Группа электрохимических исследований батарей ТОТЭ
Группа электрохимических исследований мембранно-электродных батарей ТОТЭ (руководитель д.ф.-м.н. С.И. Бредихин):
- Проведение электрохимических испытаний батарей ТОТЭ
- Проведение краткосрочных и долгосрочных ресурсных испытаний батарей ТОТЭ
Установка для электрохимических испытаний батарей ТОТЭ Evaluator C-1000.
Группа времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии
Группа времяпролетной вторичной ионной масс-спектрометрии Лаборатории спектроскопии дефектных структур (руководитель д.ф.-м.н. С.И. Бредихин):
- Элементный анализ (от водорода до сложных молекул с массами до 10,000) поверхности металлов, полупроводников, диэлектриков, органических материалов, керамик, композиционных материалов.
- Получение изображения поверхности в элементном контрасте
- Исследование профиля элементного и молекулярного состава по глубине образца (для слоистых структур, межфазных границ, профилей легирования и диффузии)
- Получение трехмерных картин распределения элементов
Масс-спектрометр времяпролетный вторично-ионный TOF-SIMS.5 - 100P.
Группа сканирующей электронной микроскопии
Группа сканирующей электронной микроскопии Лаборатории структурных исследований (руководитель к.ф.-м.н. Д.В. Матвеев):
- Проведение исследований в любых областях материаловедения, в области нано- и биотехнологий
- Исследования структуры поверхности и элементного состава полупроводников, металлов, диэлектриков
- Изображение поверхности
- Определение элементного состава материала
Сканирующий микроскоп высокого разрешения SUPRA 50VP с системой микроанализа INCA Energy+ (Oxford).
Группа специального рентгеноструктурного анализа
Группа специального рентгеноструктурного анализа Лаборатории структурных исследований (руководитель к.ф.-м.н. С.С. Хасанов):
- Структурная характеризация различных материалов и изделий из них
- Рентгеновская дифрактометрия поликристаллических и монокристаллических материалов и изделий из них
- Исследование структурных характеристик методом полнопрофильного анализа порошковых ренгендифракционных спектров
- Атомно-кристаллическая структура и свойства твердых тел
- Рентгеноструктурный анализ монокристаллов
- Дифракционный анализ структурно-неупорядоченных состояний
Рентгеновский порошковый дифрактометр с позиционно-чувствительным детектором и с первичным монохроматором для CuKa1, SIEMENS D500.
Рентгеновский монокристальный дифрактометр с двухкоординатным CCD детектором, Oxford diffraction - Gemini R, XXH-168/07.
Группа электрохимических исследований мембранно-электродных блоков ТОТЭ
Группа электрохимических исследований мембранно-электродных блоков ТОТЭ (руководитель д.ф.-м.н. С.И. Бредихин):
- Проведение электрохимических испытаний мембранно-электродных блоков ТОТЭ
- Проведение краткосрочных и долгосрочных ресурсных испытаний мембранно-электродных блоков ТОТЭ
Установка для электрохимических испытаний мембранно-электродных блоков ТОТЭ TrueXessory-HT.
Группа дилатометрии
Группа дилатометрии (руководитель к.х.н. В.В. Хартон). Измерение следующих величин:
- Коэффициент термического расширения
- линейное термическое расширение
- истинный температурный коэффициент линейного расширения
- температуры спекания
- температура фазовых превращений
- точки размягчения
- температуры распада
- температуры стеклования.
Вертикальный дилатометр L75V.
Группа электронно-ионной микроскопии и электронно-зондового анализа
Группа электронно-ионной микроскопии и электронно-зондового анализа Сектора элементного и структурного анализа (руководитель к.ф.-м.н. С.С. Хасанов):
- Получение изображения поверхности во вторичных (SE), обратно рассеянных (BSE) прошедших (STEM) электронах, во вторичных ионах
- Элементный анализ; получение карт распределения элементов по поверхности образца
- Исследование элементного состава по глубине образца
- Изготовление образцов для просвечивающей электронной микроскопии
- Создание микроструктур на поверхности образцов
Электронно-ионный микроскоп Dual Beam VERSA 3D HighVac
Группа рентгеновской фотоэлектронной спектрометрии
Группа рентгеновской фото электронной спектроскопии (руководитель д.ф.-м.н. А.М. Ионов):
- Элементный качественный и количественный состав поверхности (чувствительность - 0.1 ат.%, РФЭС, ОЖЕ-спектроскопия);
- Химические состояния элементов на поверхности (РФЭС);
- Глубина анализа - до 3 нм;
- Электронная структура валентной зоны (УФЭС);
- Получение изображения поверхности в элементном контрасте - картирование (пространственное разрешение в методе РФЭС - 5 мкм, в ОЖЕ-спектроскопии - 100 нм);
- Получение изображения поверхности методом СЭМ (пространственное разрешение- 100 нм);
- Исследование атомной структуры поверхности монокристаллов (ДМЭ);
- Возможность компенсации поверхностного заряда при проведении исследования поверхности высокоомных образцов;
- Возможность очистки и послойного анализа поверхности методом травления поверхности ионами аргона;
- Температурный режим исследований: -100oC ? +600oC;
Электронный спектрометр Kratos AXIS Ultra DLD
Группа инфракрасной и рамановской спектроскопии
Группа инфракрасной и рамановской спектроскопии Лаборатории оптической прочности и диагностики кристаллов (руководитель к.ф.-м.н. А.В. Баженов):
- Инфракрасная спектроскопия
- Комбинационное рассеяние света
- Исследования спектров оптических фононов, электронных переходов в объемных материалах и наноструктурах на основе полупроводников, металлов
- Спектры отражения и пропускания инфракрасного света
- Локальные спектры отражения и пропускания инфракрасного света
Инфракрасный Фурье-спектрометр IFS 113v.
Инфракрасный микроскоп Фурье-спектрометра IFS 113v.
Спектрометр DILOR Microdil 28.
Группа спектральных исследований
Группа спектральных исследований Лаборатории неравновесных электронных процессов (руководитель д.ф.-м.н. Л.В. Кулик):
- Исследования спектров возбуждений различных систем. Анализ рамановских спектров возбуждений различных веществ
- Измерения время-разрешенных спектров люминесценции на базе фемтосекундного лазера (Tsunami) и скоростной камеры (streak camera Hamamatsu C5680)
Фемтосекундный лазер (Tsunami), скоростная камера (streak camera Hamamatsu C5680).
Тройной рамановский спектрометр для исследования спектров возбуждений различных систем Ramanor и Monospec-HG2S.
Группа сканирующей зондовой микроскопии
Группа сканирующей зондовой микроскопии сектора Нанолитографии и лаборатории Спектроскопии Поверхности Полупроводников (руководитель к.ф.-м.н. Божко С.И.)
- Исследование морфологии поверхности и электронных спектров полупроводников, металлов и топологических изоляторов;
- Исследование процессов роста ультратонких слоев и нанокластеров на поверхности полупроводников и топологических изоляторов;
Группа оптической литографии
Группа оптической литографии Сектора нанолитографии (руководитель д.ф.-м.н. С.И. Дорожкин):
- Изучение проблем структурирования многослойных тонкопленочных гетероструктур на основе металлов, полупроводников и диэлектриков
- Создание новых и развитие существующих технологий и методик оптической и электронной нанолитографии
- Изготовление экспериментальных тонкопленочных наноструктур
Технологически чистое помещение Trackpore Room.
Оптическая литография (MJB-4 SUSS MICROTEC).
Группа плазмохимического травления и осаждения
Группа плазмохимического травления и осаждения:
- проведение презиционного направленного и изотропного травления материалов в атмосфере фтористой плазмы (для кремния и его соединений, включая Бош-процесс)
- проведение презиционного направленного и изотропного травления материалов в атмосфере хлористой плазмы (для соединений типа III-V и II-VI, металлов, оксидов).