|
Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://www.issp.ac.ru/journal/surface/1998/05-98.htm
Дата изменения: Tue Apr 7 16:55:23 2015 Дата индексирования: Sun Apr 10 04:57:44 2016 Кодировка: Windows-1251 Поисковые слова: п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п |
|
Содержание N 5-98 XXVII КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФИЗИКЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ С КРИСТАЛЛАМИ |
|
|
Кощеев В.П., Моргун Д.А. Ланжевеновский подход к теории прохождения и излучения_ релятивистских частиц в кристаллах |
5 |
|
Бакаев В.А., Богданов С.Д., Богданов С.С., Журкин Е.Е., Космач В.Ф., Рабинович Л.В. Ионизационные потери тяжелых ионов при энергиях менее 100 МэВ/нуклон и толщина их следов в фотоэмульсии |
12 |
|
Дидик В.А., Козловский В.В., Малкович P.UL, Скорятина Е.А. Использование профилей трансмутационных изотопов, образованных в твердых телах облучением высокоэнергетичными заряженными частицами, для определения энергетической зависимости сечения ядерных реакций |
15 |
|
Боброва Т.А., Огнев Л.И. Влияние расположения дефекта типа сдвига кристаллических плоскостей и сверхрешетки на плоскостное каналирование релятивистских электронов |
22 |
|
Тетельбаум Д.И., Карпович И.А., Степихова М.В., Шенгуров В.Г., Марков К.А., Горшков О.Н. Особенности фотолюминесценции в SiO2 с нановключениями кремния, полученными методом ионной имплантации |
31 |
|
Тетельбаум Д.И., Шенгуров В,Г., Шенгуров Д.В., Питиримова Е.А., Питиримов А.В. Формирование аморфно-кристаллических нанокомпозиций кремния путем облучения тяжелыми ионами |
34 |
|
Акимов А.Н., Власукова Л.А., Гусаков Г.А. Зависимость критической температуры ионно-индуцированной кристаллизации арсенида галлия от условий имплантации |
38 |
|
Малютин В.М" Крючков Ю.Ю. Моделирование каналирования ионов 4Не+ в сложной кристаллической структуре |
41 |