Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://www.issp.ac.ru/journal/surface/1999/12-99.html
Дата изменения: Thu Apr 9 17:34:05 2015 Дата индексирования: Sun Apr 10 05:01:00 2016 Кодировка: Windows-1251 Поисковые слова: п п п п п п п п п р п р п р п р п р п р п |
СОДЕРЖАНИЕ
Номер 12, 1999
ПЕРВОЕ РОССИЙСКО-ИТАЛЬЯНСКОЕ РАБОЧЕЕ СОВЕЩАНИЕ
" ПРИМЕНЕНИЕ РЕНТГЕНОВСКОГО И СИНХРОТРОННОГО
ИЗЛУЧЕНИЯ В СОВРЕМЕННОМ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИИ"
Краткая информация о Первом Российско-Итальянском
рабочем совещании |
4 |
Рентгеновское дифракционное определение параметров
новых тонких пленок на основе алмаза |
|
Дж. Каппуччио, М. Л. Терранова, В. Сесса, С. Пиччирилло |
7 |
Достижения высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в характеризации
многослойных гетероструктур |
|
Р. М. Имамов, А. А. Ломов, Э. М. Пашаев, А. М.
Афанасьев, М. А. Чуев |
11 |
Синхротронные рентгенодифракционные
исследования металлических сверхслоев на Si(001) |
|
П. Императори, Р. Фелиси |
21 |
Дифракционные методы в исследовании структуры пленок
Ленгмюра-Блоджетт |
|
Л. А. Фейгин, В. В. Клечковская |
35 |
Диагностика субмикронных люминесцентных пленок
пористого кремния |
|
В. А. Караванский, А. А. Ломов, Е. В. Ракова, С. А. Гаврилов. Н. Н. Мельник, Т. Н. Заварицкая, В. А. Бушу |
32 |
Композиционно-градуированные буферные слои InGaAs/GaAs: разработка и определение параметров |
|
К. Феррари, Л. Лаццарини,
С. Дженнари
|
40 |
Рентгеновский анализ по Ритвельду
наноструктурных особенностей Pd/C-катализаторов
|
|
Дж. Фагерацци, П. Кантон,
П. Риелло, Ф. Пинна, Н. Перницоне |
50 |
Локальные особенности кристаллической и электронной
структур сверхпроводящих |
|
оксидов BaPb1-xBixO3Ba1-xKxBiO3 |
|
А. П. Менушенков
|
56 |
Букминстерфуллерены: влияние фторирования и изменения фазового состояния
на электронную структуру |
|
П. В. Дудин, Н. Ю. Свечников, В. Г. Станкевич, А. В.
Баранов, А. В. Рыжков, В. Н. |
|
Безмельницын, М. Комода,С. Хирозе, К. Канно, И. Акимото, Т. Мацумото, Н. Швентнер, Г. Сливински |
71 |
Некоторые особенности выхода мягких оже-электронов под действием рентгеновского излучения |
|
Э. М. Пашаев, В. Н. Перегудов, А. Б. Вавилов |
79 |
Станция белковой кристаллографии на источнике
синхротронного излучения "Сибирь-2" |
|
|Э. Г. Арутюнян\, Д. М. Хейкер, М. В.
Ковальчук, Ю. Н. Шилин, В. А.
|
88 |
Двухкристальный монохроматор для синхротронного излучения |
|
М. В. Ковальчук,'В. В.
Лидер, Ю. Н. Шилин, С. И. Желудева,
В. А. Шишков |
95 |
Ортофосфот
галлия - пьезо- и электроакустический материал.
Выращивание монокристаллов |
|
Л.
Н. Демьянец, О. В. Зверева
|
101 |
Эксперименты по лауэвской
фокусировке синхротронного излучения |
|
Л. В. Забелин, В. А. Соменков,
С. Ш. Шильштейн
|
110 |
Образование сверхрешеток
при фазовых превращениях в TlGaSe2 |
|
Д. И. Исмаилов, Э. Ш. Алекперов, М. Ф. Алиева, Р. М.
Султанов, М. А. Нуриев, Ф. И. Алиев, Р. Б. Шафизаде |
113 |
Математическое моделирование прохождения электронов
через границу твердое тело-вакуум при малых изменениях работы выхода |
|
А. Ю. Антонов, В. П. Денисов |
116 |
Авторский указатель за 1999 г.
|
119 |
|