Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://www.issp.ac.ru/journal/surface/1997/02-97
Дата изменения: Mon Mar 22 15:58:47 2004 Дата индексирования: Tue Oct 2 11:13:47 2012 Кодировка: Windows-1251 Поисковые слова: р р р р р р п п р р |
Содержание
Номер 2, 1997
Галашев А.Е.
Атомная динамика и размер металлических кластеров. Компьютерный эксперимент |
5 |
Шехтман С.О.,
Яблонский Г.С. Имитационное моделирование соизмеримых и несоизмеримых
структур в системе "адсорбент- адсорбат" |
14 |
Квеглис Л.И.,
Басько А.Л. Моделирование процессов автоволнового окисления и взрывной
кристаллизации аморфных пленок железа |
32 |
Саввин Ю.Н.,
Войнов А.В., Толмачев А.В. Реальная структура пленок Лэнгмюра-Блоджетт
фуллерена С60 на поверхности поликристаллического серебра |
40 |
Нуприенок
И.С., Шибко А.Н. Фазовые превращения в композиции титан - кремний при
комбинированной обработке |
45 |
Машаров С.И.,
Матвеева Т.А. Химическая диффузия атомов внедрения в трехслойной ГЦК-пленке |
50 |
Якушев М.В.,
Кеслер В.Г., Логвинский Л.М., Сидоров Ю.Г. Анализ методом рентгеновской
фотоэлектронной спектроскопии гетеросистем (112) В, полученных
молекулярно-лучевой эпитаксией |
58 |
Сафронов А.Н.
Феноменологическое описание влияния моноатомного слоя на поверхности вещества
на переходное излучение |
67 |
Корсакова
О.С., Алешкевич В.А., Самойлов В.Н., Никитин А.М. Исследования поверхностного
механизма фокусировки атомов, эмитируемых с поверхности грани (001), методом
молекулярной динамики |
77 |
Коротков В.А.,
Бурумкулов Ф.Х., Лельчук Л.М. Электроискровое упрочнение поверхностей трения |
93 |
ХХУ1
Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с
кристаллами |
|
Дмитриев В.М.,
Космач В.Ф., Молчанов В.М., Фокин А.Б. Энерговыделение в малых объемах
кремния под действием ядер средней энергии |
98 |
Бакаев В.А.,
Богданов С.Д., Богданов С.С., Дудкин В.Е., Журкин Е.Е., Иванов Д.П., Космач
В.Ф., Нефедов Н.А., Плющев В.А., Хассан Д.Х. Электронные тормозные
способности тяжелых релятивистских ионов в веществе |
101 |
Высоцкий В.И.,
Кузьмин Р.Н., Максюта Н.В. Использование семейства изоспектральных
потенциалов для анализа взаимодействия в случае плоскостного каналирования
заряженных частиц в кристаллах |
107 |
Силенко А.Я. О
различии классического и квантового описания вращения спина заряженных частиц
при каналировании |
111 |
Боровик А.С.,
Кобзев А.П., Ковалева Е.А., Потапов С.Н. Статические смещения атомов
кислорода в кристаллической решетке Y |
116 |
Гатальская В.B., Гатальский Г.В., Курочкин Л.А. Влияние электронного
облучения на проводимость монокристаллов Bi |
123 |
Питиримова
Е.А., Данилов Ю.А., Хохлов А.Ф. Двойная имплантация в монокристаллы GaAs |
127 |
Акимов А.Н.,
Власукова Л.А., Гусаков Г.А., Комаров Ф.Ф. Структурно-фазовые превращения в
арсениде галлия, имплантированном ионами фосфора и аргона |
132 |
Соловьев В.С.,
Комаров Ф.Ф., Камышан А.С., Тишков В.С., Францкевич А.В. Скрытые высокоомные
слои в кремнии, полученные субстехиометрической имплантацией азота |
137 |