Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://www.issp.ac.ru/journal/surface/2004/05-2004.htm
Дата изменения: Thu Jul 15 11:25:58 2004 Дата индексирования: Tue Oct 2 12:04:50 2012 Кодировка: Windows-1251 Поисковые слова: m 31 |
? 5 за 2004 год
Моделирование физических
процессов высокодозного ионного облучения
многокомпонентных материалов |
|
Ю.В.Трушин
|
5 |
Баланс энергии и вещества при
распылении |
|
А.С.Мосунов
|
13 |
Распыление поверхности бинарных
монокристаллов при скользящей ионной бомбардировке |
|
А.А.Джурахалов, Ф.Ф.Умаров |
17 |
Изменение распыления
инвара при магнитном
фазовом переходе |
|
С.С.Еловиков, Д.А.Конов, Р.С.Гвоздовер, Л.Б.Шелякин, В.Е.Юрасова |
21 |
Ионное
травление металлоорганических пленок |
|
Г.Л.Пахомов, М.Н.Дроздов, Н.В.Востоков
|
25 |
Влияние интерметаллидных
фаз системы Al-Ti на рельеф поверхности и
распыление поликристаллических материалов (Be, Al, Ti, Cu, Fe, W) при облучении пучком ионов с
широким энергетическим спектром |
|
Б.А.Калин, Н.В.Волков, И.В.Олейников
|
29 |
Сравнение аналитического описания
и компьютерного моделирования отражения ионов
водорода при скользящем падении на мишень |
|
В.А.Курнаев, Н.Н.Трифонов, В.А.Урусов
|
33 |
О справедливости классического
описания при рассеянии атомных частиц средних энергий |
|
А.Н.Пустовит
|
37 |
Моделирование ионного синтеза
скрытых диэлектрических слоев
|
|
C.А.Кривелевич,
В.И.Бачурин, А.А.Цырулев
|
40 |
Энергораспределение вторичных
ионов и работа
выхода электрона |
|
А.П.Коварский, Е.Н.Моос
|
44 |
ВИМС-анализ
заряженных кластеров при травлении тонких полимерных пленок ионами
кислорода и цезия |
|
А.И.Иванов, А.В.Леонтьев |
48 |
Компьютерное моделирование
пространственного распределения излучения выбитых возбужденных частиц |
|
С.П.Гоков, В.В.Грицына, ½А.Г.Коваль,½ Ю.И.Ковтуненко Д.И.Шевченко, |
52 |
Люминесценция фуллерита
при бомбардировке атомами и ионами водорода низких энергий |
|
А.И.Бажин, В.В.Стыров, В.И.Тютюнников,
Е.И.Недригайлов, С.В.Чертопалов |
56 |
Влияние зависимости параметра
затухания от расстояния до поверхности на кинетику термодесорбции |
|
Ю.Н.Девятко, Ф.Н.Маркун
|
61 |
Хемосорбция фосфора на чистых
упорядоченных и дефектных поверхностях
Si(100)-(2 x 1) |
|
О.Ю.Ананьина, А.С.Яновский
|
65 |
Ионно-стимулированные и термоактивируемые вторичные процессы при |
|
ионно-лучевой модификации
свойств материалов и покрытий |
|
Г.Р.Рахимова, Т.Д.Раджабов
|
68 |
Ионно-ассистируемое
осаждение слоев металлов с применением однопучковой
системы |
|
А.Ф.Комаров,Ф.Ф.Комаров, П.В. Жуковский, Е.С.Григорчук,
А.С.Камышан |
73 |
Исследование эволюции
микротрещины в модельных металлах при ионной
имплантации. Компьютерный
эксперимент |
|
А.Ю.Дроздов, М.А.Баранов, В.Я.Баянкин |
76 |
Моделирование миграции атомов по
поверхности твердого тела с микронеровностями
при ионном облучении |
|
В.М. Сотников |
81 |
Высоковакуумный метод измерения
коэффициентов диффузии легких изотопов в металлах in situ |
|
Ю.И.Тюрин, А.М.Семенов, Н.Н.Никитенков
|
90 |
Формирование полимерных пленок, полученных в плазме гептана, на поверхности
стальной и полиэтилентерефталатной подложек |
|
А.М.Ляхович, А.М.Дорфман,
А.Е.Муравьев, М.А.Широбоков |
94 |
Численное исследование рассеяния атома в
поле иона |
|
В.И.Савельев, Г.М.Филиппов |
101 |
Рассеяние плазмы на зародышах
металлических капель вблизи поверхности |
|
Г.И.Змиеевская, Л.В.Иньков, В.Д.Левченко, Т.В.Левченко |
106-112
|