Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://www.issp.ac.ru/journal/surface/2003/10-2003.htm
Дата изменения: Thu Mar 11 10:04:13 2004 Дата индексирования: Tue Oct 2 12:04:03 2012 Кодировка: koi8-r Поисковые слова: п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п |
СОДЕРЖАНИЕ Номер 10, 2003 |
|
|
|
Иванов
С.Д., Шубина Т.В., Седова И.В., Сорокин С.В., Кютт
Р.Н., Ситникова А.А., Солнышков
Д.Д., Некруткина О.В., Торопов А.А., Копьев П.С.
Полупроводниковые наноструктуры с квантовыми
точками CdSE:
формирование методом молекулярно-лучевой эпитаксии, свойства, применение |
4-14 |
|
|
Брунее Д.В., Карпов А.П., Неизвестный И.Г.,
Шварц 1-1 Л., Яновицкая З.Ш. Перераспределение двумерных
островков по размерам в последовательно растущих атомных слоях на поверхности
кристаллов |
15-19 |
|
|
Зиновьев В.А., Двуреченский
А.В., Новиков ПЛ. Формирование гетероструктур Si/Ge/Si
с квантовыми точками |
20-24 |
|
|
Галицин Ю.Г., Дмитриев Д.В., Мансуров В.Г., Мощенко С.П., Торопов А.И. Модели зародышеобразования
в гомоэпитаксии арсенида галлия на As-стабилизированных
а-,р-,у-(2 х 4) поверхностях |
25-30 |
|
|
Орлов Л.К., Артемов А.В., Ивин С.В., Фомин В.М.
Кинетика переходных процессов при росте гетерокомпозиций
на базе трехкомпонентной системы Si-Ge-C методом МЛЭ |
31-36 |
|
|
Орлов Л.К., Ивина НЛ., Алябина
Н.А., Звонков Б.Н., Востоков Н.В. Формирование сеток квантовых нитей на
базе пористых многослойных структур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами |
37-41 |
|
|
Ефременкова В.М., Мелконян
М.К. Мониторинг исследований наноразмерных
структур в базе данных Web of Science |
42-45 |
|
|
КвеглисЛ.И., Попел
Е.П., Жаркое С.М. Диссипативные структуры в нанокристаллических
пленках Co-Pd |
46-52 |
|
|
Ховив A.M., Яценко О.Б.,Логачева В.А., Якимова Ю.Ю. Особенности формирования
поликристаллических пленок, содержащих свинец, титан и их оксиды, на
поверхности монокристаллического кремния |
53-59 |
|
|
Багмут А.Г., Григоров С.Н., Колосов В.Ю., Косевич В.М., Николайчук Г.П. Структура
и морфология кристаллов, растущих в аморфных лазерных конденсатах Cr2Оз |
60-66 |
|
|
Михайлов Н.Н., Швец В.А., Дворецкий С.А., Спесивцев Е.В., Сидоров Ю.Г., Рыхлицкий
B.C. Выращивание наноструктур на основе CdxHg1-xTe с эллипсометрическим контролем |
67-72 |
|
|
Самойлов A.M.,
Бучнев С.А., Дементьев Н.Н., Долгополова Э.А., Кузнецов А.В. Кристаллическая
структура пленок PbTe(In),
выращенных на подложках Si(100) при помощи модифицированного метода
"горячей стенки" |
73-82 |
|
|
Атаев Б.М., Багамадова
A.M., Мамедов В.В., Омаев А.К., Маммаев М.М. Выращивание
эпитаксиальных слоев ZnO методом химических
транспортных реакций с использованием плазмы высокочастотного разряда |
83-85 |
|
|
Дубровин И.В., Горбик П.П., Филоненко
М.Н., Мельников B.C., Мищук
О.А. Синтез покрытий из поликристаллического оксида цинка методом
пиролиза аэрозолей |
86-89 |
|
|
Рандошкин В.В.,
Васильева И.В., Плотниченко В.Г., Нырков Ю.Н.
Жидкофазная эпитаксия пленок Gd3Ca5O12 из раствора-расплава Bi2O3-B2O3-Gd2O3-Ga2O3 |
90-92 |
|
|
Голоудина С.И., Склизкова
В.П., Пасюта В.М., Клечковская
В.В.,Лучинин В.В., Панов М.Ф., Гофман И.В., Волков
А.Я., Кудрявцев В.В., Розанов В.В., Голубок А. О. Пленки Ленгмюра-Блоджетт жесткоцепного полиимида: получение и
структура |
93-99 |
|
|
Крыжановская А.С., Коровникова Н.И., Саввин Ю.Н.,
Толмачев А.В. Выращивание и характеристика биосовместимых
поликристаллических покрытий гидроксиапатита
кальция на подложках, модифицированных пленками Ленгмюра-Блоджетт
жирных кислот |
100-102 |
|
|
Калиниченко Т.Г., Суходуб Л.Ф.
Исследование пленок стероидных гликозидов методом
отражательной эллипсометрии |
103-108 |
|
|
Файзрахманов И.А.,
Базаров В.В., Хайбуллин И.Б., Любимов А.И.
Влияние имплантации ионов бора на фазовый состав,
микроструктуру и прочностные характеристики пленок алюминия |
109-112 |