ИСТИНА

Polozhentsev K.

Соавторы: Aslanyan A., Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В.

2 статьи, 4 доклада на конференциях

Количество цитирований статей в журналах по данным Scopus: 0, Web of Science: 0

IstinaResearcherID (IRID): 438739

Деятельность стиль:  обычный | ГОСТ | plain | abbrv | acm | alpha | amsalpha | amsplain | apalike | ieeetr | siam

• Статьи в журналах

  • 
    • 2013 Linear Electro-Optic Effect in Electroreflectance Spectra of AlGaN/InGaN/GaN Light Emitting Diodes Structures
    • Avakyants Lev P., Aslanyan Artem E., Bokov Pavel Yu, Chervyakov Anatoly V., Polozhentsev Kirill Yu
    • в журнале Japanese Journal of Applied Physics, издательство Institute of Pure and Applied Physics (Japan), том 52, с.  08JK11 DOI
  • 
    • 2012 The difference between reflectance and electroreflectance spectra of AlGaN/GaN/InGaN LED structures
    • Avakyants L., Aslanyan A., Bokov P., Chervyakov A., Polozhentsev K.
    • в журнале Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, том 9, ? 3-4, с. 818-821 DOI

• Доклады на конференциях

  • • 2015 Electroreflectance estimation of built-in electric field inhomogeneity in active region of AlGaN/InGaN/GaN light emitting diodes (Стендовый)
    • Авторы: Avakyants L.P., Aslanyan A.E., Bokov P.Y., Chervyakov A.V., Polozhentsev K.Y.
    • 2nd International conference on enhances spectroscopies, Мессина, Италия, 12-15 октября 2015
  • • 2014 Electroreflectance from Multiple InGaN/GaN Quantum Wells: Interference Effects
    • Авторы: Avakyants L., Aslanyan A., Bokov P., Chervyakov A., Polozhentsev K.
    • 32 International Conference on Physics of Semiconductors, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014
  • • 2014 Evaluation of the Internal Electric Field Inhomogeneities in Multiple InGaN/GaN Quantum Wells Structures Using Electroreflectance Spectroscopy
    • Авторы: Avakyants L., Aslanyan A., Bokov P., Charvyakov A., Polozhentsev K.
    • International Workshop on Nitride Semiconductors IWN2014, Wroclaw, Poland, 24-29 August 2014, Польша, 2014
  • • 2012 Electrooptical effect in electrore?ectance spectra of AlGaN/InGaN/GaN LED structures
    • Авторы: Авакянц Л.П., Aslanyan A., Боков П.Ю., Червяков А.В., Polozhentsev K.
    • International Workshop on Nitride Semiconduc-tors IWN2012, Sapporo, Japan, Япония, 2012