Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://www.issp.ac.ru/docs/gantmakher_ras.html
Дата изменения: Fri Apr 18 21:06:57 2003
Дата индексирования: Tue Oct 2 00:36:13 2012
Кодировка: koi8-r

Поисковые слова: arp 220
Institute of Solid State Physics in Chernogolovka, Russia - Members of RAN

Назад к разделу Структура


Гантмахер Всеволод Феликсович
доктор физ.-мат. наук
профессор
член-корреспондент РАН

В. Ф. Гантмахер родился 8 октября 1935 года. В 1959 году окончил Московский физико-технический институт и начал работать в Институте физических проблем (теперь имени П.Л.Капицы) Академии Наук СССР под руководством Ю.В.Шарвина. В 1964 г., после защиты кандидатской диссертации, стал сотрудником вновь создававшегося Института физики твердого тела АН СССР в Черноголовке. Пока шло строительство зданий нового института, В.Ф.Гантмахер продолжал работать в лабораториях ИФП, что позволило ему защитить в 1967 году докторскую диссертацию под названием "Размерные эффекты в металлах". С 1968 года В.Ф.Гантмахер живет и работает в Черноголовке, в ИФТТ, где создал и в течение почти 30 лет руководил лабораторией электронной кинетики.

Начиная с 1964 года, В.Ф.Гантмахер преподает в Московском физико-теническом институте, а с 2000 года и в Московском государственном университете. С 1990 года он главный редактор одного из ведущих российских физических журналов "Письма в ЖЭТФ". В 1997 году был избран членом-корреспондентом Российской академии наук.

В первый период своей научной жизни В.Ф.Гантмахер работал в области так называемой фермиологии, занимаясь в основном электродинвмикой твердотельной плазмы. Им был экспериментально открыт принципиально новый тип проникновения электромагнитных волн в металлы в магнитном поле: аномальное проникновение поля и тока, выражающееся в возникновении в глубине металла системы "всплесков" - дополнительных скин-слоев - на расстояниях от поверхности, определяемых характерными размерами электронных траекторий. В магнитном поле, перпендикулярном поверхности металла, им был экспериментально обнаружен другой тип аномального проникновения электромагнитного поля в металл в виде специфической стоячей спиральной волны. Это явление получило впоследствии в литературе название волны Гантмахера-Канера. Результаты этого периода были подытожены в двух обзорных статьях: в Progr.Low Temp.Phys.5 (под ред. C.J.Gorter, 1967) и в Успехах физических наук в 1968 году (совместно с Э.А.Канером).

Постепенно центр научных интересов В.Ф.Гантмахера сместился в область изучения электронного рассеяния. Им были измерены вероятности электрон-фононного рассеяния в олове, индии, висмуте, сурьме, вольфраме, молибдене и меди и объяснены особенности электрон-фононного рассеяния в полуметаллах. Были измерены также дифференциальные сечения рассеяния электронов на дислокациях в меди. Это период завершился написанием совместно с И.Б.Левинсоном книги "Рассеяние электронов в металлах и полупроводниках", Москва, "Наука", 1984. В 1987 году эта книга вышла в издательстве North-Holl. на английском языке.

Следующей областью научных исследований В.Ф.Гантмахера было изучение низкотемпературного транспорта в фотовозбужденных полупроводниках. Здесь совместно с В.Н.Зверевым им был обнаружен в германии новый вид осцилляций электрических свойств в магнитном поле - магнитопримесные осцилляции, определяемые резонансным неупругим рассеянием носителей на мелких примесных центрах. Эти исследования подытожены в написанном вместе с В.Н.Зверевым обзоре в книге 'Landau Level Spectroscopy' (под ред. G.Landvehr and E.Rashba, North-Holl.,1991).

В последнее время В.Ф.Гантмахер успешно занимается изучением транспортных свойств высокорезистивных металлических сплавов и семейств материалов, к которым принадлежат высокотемпературные сверхпроводники. В частности, им были обнаружены фрактальные закономерности при трансформации метастабильных сплавов, приводящие к специфической "броуновской" форме токовых каналов в материале, находящемся в окрестности перехода металл-диэлектрик. Им также была доказана особая роль отрицательного магнетосопротивления как индикатора вклада одночастичного туннелирования в сверхпроводящий отклик материалов в окрестности перехода сверхпроводник-диэлектрик. Последнее достижение В.Ф.Гантмахера в этой области - доказательство существования разрушаемых магнитным полем локализованных пар на диэлектрической стороне перехода сверхпроводник-диэлектрик.

Выдержки из списка публикаций В. Ф. Гантмахера