Лаборатория Полупроводниковой Люминесценции и Инжекционных Излучателей
Основное направление деятельности:
Разработка, исследование и изготовление мощных
полупроводниковых лазеров, излучающих в диапазоне длин волн 800 - 1800 нм.
Основное оборудование:
- Установка МОС-гидридной эпитаксии EMCORE GS/3100
- Установка МОС-гидридной эпитаксии EPIQUIP VP-50RP
- Полный пост-ростовой комплекс изготовления лазерных гетероструктур, включающий:
- Фотолитография
- Химическое и плазмохимическое травление (установка "ALCATEL")
- Напыление диэлектрических покрытий
- Напыление омических контактов
- Установки монтажа и корпусирования лазерных диодов
- Характеризация и тестирование лазерных диодов
- Деградационные стенды
Основные преимущества:
- 30-летний опыт работы по разработке и изготовлению полупроводниковых лазеров
- Наличие полного цикла по изготовлению диодных лазеров - от роста гетероструктур до готовых приборов
- Гибкость производственного процесса - возможность разработки и изготовления диодных лазеров с требуемыми параметрами
Основное оборудование:
- Одномодовые Фабри-Перо лазеры:
- Диапазон длин волн - 800 - 1800 нм
- Непрерывная излучаемая рабочая мощность - до 200 мВт
- Типы корпусов: SOT-148 (ø 9 мм), открытый теплоотвод, носитель
|  
|
- Многомодовые Фабри-Перо лазеры:
- Диапазон длин волн - 800 - 1800 нм
- Непрерывная излучаемая рабочая мощность - до 4 Вт
- Импульсная излучаемая рабочая мощность - до 100 Вт
- Типы корпусов: HHL, открытый теплоотвод, носитель
| 
|
Основные применения:
- Накачка волоконных и твердотельных лазеров
- Телекоммуникации
- Метрология (локация, контроль волокна, дальнометрия)
- Медицина (терапия, акупунктура, микрохирургия)
- Технологические процессы (резка и сварка металлов, гравировка)
- Военная промышленность (приборы ночного видения, дистанционные пускатели)
Научно-образовательные курсы, разработанные в рамках проекта "Разработка принципов генерации мощного импульсного лазерного излучения в полупроводниковых наногетероструктурах InGaAs/AlGaAs/GaAs с эпитаксиально-интегрированными тиристорными переключателями", выполненного при поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации, соглашение 8694
-
Ознакомление с физическими и технологическими принципами работы мощных импульсных полупроводниковых лазеров с интегрированным тиристорным переключателем
-
Мощные импульсные полупроводниковые лазеры - физические основы и практическое применение
Заведующий лабораторией
д.ф.-м.н. Илья Сергеевич Тарасов
Контакты:
Никита Александрович Пихтин
Тел: + 7-(812)-292-7379
Факс: +7-(812)-292-7379
|
