Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://www.issp.ac.ru/kafedra/ru/courses/khasanov.html
Дата изменения: Unknown Дата индексирования: Sun Apr 10 05:13:34 2016 Кодировка: Windows-1251 Поисковые слова: п п п п п п п п п п п |
| ||
Лабораторный практикум по структурному анализу для студентов 3-го курса кафедры ФТТ ФОПФ МФТИ к.ф.-м.н. Л.В. Зорина Аннотация Практикум предназначен для ознакомления студентов с основными принципами дифракционного анализа атомной структуры кристаллических материалов. Лабораторные работы дают необходимые навыки в методах структурного анализа: определение постоянных решетки, ориентации кристаллов, фазового и элементного состава образцов. Программа курса Программа Практикума:
Работа ?1. Рентгенфазовый анализ при регистрации дифракционной картины на пленку (Метод Дебая). ( приготовление порошкового образца кристалла простой структурой кубической симметрии для съемки, зарядка камеры, проведение съемки, проявка пленки; обработка дебаеграммы, определение параметров решетки; расчет интенсивностей дебаевской дифракции для заданной структуры) Работа ?2. Рентгеновская порошковая дифрактометрия: качественный фазовый анализ.(оптическая схема дифрактометра - фокусировка брега-брентано, приготовление порошкового образца для съемки, проведение съемки на дифрактометре, обработка полученного спектра с помощью стандартного пакета программ дифрактометра, идентификация кристаллической фазы) Работа ?3. Рентгеновская порошковая дифрактометрия: количественный фазовый анализ.( приготовление порошкового образца смеси двух фаз для съемки, проведение съемки на дифрактометре, обработка полученного спектра с помощью стандартного пакета программ, идентификация кристаллических фаз; определение корундовых чисел для фаз, входящих в образец, вычисление весового состава образца по фазам; полнопрофильная подгонка спектра известными структурами фаз для определения количественного состава) Работа ?4. Рентгеновская порошковая дифрактометрия: определение размера зерен, измерение параметров кристаллической решетки твердых тел.(съемка образца нанокристаллического материала, установление характера уширений дифракционных линий, оценка размера нанокристаллических зерен; съемка дебаевского спектра образца кубического кристалла, измерение положений дифракционных максимумов, применение метода экстраполяции для прецизионного определения параметров решетки) Работа ?5. Рентгенография монокристаллов. Рентгенографические методы Лауэ и качания: определение кристаллографической ориентации монокристаллического образца и определение периодов идентичности кристаллической структуры. (приготовление монокристального образца для съемки, проведение съемки для двух различных ориентаций, проявка пленки, построение стереографических проекций и определение матрицы поворота в лабораторной системе координат; съемка рентгенограммы качания ориентированного кристалла, индицирование рефлексов на рентгенограмме, определение периодов идентичности вдоль оси вращения) Работа ?6. Рентгеноструктурный анализ: определение параметров решетки, пространственной группы симметрии и атомной структуры кристалла простого вещества.(приготовление образца кристалла с простой структурой кубической симметрии для съемки, проведение съемки на монокристальном дифрактометре с CCD детектором, определение параметров решетки по набору векторов обратной решетки, статистический анализ интенсивностей рефлексов, выявление систематических погасаний, определение пространственной группы симметрии кристалла; измерение плотности кристалла, определение элементного состава, установление атомной структуры) Работа ?7. Рентгеноструктурный анализ: применение функции Паттерсона и прямых методов расшифровки структур. (приготовление для съемки образца органического кристалла с простой структурой, проведение съемок, определение параметров решетки и пространственной группы симметрии, применение прямого метода для расшифровки атомной структуры; съемка образца кристалла с простой структурой кубической симметрии, анализ функции Паттерсона и расшифровка структуры ) Работа ?8. Электронография. Дифракция электронов: получение и индицирование электронограмм, определение параметров решетки кристалла. Темнопольное изображение: определение размеров рассеивающих объектов. Работа ?9. Сканирующая электронная микроскопия: микрозондовый рентгеноспектральный анализ и исследование структуры поверхности. |
||
Агарков Д.А. Тел: +7(916)7584930 email: agarkov@issp.ac.ru |