Медаль на 8й европейской конференции в Люцерне "European SOFC Forum". Награда за лучшую постерную работу.

Терещенко Алексей Николаевич

Электронная почта: tan@issp.ac.ru телефон: 2-83-44 Работает в:116 ГЛК Позиция:н.с. Работает в ЛСДС c: 2004-01-19 Научные степени:к.ф.-м.н.

Избранные публикации

2014

1. С.А. Шевченко, А.Н. Терещенко, А.А. Мазилкин 'Взаимодействие многозарядных примесей с дислокациями в монокристаллах германи' Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, т.17, ?3,с. 211-216 (2014)

... наверх

2010

1. S. Shevchenko, A. Tereshchenko 'Dislocation states and deformation-induced point defects in plastically deformed germanium' Solid State Phenomena, 156-158, 289 (2010)

... наверх

2009

1. S.A. Shevchenko, A.N. Tereshchenko 'Dislocation photoluminescence in plastically deformed germanium' Physica B: Condensed Matter, 404, 4540 (2009)

... наверх

2008

1. S. Shevchenko and A. Tereshchenko 'Dislocation photoluminescence in silicon and germanium' Solid State Phenomena, 131-133, 583 (2008)
2. E.A. Steinman, A.N. Tereshchenko, N.V. Abrosimov 'The Unusual Temperature Shift of Dislocation Related D1/D2 PL Bands in Donor Doped Silicon' Solid State Phenomena, Vols.131-133 (2008) pp.607-612 (2008)
3. A.N. Tereshchenko, E.A.Steinman 'Pecularities of dislocation related D1/D2 bands behavior under copper contamination in silicon' Solid State Phenomena, Vols.131-133 (2008) pp.213-218 (2008)
4. Steinman E.A., A.J. Kenyon, A.N. Tereshchenko 'Time-resolved measurements of dislocation-related photoluminescence bands in silicon' Semicond. Sci. Technol, 23, 025010 (2008)

... наверх

2007

1. S.A. Shevchenko and A.N. Tereshchenko 'Photoluminescence in germanium with a quasi-equilibrium dislocation structure' Physics of the Solid State, 49, No.1, 28-33 (2007)
2. S.A. Shevchenko and A.N. Tereshchenko 'Peculiarities of dislocation photoluminescence in germanium with quasi-equilibrium dislocation structure' Phys.stat.sol.(c), 4, 2898-2902 (2007)
3. E.A. Steinman, A.N.Tereshchenko, V.Ya.Reznik, R.J.Falster 'The radiative properties of dislocations generated around oxygen precipitates in Si' pss (a),, 204, No.7, 2238 (2007)
4. E.A. Steinman, A.N.Tereshchenko 'Influence of Cu contamination on dislocation related luminescence' pss (c),, No.8, 3095 (2007)
5. О.В. Феклисова, А.Н. Терещенко, Э.А. Штейнман, Е.Б. Якимов 'Исследования электрических и оптических свойств кремния, содержащего кислородные преципитаты' Повехность, Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования,, ?7, с.38-41 (2007)
6. E.A.Shteinman, A.N.Tereshchenko, V.Ya.Reznik 'Structure and radiation properties of dislocations arising during oxygen precipitates growth in silicon' J.of Surface Investigations. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, Vol. 1, No. 3, pp. 318-322 (2007)

... наверх

2005

1. E.A. Steinman, A.N. Tereshchenko, V.I. Orlov, and F. Kirscht 'Fine Structure of Dislocation Related PL Bands D1 and D2 in Silicon' Solid State Phenomena, Vols. 108-109 pp. 767-772 (2005)
2. E.A. Steinman, A.N. Tereshchenko, V.I. Vdovin, A.Misiuk 'DISLOCATION RELATED PL OF MULTI-STEP ANNEALED CZ-SI SAMPLES' Solid State Phenomena, v. 108-109, pp.773-778 (2005)

... наверх

... наверх