Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://www.issp.ac.ru/journal/surface/1997/06-97
Дата изменения: Mon Mar 22 15:58:47 2004 Дата индексирования: Tue Oct 2 11:14:22 2012 Кодировка: Windows-1251 Поисковые слова: п п п п п п п п п п п п р п р п р п |
Содержание
Номер 6, 1997
XXVI МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФИЗИКЕ
ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ С КРИСТАЛЛАМИ |
|
Кашлев Ю.А., Садыков Н.М. Каналирование, квазиканалирование и хаотическое движение быстрых
частиц в кристаллах. Локальное уравнение Больцмана
и анализ кинетических эффектов |
5 |
Высоцкий В.И" Максюта Н.В. Поверхностное каналирование атомов за счет сил Ван-дер-Ваальса |
11 |
Гелфорт С., Керков X., Штолле
Р., Петухов В.П.,
Романовский Е.А. 21-осцилляции в сечениях
электронного взаимодействия и тормозной способности тяжелых ионов низких
энергий при их прохождении через газы |
14 |
Высоцкий В.И"
Бугров В.П., Корнилова А.А.,
Максюта Н.В. Каналированный режим движения и
особенности взаимодействия с ядрами быстрых ионизационных электронов,
образуемых в кристаллической матрице при ее облучении мощным лазерным
импульсом |
20 |
Бакаев В.А., Богданов С.Д.) Богданов
С.С.) Дудкин В.Е" Журкин Е.Е., Космач В.Ф., Кузьмин
В.А., Нефедов Н.А., Плющев В.А., Хассан Д.Х.
Экспериментальное исследование пучков тяжелых ядер |
31 |
Бакаев В.А., Бердников Я.А., Богданов С.Д., Космач
В.Ф. Влияние вторичных заряженных частиц на распределение дозы в
кварц-полимерных образцах |
35 |
Панченко О.Ф., Панченко Л.К. Низкоэнергетическая спектроскопия полного тока
и вторичной электронной эмиссии при электронном облучении кристаллов |
38 |
Дмитриенко В.Д., Насонов Н.Н.
Генерация линейно-поляризованного гамма-излучения в процессе
некоррелированных столкновений релятивистских электронов с атомными цепочками
толстого кристалла |
49 |
Александров
В.А., Филиппов Г.М.
Численный анализ смешанного состояния электрона в проходящем через углеродную
пленку атоме водорода |
57 |
Александров
В.А., Филиппов Г.М.
Роль поляризации в задаче рассеяния атома вблизи поверхности металла |
62 |
Гусаков Г.А., Новиков А.П., Анищик В.М. Зависимость
критической температуры ионно-индуцированной кристаллизации кремния от
условий имплантации |
65 |
Комаров Ф.Ф., Комаров А.Ф.,
Миронов А.М. Выбор оптимальных режимов для
процесса ионно-ассистируемого осаждения слоев на
металлах |
68 |
Егоров В.К., Кононенко О.В., Кондратьев О.С. Проявление пористости пленочных покрытий в спектрах РОР |
73 |
Углов В.В., Русальский Д.П., Ходасевич В.В., Кенигер А.*, Хаммер К.*, Раушенбах Б.* Синтез антифрикционных структур двойной
имплантации углерода и циркония |
86 |
Ходасевич В.В., Солодухин И.А., Приходько И.И., Углов В.В. Влияние предварительного облучения
ионами Ar+ на диффузионные процессы в
системах Ti/Ni и Ti/Fe |
93 |
Углоб В.В., Кулешов А.К.,
Кенигер А.*, Хаммер К.*,
Раушенбах Б.* Нанотвердость
железа при моно- и двойной имплантации азота и
бора |
98 |
Атабаев Б.Г., Раджабов
Ш.С" Саидханова Н.Г. Распыление ионных кристаллов LiF, KCl, SiC при бомбардировке многозарядными ионами |
103 |
Атабаев Б.Г., Джаббарганов Р" Абдуллаев А.Х., Абдуллаев М.И. Исследование образования отрицательно-ионных и
нейтральных кластеров при распылении NaCl и KCl ионами цезия |
110 |
Гомоюнова М.В., Пронин И.И.,
Фараджев Н.С. Визуализация
строения поверхностных слоев на основе фокусировки отраженных электронов |
117 |
Володько В.Г., Голубева
Н.Г. Радиационно-стимулированная диффузия атомов кислорода в диоксиде
циркония, облученном ионами гелия |
122 |
Новые приборы |
127 |