Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://www.issp.ac.ru/journal/surface/1997/10-97
Дата изменения: Mon Mar 22 15:58:47 2004 Дата индексирования: Tue Oct 2 11:15:25 2012 Кодировка: Windows-1251 Поисковые слова: п п п п п п п р п р п р п р п р п р п р п р п |
СОДЕРЖАНИЕ
Номер 10, 1997
Дышеков А.А." Хапачев
Ю.П., Тарасов Д.А. Динамическое рассеяние рентгеновских
лучей в сверхрешетке с разными толщинами слоев в периоде |
5 |
Вольф Г.В. Работа выхода и положение
плоскости изображения металлических поверхностей |
13 |
Сеничкин А.П., Бугаев А.С., Мокеров Ц.Г., Фурсин Л.Г. Получение
распределения островков
но их размерам на поверхности кристалла из
углового распределения интенсивности дифрагированных электронов. 1. Случай одного незаполненного монослоя |
20 |
Смирницкая Г.В., Колумбаев А.Л., Бибикова В.В.
Разряд с осциллирующими электронами как метод получения многослойных пленок и сверхрешеток |
28 |
Ашкинаэи Л.А., Гайнер М.Л. Модель изменения поверхности импрегнированного катода в процессе его работы |
35 |
Кацнельсон А.А., Лысенко О.В" Трушин О.С., Степанюк В.С. Ориентационный порядок
в монослоях гетероэпитаксиальных структур при различии радиусов атомов пленка
/ подложка ~ 7-8% |
40 |
Николаев И.Н., Петренко И.А" Ставкин Д.Г" Уточкин Ю.А" Шлапаков Н.А. Повышение стабильности и уменьшение деградации
характеристик сероводородного МДП-сенсора |
46 |
Мартыненко Ю.В., Московкин
П.Г. Ионное травление выходов дислокации на
поверхность |
50 |
Шикии В.Б. Контактный холловский импеданс
полубесконечной, экранированной двумерной системы на низких частотах |
54 |
Лунчев В.А., Симонов А.П., Сумбатов А.А.
Модификация аморфных кремниевых пленок ультрафиолетовыми лазерными импульсами
|
58 |
Федосюк В.М" Блайт Х.И., Малюш М.М., Касютич
О.И. Исследования влияния состава на распределение и взаимодействие частиц кобальта
в пленках электролитически осажденных неоднородных сплавов CuCo |
67 |
Чайка Г.Е., Шнюков В.Ф. Нестационарное и
неравновесное испарение атомов с поверхности кристаллов типа А2В6
|
75 |
Островский И.В., Сайко
С.В. Уровни вакансии As в эпитаксиальном GaAs
|
80 |
Бреза Ю.. Миленин В.В., Конакова Р.В" Ляпин В.Г., Статов В.А" Тхорик
Ю.А., Шевелев М.В" Филатов М.Ю. Межфазные взаимодействия в контактах
Au-Cr-GaAs, стимулированные термо- и СВЧ-отжигами
|
83 |
Ланская О.Г. Лиленко Е.П., Каленик В.И., Войцеховский
А.В. Исследование состава анодного оксида и
граница раздела оксид-ZnxHg1-xTe |
86 |
Зимин С.П., Зайкина Р.Ф., Борзова Г.А. Воздействие
электронного облучения на поверхность пленок сульфида свинца и границу
раздела индий - сульфид свинца |
92 |
Ильчук Г.А., Украинец
Н.А. Влияние способа обработки поверхности монокристаллического теллурида
кадмия на свойства контакта Cu-p-CdTe |
96 |
Богатырева Г.П.. Зусманов Е.П., Котова Н.В., Маевский В.М.. Ройцин А.Б. Физические свойства
нитрида бора под воздействием агрессивных сред |
99 |
Аюпов Б.М., Басова Т.В., Прохорова С.А., Игуменов И.К. Исследование пленок фталоцианинов
методами эллипсометрии и спектрофотометрии
в видимой области |
110 |
Глушко В.И., Зыман 3.3. Гидратное состояние поверхности тефлона в вакууме |
116 |
Лифанова Л.Ф. Применение ионного облучения для улучшения
антикоррозионных свойств поверхности |
121 |