Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://www.issp.ac.ru/journal/surface/2002/02-2002.htm
Дата изменения: Fri Apr 17 11:25:20 2015 Дата индексирования: Sun Apr 10 05:07:22 2016 Кодировка: Windows-1251 Поисковые слова: р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п п р п |
СОДЕРЖАНИЕ
? 2, 2002
IX НАЦИОНАЛЬНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО РОСТУ
КРИСТАЛЛОВ
(Москва, 16-21 октября 2000 г., ИК РАН)
Особенности получения кристаллов вольфрамата свинца для проекта ЦЕРН ALICE |
|
С.Ф.Бурачас, С.Я.Белогловский,
Д.В.Елизаров, И.В.Маков, В.А.Маслобоев, Р.М.Никитин, Ю.А.Савельев,
А.А.Васильев, М.С.Ипполитов, В.И.Манько,
С.А.Никулин, А.Л.Апанасенко |
5 |
|
|
Модель перехода от двухмерно-слоевого к трехмерному росту при гетероэпитаксии Ge/Si |
|
В.А.Зиновьев, А.В.Двуреченский,
П.Л.Новиков |
10 |
|
|
Влияние характеристик германия на рассеяние ИК-излучения |
|
И.А.Каплунов, А.И.Колесников |
14 |
|
|
Структура межфазных границ раздела в сверхрешетках Mo/Si |
|
Е.Н.Зубарев, А.Ю.Золотарев,
В.В.Кондратенко, О.В.Польцева, В.А.Севрюкова,
А.И.Федоренко, С.А.Юлин, Т.Файгл, Т.Кульман,
Н.Кайзер |
20 |
|
|
Исследование начальных стадий зарождения при эпитаксиальном росте теллурида цинка на поверхностях кремния различных ориентаций |
|
Д.Н.Придачин, М.В.Якушев, Ю.Г.Сидоров |
25 |
|
|
Теоретические модели самоорганизации при эпитаксиальной кристаллизации и экспериментальные результаты |
|
К.С.Максимов, С.К.Максимов |
30 |
Влияние микрогравитации на структуру и свойства кристаллов InSb:Te при их выращивании методами Бриджмена и бестигельной зонной плавки в космических условиях |
|
В.С.Земсков, М.Р.Раухман,
В.П.Шалимов |
38 |
|
|
Расчетно-экспериментальное обоснование конструкции и параметров тепловых зон космических ростовых установок, основанных на использовании методов Бриджмена и зонной плавки |
|
В.К.Артемьев, Н.В.Гусев, В.П.Шишулин |
44 |
|
|
Нелинейные релаксационные тепловые процессы при высокоскоростной Кристаллизации |
|
О.Н.Шабловский
|
49 |
|
|
Волновой метод выращивания кристаллов |
|
А.А.Абгарян |
55 |
|
|
Рост и характеристики кристаллов селенида свинца-селенида олова, выращенных из паровой фазы |
|
Ю.М.Таиров, В.А.Мошников,
В.В.Томаев |
63 |
|
|
Рост кристаллов и структурные перестройки при замещении Ti4+ на Mg2+, Nb5+ в КТР и КТА |
|
А.И.Белов, Л.И.Исаенко,
А.А.Меркулов, И.А.Ларина
|
68 |
|
|
Рост пленок сульфида кадмия из тиомочевинных комплексов на различных подложках |
|
А.В.Наумов, В.Н.Семенов
|
72 |
|
|
Особенности силицидообразования в многослойной пленочной системе Sc/Si |
|
Д.Л.Воронов, Е.Н.Зубарев, В.В.Кондратенко,
А.В.Пеньков, Ю.П.Першин |
75 |
|
|
Фотоориентация жидких кристаллов с помощью УФ-облучения композитной пленки ПММА + провитамин Д3 |
|
И.А.Гвоздовский, И.П.Теренецкая |
80 |
|
|
Программно-технический комплекс для установок роста кристаллов из расплава |
|
А.В.Бородин, В.А.Бородин, А.Б.Ивлев, И.С.Петьков, В.В.Сидоров, Д.Н.Францев |
84 |
|
|
Термооксидирование поверхностно-модифицированного фосфида индия |
|
И.Я.Миттова, А.Н.Прокин, В.Н.Гаврютин, Е.В.Томина, В.М.Кашкаров |
89 |
|
|
Связь эллипсометрических параметров с характеристиками поверхностного потенциального барьера полупроводника в области субмонослойных покрытий |
|
Ю.И.Асалханов, Е.Ф.Мартынович |
93 |
|
|
Третья национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (РСНЭ-2001) |
99 |
|
|
Правила для авторов |
111-112 |