Номер 5, 2001

Зарядовая асимметрия неупругих столкновений ионов с атомами в нестационарной квантовой модели

В. В. Самарин, В. И. Савельев

6

Торможение и каналирование тяжелых ионов в модели бинарных столкновений с атомными цепочками кристалла

В. В. Самарин, А. Г. Кадменский

12

Метод усреднения по траекториям при описании осевого каналирования заряженных частиц в кристаллах

А. Г. Кадменский, В. В. Самарин

15

Использование интегрального метода наименьших квадратов при численном решении некоторых задач взаимодействия электронных пучков с веществом

А. А. Белов, М. А. Степович

19

Возбуждение колебаний поверхностных атомов монокристалла движущейся заряженной частицей

Г. М. Филиппов

25

Эволюция двухчастичной матрицы плотности атома при движении в твердотельной пленке

Г. М. Филиппов

29

Осцилляции коэффициента отражения ионных и электронных потоков за счет поверхностного потенциального поля

Н. Г. Ананьева, В. А. Элыпеков

33

Качественный критерий формы углового распределения распыленных атомов

М. Г. Степанова

36

Моделирование переосаждения распыленного вещества на мишень со ступенчатым поверхностным рельефом, распыляемую в плазме тлеющего разряда

О. Г. Бонк, В. И. Кристя

40

Использование дифференциальных уравнений в дробных производных в теории каналирования заряженных частиц в кристаллах

Н. В. Максюта

45

Особенности энергетических спектров быстрых протонов при каналировании

Л. Л. Балашова

48

Диагностика приповерхностных состояний кристаллов электронами низких энергий

О. Ф. Панченко, Л. К. Панченко

51

Распыление графита ионами азота энергии 15-30 кэВ

А. М. Борисов, В. В. Железное, В. С. Куликаускас, Е. С. Машкова, В. Экштайн

58

Исследование смешанных слоев W-C и W-Be после облучения импульсной дейтериевой плазмой

М. И. Гусева, Л. С. Данелян, В. В. Затекин, В. С. Куликаускас, И. В. Швей

62

Модификация кристаллов оксида бериллия путем имплантации ионов цинка и лития

М. В. Якушев, А. Н. Вараксин, И. Н. Огородников, А. В. Кружалов, А. А. Живодеров, В. П. Нагирнь

66

Особенности перераспределения натрия в кремнии при постимплантационном отжиге

В. М. Король, А. В. Заставной

74

Действие дополнительного ионного облучения на формирование р-слоев арсенида галлия, имплантированного углеродом

Ю. А. Данилов, М. А. А. Пудензи, А. В. Мурель, Е. А. Питиримова, А. Ф. Хохлов

79

Использование ускоренных пучков ионов гелия для анализа оптических материалов на основе ZnSe

Т. А. Белых, Е. М. Гаврищук, А. П. Оконечников, В. А. Панько