российских (ИПТМ, МИСИС, МГУ, МГАПИ, ОИЯИ, НИИФП, МИФИ) и зарубежных научных коллективов в Германии, Испании, Англии, Швейцарии, Японии, Тайване, Италии, Франции.




ї Copyright ИФТТ РАН, ЛСПП, 2006-2007
 
Разработка и поддержка New Day Studio
Информационные технологии в бизнесе