Научные публикации кафедры полупроводников за 1996 год

Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/list96.html
Дата изменения: Wed Mar 25 18:35:06 2015
Дата индексирования: Sat Apr 9 23:11:58 2016
Кодировка: koi8-r
Поисковые слова: электрохимии

Статьи

В.С. Днепровский. Нелинейные оптические свойства полупроводниковых квантовых проводов и точек. Успехи физических наук, т. 166, с. 432-434 (1996).
V. Dneprovskii. Strong optical nonlinearities of semiconductor quantum wires and dots. Laser Optics, v. 6, No. 6, p. 997-1002 (1996).
V. Dneprovskii, N. Gushina. E. Zhukov, V. Karavanskii, V. Poborchii, I. Salamatina. Nonlinear optical properties of semiconductor quantum wires and dots. Proc. 3d Int. Symp. on Quantum confinement: Physics and Application (Electrochemical Society Proc. 95-17), p. 166-177 (1996).
R. Keiper, W. Wang, I.P. Zvyagin. Effect of quantum confinement on impurity hopping in quantum wells. Phys. Stat. Solidi B, v. 193, No. 1, p. 113-118 (1996).
A.G. Kazanskii, I.A. Kurova, I.P. Zvyagin, D.G. Yarkin. Non-monotone kinetics of persistent photoconductivity in compensated a-Si:H films. J. Non-Cryst. Solids, v. 198-200, No. 1, p. 470-473 (1996).
И.П. Звягин, В. Ван. Частотная зависимость проводимости по примесям в квантовой яме. Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физика. Астрономия. т. 37, в. 6, с. 69-73 (1996).
В. Киназе, И.П. Звягин. К теории проводимости сегнетокерамических композитов. Изв. РАН. Сер. физ., т. 60, в. 10, с. 69-72 (1996).
А.Г. Казанский, Д.Г. Яркин. Влияние длительного освещения на свойства компенсированного a-Si:H. Физ. и техн. полупроводн., т. 30, в. 4, с. 739-744 (1996).
И.А. Курова, Н.В. Мелешко, Э.В. Ларина, О.П. Хлебникова, А.Л. Громадин. Влияние высокотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, легированных фосфором. Физ. и техн. полупроводн., т. 30, в. 1, с. 12-16 (1996).
И.А. Курова, О.Н. Мирошник, Н.Н. Ормонт. Влияние высокотемпературного отжига на электрические свойства компенсированных пленок a-Si:H, содержащих бор и фтор. Физ. и техн. полупроводн., т. 30, в. 4, с. 727-729 (1996).
В.А. Морозова, Т.В. Семененя, С.Ф. Маренкин, О.Г. Кошелев, С.Ф. Раухман, С.М. Лосева. Оптические переходы в структурно совершенных нелегированных монокристаллах CdAs2 на краю собственного поглощения и в примесной области. Неорг. материалы, т. 32, в. 1, с. 17-22 (1996).
О.Г. Кошелев, Т.В. Семененя, В.А. Морозова, С.Ф. Маренкин, А.Б. Маймасов. Диэлектрическая проницаемость диарсенида цинка в СВЧ диапазоне. Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физика. Астрономия. т. 37, в. 4, с. 102-105 (1996).
В.А. Морозова, Т.В. Семененя, С.Ф. Маренкин, О.Г. Кошелев, М.В. Чукичев. Серия линий свободного экситона в спектрах пропускания диарсенида цинка. Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физика. Астрономия. т. 37, в. 5, с. 86-89 (1996).
О.Г. Кошелев, В.А. Морозова. Новый метод определения фотоэлектрических параметров полупроводниковых пластин с p-n переходами. Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физика. Астрономия. т. 37, в. 6, (1996).
В.А. Морозова, Т.В. Семененя, С.Ф. Маренкин, О.Г. Кошелев, С.Ф. Раухман, С.М. Лосева. О спектрах фототока короткого замыкания диарсенида кадмия. Неорг. материалы, т. 32, в. 11, с. 1329-1332 (1996).
O.G. Koshelev, V.A. Morozova. A nondestructive method for measuring the photoelectric parameters of wafers with p-n junctions. Solid State Electronics, v. 39, No. 9, p. 1379-1383 (1996).
М.Д. Кротова, Ю.В. Плесков, О.Г.Кошелев, А.М. Морозов. Особенности фототока на n-кремниевом фотоаноде, покрытом защитным слоем проводящих оксидов. Электрохимия, в. 12 (1996).
А.А. Опаленко, А.А. Корнилова, О.Г. Кошелев. Дифракция мессбауэровского излучения в совершенном кристалле кремния при воздействии ультразвука. Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физика. Астрономия, т. 37, в. 2, с. 102-104 (1996).
А.И. Лебедев, И.А. Случинская, В.Н. Демин, И. Манро. Исследование методом EXAFS-спектроскопии влияния примесей на фазовый переход в GeTe. Известия РАН, сер. физ., т. 60, в. 10, с. 46-51 (1996).
А.И. Лебедев, И.А. Случинская, В.Н. Демин, И. Манро. Нецентральность примсных атомов Pb и Sn, индуцированная сильным локальным напряжением в решетке GeTe. Письма в ЖЭТФ, т. 63, в. 8, с. 600-603 (1996).
В.В. Вавилова, Ю.К. Ковнеристый, А.И. Лебедев, В.В. Михайлин, Н.А. Палий, А.П. Рогалев. Исследование аморфных сплавов Re87Ta13 и Re48W52 методом EXAFS-спектроскопии. Докл. АН, т. 348, в. 2, с. 197-200 (1996).
А.И. Лебедев, И.А. Случинская, В.Н. Демин, И. Манро. Исследование методом EXAFS-спектроскопии влияния примесей на фазовый переход в GeTe. Изв. РАН, сер. физическая, т. 60, в. 10, с. 46-52 (1996).
А.Э. Юнович. Светодиоды на основе гетероструктур из нитрида галлия и его твердых растворов. Светотехника, в. 5/6, с. 2-7 (1996).
K.G. Zolina, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, S. Nakamura. Luminescence spectra of superbright blue and green InGaN/AlGaN/GaN light emitting diodes. MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research, v. 1, Art. 11 (1996).
А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. Измерения мощности излучения голубых и зеленых InGaN/AlGaN/GaN светодиодов с помощью фотопреобразователей из аморфного кремния. Письма в ЖТФ, т. 22, в. 23, с. 82-86 (1996).
A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, A.G. Belov, V.M. Lakeenkov, L.M. Liberant, N.A. Smirnova. Atomic configuration and far-infrared optical spectra of lattice vibrations of Zn-Te and Cd-Te modes in CdxZn1-xTe (x=0.2). J. Cryst. Growth, v. 159, No. 1-4, p. 186-190 (1996).
А.И. Белогорохов, В.А. Караванский, Л.И. Белогорохова. Взаимосвязь между сигналом фотолюминесценции и поверхностными состояниями пористого кремния, в том числе "свободных" пленок пористого кремния. ФТП, т. 30, в. 7, с. 1177-1185 (1996).

Тезисы докладов и публикации в трудах конференций

V. Dneprovskii, N. Gushina, V. Karavanskii, V. Poborchii, I. Salamatina, E. Zhukov. Nonlinear optical properties of semiconductor quantum wires. 9th Int. Conf. on Superlattices, Microstructures and Microdevices (Liege, Belgium, 1996), Abstract TuP-77.
V. Dneprovskii, V. Karavanskii, V. Poborchii, I. Salamatina, E. Zhukov. Nonlinear optical properties of semiconductor quantum wires. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Devices" (St.-Petersburg, 1996). Abstracts, p. 278-281.
V. Dneprovskii, V. Karavanskii, V. Poborchii, I. Salamatina, E. Zhukov. Picosecond laser spectroscopy of semiconductor quantum wires. Proc. of CLEO/IQEC (Hamburg, 1996), p. 162.
В.С Днепровский, Е.А. Жуков, В.А. Караванский. Нелинейные оптические свойства полупроводниковых квантовых проводов и точек. 2-я Росс. конф. по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996), с. 65.
И.П. Звягин. Особенности прыжковой проводимости квазинизкоразмерных систем. 2-я Росс. конф. по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996), т. 2, с. 131.
В.А. Морозова, С.Ф. Маренкин, Т.В. Семененя, О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Оптические и фотоэлектрические свойства ZnAs2. 2-я Росс. конф. по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996), т. 2, с. 193.
О.Г. Кошелев, В.А. Морозова. Новый метод определения фотоэлектрических параметров полупроводниковых пластин с p-n переходами. 2-я Росс. конф. по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996), т. 2, с. 98.
В.А. Морозова, С.Ф. Маренкин, Т.В. Семененя, О.Г. Кошелев. Оптические и фотоэлектрические свойства CdAs2. 2-я Росс. конф. по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996), т. 1, с. 101.
О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Пропускание структуры диэлектрический волновод -- неоднородный полупроводник. 5-я Всеросс. школа-семинар "Волновые явления в неоднородных средах" (Москва, 1996). Тез. докл., с. 29-30.
A.I. Lebedev, I.A. Sluchinskaya, V.N. Demin, I.H. Munro. Off-centering of Pb and Sn impurities in GeTe induced by strong local stress. 9th Int. Conf. on X-ray Absorption Fine Structure (Grenoble, 1996). Program and Abstracts, PS3-82.
M.A. Terekhin, V.N. Makhov, A.I. Lebedev, I.A. Sluchinskaya, I.H. Munro, K.C. Cheung. Effect of (Ba,5p) core hole mobility on cross luminescence in fluorite crystals. Int. Conf. on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter (Prague, 1996). Abstract P1-28.
В.С. Вавилов, Р.Р. Резванов, М.В. Чукичев. Внутрицентровая люминесценция Ni2+ в полупроводниках A2B6. 2-я Росс. конф. по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996), т. 1, с. 122.
В.С. Вавилов, И.Ф. Четверикова, М.В. Чукичев и др. Катодолюминесценция нелегированных слоев GaN/6H-SiC. 2-я Росс. конф. по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996), т. 1, с. 194.
С.В. Титков, Р.М. Минеева, А.В. Сперанский, М.В. Чукичев. ЭПР и КЛ никель-содержащих центров в алмазах российских месторождений. Тез. докл. 3-го Европейского симп. по спектроскопическим методам и минералогии (Киев, 1996), с. 38.
K.G. Zolina, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, S. Nakamura. Luminescence spectra of superbright blue and green InGaN/AlGaN/GaN light emitting diodes. Abst. 1st European GaN Workshop (Rigi, Switzerland, 1996), p. 47.
K.G. Zolina, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, S. Nakamura. Luminescence spectra of superbright blue and green InGaN/AlGaN/GaN light emitting diodes. Int. Symp. on Nitrides (Saint-Malo, France, 1996). Abstr. A31.
А.Э. Юнович. Светодиоды на основе многослойных гетероструктур -- исследования, материалы, разработки, перспективы (обзор). Тез. докл. межд. конф. "Физика и промышленность" (Голицино, 1996), с. 283-284.
A.N. Kovalev, V. Kudryashov, F.I. Manyakhin, A. Turkin, K. Zolina, A.E. Yunovich. Electrical properties and luminescent spectra of InGaN/AlGaN/GaN light-emitting diodes. 23rd Int. Symp. on Semiconductor Compounds (St.-Petersburg, 1996), Abstr. 03.P3.04.
A.E. Yunovich, A.N. Kovalev, V. Kudryashov, F.I. Manyakhin, A. Turkin, K.G. Zolina. Tunnel effects in luminescence spectra of InGaN/AlGaN/GaN light-emitting diodes. 1996 MRS Fall Meeting (Boston, 1996), Symposium N, N9-37.
A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, A.B. Danilin, L.N. Liberant. Low-dimensional inhomogeneity of lattice of CdxHg1-xTe narrow-gap semiconductors. Proc. Int. Semiconductor Conf. (Bucharest, 1996), v. 2, p. 571-574.
A.I. Belogorokhov, A.B. Danilin, V.A. Karavanskii, L.I. Belogorokhova. Optical properties of photoluminescent porous gallium phosphide. Proc. Int. Semiconductor Conf. (Bucharest, 1996), v. 1, p. 225-228.
A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova. The effect of a local instability of the lead-telluride lattice on the optical properties of PbTe:In,Ga material. Proc. 23nd European Congress on Molecular Spectroscopy (EUCMOS-96, Balatonfured, Hungary, 1996).
A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova. Plasma resonance of free carriers and estimates of some of the parameters of the energy band structure of CdxHg1-xTe. Proc. 23nd European Congress on Molecular Spectroscopy (EUCMOS-96, Balatonfured, Hungary, 1996).
A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, V.M. Lakeenkov, L.M. Liberant. Dependence of local distribution on ZnTe and CdTe lattice vibration modes in CdZnTe with alloy composition. Proc. 23nd European Congress on Molecular Spectroscopy (EUCMOS-96, Balatonfured, Hungary, 1996).
A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, V.A. Karavanskii, L.M. Liberant. Far-infrared Fourier transform spectroscopy of luminescent porous GaP and InSb semiconductors. Mat. Int. Conf. on Advanced Materials for Optics and Optoelectronics (Prague, 1996).
I.A. Kurova, A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova. Features of infrared reflectivity spectra of the boron-doped layers of amorphous silicon. 1996 MRS Spring Meeting (San-Francisco, 1996).

Публикации за другие годы
Кафедра полупроводников МГУ