Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://www.issp.ac.ru/journal/surface/1997/02-97
Дата изменения: Mon Mar 22 15:58:47 2004
Дата индексирования: Tue Oct 2 11:13:47 2012
Кодировка: Windows-1251
Поисковые слова: п п п п п п п п п п п р п р п р п р п р п п п п п п п п п п п ф п ф п ф п ф п ф п ф п ф п ф п ф п ф п ф п ф п
Редакционная коллегия:

Содержание

 

Номер 2, 1997

 

Галашев А.Е. Атомная динамика и размер металлических кластеров. Компьютерный эксперимент

 

5

Шехтман С.О., Яблонский Г.С. Имитационное моделирование соизмеримых и несоизмеримых структур в системе "адсорбент- адсорбат"

 

14

Квеглис Л.И., Басько А.Л. Моделирование процессов автоволнового окисления и взрывной кристаллизации аморфных пленок железа

 

32

Саввин Ю.Н., Войнов А.В., Толмачев А.В. Реальная структура пленок Лэнгмюра-Блоджетт фуллерена С60 на поверхности поликристаллического серебра

 

 

40

Нуприенок И.С., Шибко А.Н. Фазовые превращения в композиции титан - кремний при комбинированной обработке

 

45

Машаров С.И., Матвеева Т.А. Химическая диффузия атомов внедрения в трехслойной ГЦК-пленке

 

50

Якушев М.В., Кеслер В.Г., Логвинский Л.М., Сидоров Ю.Г. Анализ методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии гетеросистем (112) В, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией

 

 

58

Сафронов А.Н. Феноменологическое описание влияния моноатомного слоя на поверхности вещества на переходное излучение

 

67

Корсакова О.С., Алешкевич В.А., Самойлов В.Н., Никитин А.М. Исследования поверхностного механизма фокусировки атомов, эмитируемых с поверхности грани (001), методом молекулярной динамики

 

 

77

Коротков В.А., Бурумкулов Ф.Х., Лельчук Л.М. Электроискровое упрочнение поверхностей трения

 

93

ХХУ1 Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами

 

Дмитриев В.М., Космач В.Ф., Молчанов В.М., Фокин А.Б. Энерговыделение в малых объемах кремния под действием ядер средней энергии

 

 

98

Бакаев В.А., Богданов С.Д., Богданов С.С., Дудкин В.Е., Журкин Е.Е., Иванов Д.П., Космач В.Ф., Нефедов Н.А., Плющев В.А., Хассан Д.Х. Электронные тормозные способности тяжелых релятивистских ионов в веществе

 

 

 

101

Высоцкий В.И., Кузьмин Р.Н., Максюта Н.В. Использование семейства изоспектральных потенциалов для анализа взаимодействия в случае плоскостного каналирования заряженных частиц в кристаллах

 

 

107

Силенко А.Я. О различии классического и квантового описания вращения спина заряженных частиц при каналировании

 

111

Боровик А.С., Кобзев А.П., Ковалева Е.А., Потапов С.Н. Статические смещения атомов кислорода в кристаллической решетке Y

 

116

Гатальская В.B., Гатальский Г.В., Курочкин Л.А. Влияние электронного облучения на проводимость монокристаллов Bi

 

123

Питиримова Е.А., Данилов Ю.А., Хохлов А.Ф. Двойная имплантация в монокристаллы GaAs

 

127

Акимов А.Н., Власукова Л.А., Гусаков Г.А., Комаров Ф.Ф. Структурно-фазовые превращения в арсениде галлия, имплантированном ионами фосфора и аргона

 

 

132

Соловьев В.С., Комаров Ф.Ф., Камышан А.С., Тишков В.С., Францкевич А.В. Скрытые высокоомные слои в кремнии, полученные субстехиометрической имплантацией азота

 

 

137