XXVI МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФИЗИКЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ С КРИСТАЛЛАМИ

Кашлев Ю.А., Садыков Н.М. Каналирование, квазиканалирование и хаотическое движение быстрых частиц в кристаллах. Локальное уравнение Больцмана и анализ кинетических эффектов

5

Высоцкий В.И" Максюта Н.В. Поверхностное каналирование атомов за счет сил Ван-дер-Ваальса

11

Гелфорт С., Керков X., Штолле Р., Петухов В.П., Романовский Е.А. 21-осцилляции в сечениях электронного взаимодействия и тормозной способности тяжелых ионов низких энергий при их прохождении через газы

14

Высоцкий В.И" Бугров В.П., Корнилова А.А., Максюта Н.В. Каналированный режим движения и особенности взаимодействия с ядрами быстрых ионизационных электронов, образуемых в кристаллической матрице при ее облучении мощным лазерным импульсом

20

Бакаев В.А., Богданов С.Д.) Богданов С.С.) Дудкин В.Е" Журкин Е.Е., Космач В.Ф., Кузьмин В.А., Нефедов Н.А., Плющев В.А., Хассан Д.Х. Экспериментальное исследование пучков тяжелых ядер

31

Бакаев В.А., Бердников Я.А., Богданов С.Д., Космач В.Ф. Влияние вторичных заряженных частиц на распределение дозы в кварц-полимерных образцах

35

Панченко О.Ф., Панченко Л.К. Низкоэнергетическая спектроскопия полного тока и вторичной электронной эмиссии при электронном облучении кристаллов

38

Дмитриенко В.Д., Насонов Н.Н. Генерация линейно-поляризованного гамма-излучения в процессе некоррелированных столкновений релятивистских электронов с атомными цепочками толстого кристалла

49

Александров В.А., Филиппов Г.М. Численный анализ смешанного состояния электрона в проходящем через углеродную пленку атоме водорода

57

Александров В.А., Филиппов Г.М. Роль поляризации в задаче рассеяния атома вблизи поверхности металла

62

Гусаков Г.А., Новиков А.П., Анищик В.М. Зависимость критической температуры ионно-индуцированной кристаллизации кремния от условий имплантации

65

Комаров Ф.Ф., Комаров А.Ф., Миронов А.М. Выбор оптимальных режимов для процесса ионно-ассистируемого осаждения слоев на металлах

68

Егоров В.К., Кононенко О.В., Кондратьев О.С. Проявление пористости пленочных покрытий в спектрах РОР

73

Углов В.В., Русальский Д.П., Ходасевич В.В., Кенигер А.*, Хаммер К.*, Раушенбах Б.* Синтез антифрикционных структур двойной имплантации углерода и циркония

86

Ходасевич В.В., Солодухин И.А., Приходько И.И., Углов В.В. Влияние предварительного облучения ионами Ar⁺ на диффузионные процессы в системах Ti/Ni и Ti/Fe

93

Углоб В.В., Кулешов А.К., Кенигер А.*, Хаммер К.*, Раушенбах Б.* Нанотвердость железа при моно- и двойной имплантации азота и бора

98

Атабаев Б.Г., Раджабов Ш.С" Саидханова Н.Г. Распыление ионных кристаллов LiF, KCl, SiC при бомбардировке многозарядными ионами

103

Атабаев Б.Г., Джаббарганов Р" Абдуллаев А.Х., Абдуллаев М.И. Исследование образования отрицательно-ионных и нейтральных кластеров при распылении NaCl и KCl ионами цезия

110

Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Фараджев Н.С. Визуализация строения поверхностных слоев на основе фокусировки отраженных электронов

117

Володько В.Г., Голубева Н.Г. Радиационно-стимулированная диффузия атомов кислорода в диоксиде циркония, облученном ионами гелия

122

Новые приборы

127