Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://www.issp.ac.ru/journal/surface/2002/02-2002.htm
Дата изменения: Fri Apr 17 11:25:20 2015
Дата индексирования: Sun Apr 10 05:07:22 2016
Кодировка: Windows-1251

Поисковые слова: р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п
СОДЕРЖАНИЕ

СОДЕРЖАНИЕ

? 2, 2002

 

 

IX НАЦИОНАЛЬНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО РОСТУ КРИСТАЛЛОВ

(Москва, 16-21 октября 2000 г., ИК РАН)

 

Особенности получения кристаллов вольфрамата свинца для проекта ЦЕРН ALICE

 

С.Ф.Бурачас, С.Я.Белогловский, Д.В.Елизаров, И.В.Маков, В.А.Маслобоев, Р.М.Никитин, Ю.А.Савельев, А.А.Васильев, М.С.Ипполитов, В.И.Манько, С.А.Никулин, А.Л.Апанасенко

5

 

 

Модель перехода от двухмерно-слоевого к трехмерному росту при гетероэпитаксии Ge/Si

 

В.А.Зиновьев, А.В.Двуреченский, П.Л.Новиков

10

 

 

Влияние характеристик германия на рассеяние ИК-излучения

 

И.А.Каплунов, А.И.Колесников

14

 

 

Структура межфазных границ раздела в сверхрешетках Mo/Si

 

Е.Н.Зубарев, А.Ю.Золотарев, В.В.Кондратенко, О.В.Польцева, В.А.Севрюкова, А.И.Федоренко, С.А.Юлин, Т.Файгл, Т.Кульман, Н.Кайзер

20

 

 

Исследование начальных стадий зарождения при эпитаксиальном росте теллурида цинка на поверхностях кремния различных ориентаций

 

Д.Н.Придачин, М.В.Якушев, Ю.Г.Сидоров

25

 

 

Теоретические модели самоорганизации при эпитаксиальной кристаллизации и экспериментальные результаты

 

К.С.Максимов, С.К.Максимов

30

Влияние микрогравитации на структуру и свойства кристаллов InSb:Te при их выращивании методами Бриджмена и бестигельной зонной плавки в космических условиях

 

В.С.Земсков, М.Р.Раухман, В.П.Шалимов

38

 

 

Расчетно-экспериментальное обоснование конструкции и параметров тепловых зон космических ростовых установок, основанных на использовании методов Бриджмена и зонной плавки

 

В.К.Артемьев, Н.В.Гусев, В.П.Шишулин

44

 

 

Нелинейные релаксационные тепловые процессы при высокоскоростной Кристаллизации

 

О.Н.Шабловский

49

 

 

Волновой метод выращивания кристаллов

 

А.А.Абгарян

55

 

 

Рост и характеристики кристаллов селенида свинца-селенида олова, выращенных из паровой фазы

 

Ю.М.Таиров, В.А.Мошников, В.В.Томаев

63

 

 

Рост кристаллов и структурные перестройки при замещении Ti4+ на Mg2+, Nb5+ в КТР и КТА

 

А.И.Белов, Л.И.Исаенко, А.А.Меркулов, И.А.Ларина

68

 

 

Рост пленок сульфида кадмия из тиомочевинных комплексов на различных подложках

 

А.В.Наумов, В.Н.Семенов

72

 

 

Особенности силицидообразования в многослойной пленочной системе Sc/Si

 

Д.Л.Воронов, Е.Н.Зубарев, В.В.Кондратенко, А.В.Пеньков, Ю.П.Першин

75

 

Фотоориентация жидких кристаллов с помощью УФ-облучения композитной пленки ПММА + провитамин Д3

 

И.А.Гвоздовский, И.П.Теренецкая

80

 

 

Программно-технический комплекс для установок роста кристаллов из расплава

 

А.В.Бородин, В.А.Бородин, А.Б.Ивлев, И.С.Петьков, В.В.Сидоров, Д.Н.Францев

84

 

 

Термооксидирование поверхностно-модифицированного фосфида индия

 

И.Я.Миттова, А.Н.Прокин, В.Н.Гаврютин, Е.В.Томина, В.М.Кашкаров

89

 

 

Связь эллипсометрических параметров с характеристиками поверхностного потенциального барьера полупроводника в области субмонослойных покрытий

 

Ю.И.Асалханов, Е.Ф.Мартынович

93

 

 

Третья национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (РСНЭ-2001)

99

 

 

Правила для авторов

111-112