Академик РАН Келдыш Л.В., 1931 года рождения, выдающийся теоретик физики. Ему принадлежит целый ряд оригинальных идей, оказавших влияние на развитие физики полупроводников, взаимодействия сильного электромагнитного излучения с атомами и твердыми телами, фазовых переходов в электрон-дырочных системах, теории квантовых систем многих частиц и др.

Келдыш Л.В. - ученый мирового класса, талантливый организатор науки и педагог. Он ввел понятие о неупругом, т.е. сопровождаемом испусканием или поглощением фононов (квантов колебаний кристаллической решетки), квантовом туннелировании электронов в кристаллах - эффекте, который позже был открыт экспериментально и стал основой нового типа устройств. Эти работы стали началом неупругой туннельной спектроскопии (исследования фононов, магнонов и других квазичастиц в кристаллах по их участию в туннельном токе). Аналогичные представления Келдыш Л.В. применил к процессу поглощения света полупроводниками в присутствии внешнего электрического поля и показал, что при этом существенно изменяется спектр поглощения - становится возможным поглощение фотонов, для которых в отсутствие электрического поля кристалл прозрачен. Такой сдвиг края поглощения в электрическом поле ('эффект Франца-Келдыша') вскоре был открыт экспериментально и нашел широкое применение в различных оптоэлектронных устройствах и оптической спектроскопии полупроводников.

При изучении Келдышем Л.В. воздействия генерируемых лазерами сильнейших электромагнитных полей в оптическом диапазоне частот на электроны, как в твердых телах, так и в атомах, оказалось, что два явления - туннельный эффект и фотоэффект - по существу являются предельными случаями одного и того же более общего процесса: туннельный эффект - предельный случай сильных полей и относительно низких частот, фотоэффект - предел слабых полей и высоких частот; при изменении параметров воздействующего поля они переходят друг в друга. Результаты этой работы были подтверждены последующими экспериментами и стали основой современного понимания взаимодействия мощного лазерного излучения с атомами, молекулами и твердыми телами. Одно из направлений, которое выросло из этой работы - генерация ультракоротких, аттосекундных импульсов. Из-за очень сильной нелинейности процесса туннельной ионизации туннельные переходы происходят в основном в коротком временном интервале, когда поле волны достигает максимума. Поэтому в сильных полях процесс может быть очень быстрым - порядка атомных времен, что дает возможность исследовать внутриатомные процессы в аттосекундном диапазоне. Для описания неравновесных состояний в квантовых многочастичных системах Келдыш Л.В. создал теоретический аппарат, основанный на использовании так называемых неравновесных функций Грина. Разработанная академиком Келдышем Л.В. диаграммная техника ('техника Келдыша') находит широкое применение в разных разделах теоретической физики: физике низких температур и квантовых жидкостей, включая сверхпроводимость, физике металлов, полупроводников и наноструктур, лазерной физике, квантовой теории поля и квантовой космологии. Высказанное Келдышем Л.В. предположение о том, что основным состоянием неравновесной электрон-дырочной системы в сильно возбужденных полупроводниках должна быть не система экситонов, а коллективное связанное состояние типа жидкого металла ('электрон-дырочная жидкость'), было подтверждено, обнаружено и детально изучено в германии и в кремнии. Без выдвинутой Келдышем Л.В. идеи о возможности моделирования электронных свойств полупроводника ультразвуком (по сути, идеи создания сверхрешеток - целенаправленного изменения законов движения электронов в кристаллах полупроводников с помощью периодического изменения их состава или структуры) немыслима современная физика твердого тела.

Много времени академик Келдыш Л.В. уделял педагогической деятельности - он профессор Физического факультета МГУ им. М.В. Ломоносова, более двадцати лет заведовал Кафедрой квантовой физики МГУ им. М.В. Ломоносова. Келдыш Л.В. возглавлял Теоретический отдел ФИАН, в 1989 г. стал директором ФИАН. В 1991-1996 гг. занимал пост академика-секретаря Отделения физики и астрономии РАН, делая все возможное для сохранения научной структуры страны.