Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://www.issp.ac.ru/journal/surface/1997/10-97
Дата изменения: Mon Mar 22 15:58:47 2004
Дата индексирования: Tue Oct 2 11:15:25 2012
Кодировка: Windows-1251

Поисковые слова: р п р п р п р п р п р п р п р п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п
СОДЕРЖАНИЕ

СОДЕРЖАНИЕ

Номер 10, 1997

 

Дышеков А.А." Хапачев Ю.П., Тарасов Д.А. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей в сверхрешетке с разными толщинами слоев в периоде

 

5

Вольф Г.В. Работа выхода и положение плоскости изображения металлических поверхностей

 

13

Сеничкин А.П., Бугаев А.С., Мокеров Ц.Г., Фурсин Л.Г. Получение распределения островков но их размерам на поверхности кристалла из углового распределения интенсивности дифрагированных электронов.

1. Случай одного незаполненного монослоя

 

 

 

20

Смирницкая Г.В., Колумбаев А.Л., Бибикова В.В. Разряд с осциллирующими электронами как метод получения многослойных пленок и сверхрешеток

 

28

 

Ашкинаэи Л.А., Гайнер М.Л. Модель изменения поверхности импрегнированного катода в процессе его работы

 

35

Кацнельсон А.А., Лысенко О.В" Трушин О.С., Степанюк В.С. Ориентационный порядок в монослоях гетероэпитаксиальных структур при различии радиусов атомов пленка / подложка ~ 7-8%

 

 

40

Николаев И.Н., Петренко И" Ставкин Д.Г" Уточкин Ю.А" Шлапаков Н.А. Повышение стабильности и уменьшение деградации характеристик сероводородного МДП-сенсора

 

 

46

Мартыненко Ю.В., Московкин П.Г. Ионное травление выходов дислокации на поверхность

 

50

Шикии В.Б. Контактный холловский импеданс полубесконечной, экранированной двумерной системы на низких частотах

 

54

Лунчев В.А., Симонов А.П., Сумбатов А.А. Модификация аморфных кремниевых пленок ультрафиолетовыми лазерными импульсами

 

58

Федосюк В.М" Блайт Х.И., Малюш М.М., Касютич О.И. Исследования влияния состава на распределение и взаимодействие частиц кобальта в пленках электролитически осажденных неоднородных сплавов CuCo

 

 

67

Чайка Г.Е., Шнюков В.Ф. Нестационарное и неравновесное испарение атомов с поверхности кристаллов типа А2В6

 

75

Островский И.В., Сайко С.В. Уровни вакансии As в эпитаксиальном GaAs

80

Бреза Ю.. Миленин В.В., Конакова Р.В" Ляпин В.Г., Статов В.А" Тхорик Ю.А., Шевелев М.В" Филатов М.Ю. Межфазные взаимодействия в контактах Au-Cr-GaAs, стимулированные термо- и СВЧ-отжигами

 

 

83

Ланская О.Г. Лиленко Е.П., Каленик В.И., Войцеховский А.В. Исследование состава анодного оксида и граница раздела оксид-ZnxHg1-xTe

 

86

Зимин С.П., Зайкина Р.Ф., Борзова Г.А. Воздействие электронного облучения на поверхность пленок сульфида свинца и границу раздела индий - сульфид свинца

 

 

92

Ильчук Г.А., Украинец Н.А. Влияние способа обработки поверхности монокристаллического теллурида кадмия на свойства контакта Cu-p-CdTe

 

96

Богатырева Г.П.. Зусманов Е.П., Котова Н.В., Маевский В.М.. Ройцин А.Б. Физические свойства нитрида бора под воздействием агрессивных сред

 

99

Аюпов Б.М., Басова Т.В., Прохорова С.А., Игуменов И.К. Исследование пленок фталоцианинов методами эллипсометрии и спектрофотометрии в видимой области

 

 

110

Глушко В.И., Зыман 3.3. Гидратное состояние поверхности тефлона в вакууме

 

116

Лифанова Л.Ф. Применение ионного облучения для улучшения антикоррозионных свойств поверхности

 

121