Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://www.issp.ac.ru/journal/surface/2002/03-2002.htm
Дата изменения: Fri Apr 17 11:25:18 2015 Дата индексирования: Sun Apr 10 05:07:26 2016 Кодировка: Windows-1251 Поисковые слова: п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п |
СОДЕРЖАНИЕ
Номер 3, 2002
IX НАЦИОНАЛЬНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО РОСТУ
КРИСТАЛЛОВ
Влияние особенностей микроструктуры и фазового состава на магнитные |
|
свойства принципиально новых кристаллических материалов в системе Y-Ba-Cu-O |
|
Е. А. Семенова, М. З. Семенов, А. В.
Савинков, В. А. Шошокин |
6 |
|
|
Оксидирование тонких пленок никеля, меди и твердых растворов медь-никель |
|
Е. Г. Гончаров, В. Н. Ховив,
И. Н. Назаренко, Е. Н. Удодова
|
11 |
|
|
Приготовление и исследование структуры квазикристаллического сплава Al-Pd-Tc |
|
М. Н. Михеева, А. А. Теплов, К. Г. Буков,
М. С. Григорьев, М. А. Черников |
17 |
|
|
Сравнительное исследование влияния условий выращивания и последующего |
|
оксидирования на характер структурного фазового разделения, упорядочение спинов и дырок, сверхпроводимость монокристаллов La2CuO4 + y |
|
С. Н. Барило, Д.
И. Жигунов, С. В. Ширяев, П. Лемменс, В. П.
Гнездилов, |
|
Ю. Г. Пашкевич, А. А. Захаров, Дж. М. Транквада, А. М. Балагуров |
20 |
|
|
Выращивание пленок PbTe, легированных галлием в процессе их роста, |
|
на Si-подложках при помощи модифицированного метода "горячей стенки" |
|
Я. А. Угай, А. М.
Самойлов, М. К. Шаров, А. В. Арсенов, С. А. Бучнев |
28 |
|
|
Выращивание структурно-совершенных монокристаллов халькопиритных |
|
полупроводников CuInSe2 и CuGaSe2 и исследование их оптических свойств |
|
А. В. Мудрый, А. И. Патук,
И. А. Шакин, Т. П. Ларионова, М. В. Якушев, |
|
Р. Д. Томлинсон,
А. Е. Хилл, Р. Д. Пилкингтон
|
37 |
|
|
Динамическая устойчивость движения высокоскоростного плоского фронта затвердевания |
|
Д. А. Данилов, П. К. Галенко
|
42 |
|
|
Исследование термоэлектрических эффектов в нитевидных кристаллах p-Si |
|
Я. С. Буджак, , И. П. Островский |
50 |
|
|
Получение гетероэпитаксиальных структур ZnO/GaN/a-Al2O3 высокого совершенства методом химического транспорта |
|
Б. М. Атаев, И.
К. Камилов, А. М. Багамадова,
В. В. Мамедов, |
|
А. К. Омаев, С.
Ш. Махмудов
|
53 |
|
|
Квазибикристаллические структуры оксида цинка |
|
Б. М. Атаев, И.
К. Камилов, А. М. Багамадова,
В. В. Мамедов, |
|
С. Ш. Махмудов, А. К. Омаев,
Ш. О. Шахшаев |
56 |
|
|
Кинетика поверхностного пиролиза гидридов в проблеме формирования |
|
границ Si1 - xGex/Si1 - yGey, выращиваемых из молекулярных потоков SiH4 и GeH4 |
|
Л. К. Орлов, А. В. Потапов, Н. Л. Ивина,
С. В. Ивин |
59 |
|
|
Механизм зародышеобразования в молекулярно-лучевой эпитаксии |
|
на As-стабилизированных поверхностях (001) GaAs |
|
Ю. Г. Галицын,
В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов |
63 |
|
|
Модель образования и трансформации микродефектов в бездислокационных |
|
монокристаллах кремния |
|
И. Е. Таланин,
В. И. Таланин, Д. И. Левинзон |
69 |
|
|
Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии слоев GaN и InGaN, полученных |
|
с использованием аммиака |
|
Б. А. Борисов, Д. М. Демидов, Д. М. Красовицкий, Ю. В. Погорельский, |
|
И. А. Соколов, В. П. Чалый, А. П. Шкурко, С. Ю. Карпов, В. В. Ратников, |
|
М. Г. Ткачман,
Т. В. Шубина, А. О. Голубок, С. А. Масалов |
74 |
|
|
Получение эпитаксиальных слоев пятикомпонентных твердых растворов |
|
GaInAsPSb изопериодических с GaSb |
|
В. И. Васильев, Г. С. Гагис,
Е. А. Когновицкая, В. И. Кучинский,
|
|
С. Н. Лосев, В. М. Смирнов
|
78 |
|
|
Свойства и применение полупроводниковых сцинтилляторов на основе селенида цинка |
|
В. Д. Рыжиков, Л. П. Гальчинецкий,
Н. Г. Старжинский |
85 |
|
|
Структура и свойства тонкопленочного титаната свинца на монокристаллическом кремнии |
|
А. М. Ховив, В.
А. Логачева, Ю. Ю. Якимова
|
90 |
|
|
Выращивание и исследование кристаллов CdZnTe, полученных методом Бриджмена при высоком давлении в одно- и многозонной печах |
|
В. К. Комарь, Д.
П. Наливайко, А. С. Герасименко, С. В. Сулима, П. В. Матейченко |
94 |
|
|
Влияние рентгеновского облучения на реальную структуру и концентрацию носителей тока в твердых растворах A2B6 |
|
Э. М. Пашаев, В. Н. Перегудов, С. Н.
Якунин, А. А. Зайцев, В. М. Каневский |
100 |
|
|
Градиентные оптические среды для ИК-области спектра |
|
В. Ф. Голованов, И. С. Лисицкий,
В. В. Сахаров |
104 |
|
|
Морфология кристаллов Bi4Ge3O12, выращенных низкоградиентным |
|
методом Чохральского |
|
Ю. А. Боровлев,
Я. В. Васильев, Н. В. Иванникова, В. Н. Шлегель, Ю. В. Шубин |
108 |
|
|
Игорю Георгиевичу Неизвестному 70 лет |
112 |