Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://www.issp.ac.ru/journal/surface/1997/08-97
Дата изменения: Mon Mar 22 15:58:47 2004 Дата индексирования: Tue Oct 2 11:14:56 2012 Кодировка: Windows-1251 Поисковые слова: п п п п п п |
Содержание
Номер 8, 1997
100-летию СО
ДНЯ ОТКРЫТИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЕЙ ПОСВЯЩАЕТСЯ |
|
Львов И.Б., Иванов Ю.В.
Электронная структура комплексов b -дикетонатов никеля(II) и меди(II) |
5 |
Куркина Л.И., Фарберович
О.В. Фотоабсорбция малых простых металлических кластеров в диэлектрических
матрицах |
11 |
Петраченко Н.Е. Электронная структура и фотоэлектронные
спектры фторорганических
производных бензойных кислот |
19 |
Дементьев А.П., Петухов М.Н., Тетерин Ю.А. Оже- электронная спектроскопия, возбужденная
рентгеновскими лучами, графитовых, алмазных и углеродных пленок |
26 |
Вовна В.И., Львов И.Б.,
Иванов Ю.В. Электронная структура и фотоэлектронные спектры р-дикетонатных комплексов никеля(II) и меди(II) |
31 |
Тетерин Ю.А., Тетерин А.Ю" Лебедев А.М., Вукчевич Л. Интенсивность Ln4f рентгеновских фотоэлектронных спектральных линий и
степень делокализации Ln4f электронов фторидов и окислов лантана |
40 |
Узинов А.Ю., Устинова О.М., Вовна В.И. Электронная спектроскопия и
электронная структура трис-b -дикетонатов металлов |
47 |
XXVI МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФИЗИКЕ
ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ С КРИСТАЛЛАМИ |
|
Похил Г.П" Попов В.П.,
Тулинов А.Ф., Затекин В.В. О
возможности анализа фрактальных выделений мышьяка в кремнии методом каналирования |
52 |
Боев О.В., Кунашенко Ю.П. Образование электрон-позитронных
пар фотоном в поле кристаллографических плоскостей |
57 |
Степанов С.А., Силенко А.Я" Ульяненков А.П., Дубовская И.Я. Многоволновое параметрическое рентгеновское
излучение, генерируемое частицами в кристалле |
61 |
Козловский
В.В. Радиационное легирование полупроводниковых, ВТСП-
и сегнето-электрических
материалов с использованием заряженных частиц |
66 |
Афросимов В.В., Ильин Р.Н.,
Карманенко С.Ф.,
Панов М.Н., Сахаров В.И.,
Серен-ков И.Т. Исследование границы пленки Bi2Sr2TiO3 с MgO-подложкой |
71 |
Головань Л.А., Перес Наварро А" Кашкаров П.К., Куликаускас В.С.,
Тимошенко В.Ю., Чеченин
Н.Г. Лазерно-индуцированные
модификации состава и дефекто-образование в CdHgTe |
76 |
Гусева М.И" Данеляи Л.С., Затекин В.В.,
Коршунов С.Н., Куликаускас В.С., Столярова В.Г. Исследование элементного состава
поверхности бериллия после распыления одноименными ионами при различных углах
падения |
82 |
Битеиский И.О., Войткив А.Б. Образование дефектов в металлах при прохождении
быстрых высокозарядных ионов |
86 |
Войткив А.Б., Паздзерский В.А., Усаченко В.И.
Зарядовый состав вторичных частиц при распылении чистых металлов |
89 |
Романовский Е.А., Беспалова О.В.,
Борисов А.М., Горяга
Н.Г., Затекин В.В.,
Куликаускас В.С" Сухарев В.Г.
Изучение высокодозной имплантации азота в графит |
93 |
Михайлов Ю.С., Самарин В.В. Особенности осевого каналирования
протонов в водо-родосодержащих
кристаллах |
98 |
Кунашенко Ю.П.
Эффект Сахарова для когерентного фоторождения пар в кристалле |
103 |
Кунашенко Ю.П.
Комбинационные эффекты в когерентном фоторождении пар типа Б |
107 |