Группа электрохимических исследований батарей ТОТЭ

Группа электрохимических исследований мембранно-электродных батарей ТОТЭ (руководитель д.ф.-м.н. С.И. Бредихин):

Проведение электрохимических испытаний батарей ТОТЭ
Проведение краткосрочных и долгосрочных ресурсных испытаний батарей ТОТЭ

Установка для электрохимических испытаний батарей ТОТЭ Evaluator C-1000.

Группа времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии

Группа времяпролетной вторичной ионной масс-спектрометрии Лаборатории спектроскопии дефектных структур (руководитель д.ф.-м.н. С.И. Бредихин):

Элементный анализ (от водорода до сложных молекул с массами до 10,000) поверхности металлов, полупроводников, диэлектриков, органических материалов, керамик, композиционных материалов.
Получение изображения поверхности в элементном контрасте
Исследование профиля элементного и молекулярного состава по глубине образца (для слоистых структур, межфазных границ, профилей легирования и диффузии)
Получение трехмерных картин распределения элементов

Масс-спектрометр времяпролетный вторично-ионный TOF-SIMS.5 - 100P.

Группа сканирующей электронной микроскопии

Группа сканирующей электронной микроскопии Лаборатории структурных исследований (руководитель к.ф.-м.н. Д.В. Матвеев):

Проведение исследований в любых областях материаловедения, в области нано- и биотехнологий
Исследования структуры поверхности и элементного состава полупроводников, металлов, диэлектриков
Изображение поверхности
Определение элементного состава материала

Сканирующий микроскоп высокого разрешения SUPRA 50VP с системой микроанализа INCA Energy+ (Oxford).

Группа специального рентгеноструктурного анализа

Группа специального рентгеноструктурного анализа Лаборатории структурных исследований (руководитель к.ф.-м.н. С.С. Хасанов):

Структурная характеризация различных материалов и изделий из них
Рентгеновская дифрактометрия поликристаллических и монокристаллических материалов и изделий из них
Исследование структурных характеристик методом полнопрофильного анализа порошковых ренгендифракционных спектров
Атомно-кристаллическая структура и свойства твердых тел
Рентгеноструктурный анализ монокристаллов
Дифракционный анализ структурно-неупорядоченных состояний

Рентгеновский порошковый дифрактометр с позиционно-чувствительным детектором и с первичным монохроматором для CuKa1, SIEMENS D500.
Рентгеновский монокристальный дифрактометр с двухкоординатным CCD детектором, Oxford diffraction - Gemini R, XXH-168/07.

Группа электрохимических исследований мембранно-электродных блоков ТОТЭ

Группа электрохимических исследований мембранно-электродных блоков ТОТЭ (руководитель д.ф.-м.н. С.И. Бредихин):

Проведение электрохимических испытаний мембранно-электродных блоков ТОТЭ
Проведение краткосрочных и долгосрочных ресурсных испытаний мембранно-электродных блоков ТОТЭ

Установка для электрохимических испытаний мембранно-электродных блоков ТОТЭ TrueXessory-HT.

Группа дилатометрии

Группа дилатометрии (руководитель к.х.н. В.В. Хартон). Измерение следующих величин:

Коэффициент термического расширения
линейное термическое расширение
истинный температурный коэффициент линейного расширения
температуры спекания
температура фазовых превращений
точки размягчения
температуры распада
температуры стеклования.

Вертикальный дилатометр L75V.

Группа электронно-ионной микроскопии и электронно-зондового анализа

Группа электронно-ионной микроскопии и электронно-зондового анализа Сектора элементного и структурного анализа (руководитель к.ф.-м.н. С.С. Хасанов):

Получение изображения поверхности во вторичных (SE), обратно рассеянных (BSE) прошедших (STEM) электронах, во вторичных ионах
Элементный анализ; получение карт распределения элементов по поверхности образца
Исследование элементного состава по глубине образца
Изготовление образцов для просвечивающей электронной микроскопии
Создание микроструктур на поверхности образцов

Электронно-ионный микроскоп Dual Beam VERSA 3D HighVac

Группа рентгеновской фотоэлектронной спектрометрии

Группа рентгеновской фото электронной спектроскопии (руководитель д.ф.-м.н. А.М. Ионов):

Элементный качественный и количественный состав поверхности (чувствительность - 0.1 ат.%, РФЭС, ОЖЕ-спектроскопия);
Химические состояния элементов на поверхности (РФЭС);
Глубина анализа - до 3 нм;
Электронная структура валентной зоны (УФЭС);
Получение изображения поверхности в элементном контрасте - картирование (пространственное разрешение в методе РФЭС - 5 мкм, в ОЖЕ-спектроскопии - 100 нм);
Получение изображения поверхности методом СЭМ (пространственное разрешение- 100 нм);
Исследование атомной структуры поверхности монокристаллов (ДМЭ);
Возможность компенсации поверхностного заряда при проведении исследования поверхности высокоомных образцов;
Возможность очистки и послойного анализа поверхности методом травления поверхности ионами аргона;
Температурный режим исследований: -100^oC ? +600^oC;

Электронный спектрометр Kratos AXIS Ultra DLD

Группа инфракрасной и рамановской спектроскопии

Группа инфракрасной и рамановской спектроскопии Лаборатории оптической прочности и диагностики кристаллов (руководитель к.ф.-м.н. А.В. Баженов):

Инфракрасная спектроскопия
Комбинационное рассеяние света
Исследования спектров оптических фононов, электронных переходов в объемных материалах и наноструктурах на основе полупроводников, металлов
Спектры отражения и пропускания инфракрасного света
Локальные спектры отражения и пропускания инфракрасного света

Инфракрасный Фурье-спектрометр IFS 113v.
Инфракрасный микроскоп Фурье-спектрометра IFS 113v.
Спектрометр DILOR Microdil 28.

Группа спектральных исследований

Группа спектральных исследований Лаборатории неравновесных электронных процессов (руководитель д.ф.-м.н. Л.В. Кулик):

Исследования спектров возбуждений различных систем. Анализ рамановских спектров возбуждений различных веществ
Измерения время-разрешенных спектров люминесценции на базе фемтосекундного лазера (Tsunami) и скоростной камеры (streak camera Hamamatsu C5680)

Фемтосекундный лазер (Tsunami), скоростная камера (streak camera Hamamatsu C5680).
Тройной рамановский спектрометр для исследования спектров возбуждений различных систем Ramanor и Monospec-HG2S.

Группа сканирующей зондовой микроскопии

Группа сканирующей зондовой микроскопии сектора Нанолитографии и лаборатории Спектроскопии Поверхности Полупроводников (руководитель к.ф.-м.н. Божко С.И.)

Исследование морфологии поверхности и электронных спектров полупроводников, металлов и топологических изоляторов;
Исследование процессов роста ультратонких слоев и нанокластеров на поверхности полупроводников и топологических изоляторов;

Группа оптической литографии

Группа оптической литографии Сектора нанолитографии (руководитель д.ф.-м.н. С.И. Дорожкин):

Изучение проблем структурирования многослойных тонкопленочных гетероструктур на основе металлов, полупроводников и диэлектриков
Создание новых и развитие существующих технологий и методик оптической и электронной нанолитографии
Изготовление экспериментальных тонкопленочных наноструктур

Технологически чистое помещение Trackpore Room.
Оптическая литография (MJB-4 SUSS MICROTEC).

Группа плазмохимического травления и осаждения

Группа плазмохимического травления и осаждения:

проведение презиционного направленного и изотропного травления материалов в атмосфере фтористой плазмы (для кремния и его соединений, включая Бош-процесс)
проведение презиционного направленного и изотропного травления материалов в атмосфере хлористой плазмы (для соединений типа III-V и II-VI, металлов, оксидов).

Группа термогравиметрического анализа

наверх