Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://danp.sinp.msu.ru/pci2012/uchastniki_2012.htm
Дата изменения: Wed May 23 02:14:22 2012 Дата индексирования: Mon Oct 1 21:54:45 2012 Кодировка: Windows-1251 Поисковые слова: п п п п п п п п |
Список принятых докладов (авторы, основное место работы)
Минск, Белорусь |
|||||
1. |
В.В. Поплавский, А.В. Дорожко, В.А. Чумак |
Белорусский государственный технологический университет, Минск, Беларусь |
Микроструктура и состав каталитических слоев, формируемых ионно-ассистируемым осаждением платины на углеродные подложки |
||
2. |
В.В. Углов, Н.Т. Квасов, И.Л. Дорошевич |
Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь |
О магнитной структуре ферромагнитных наночастиц железа |
||
3. |
В.В. Углов, Н.Т. Квасов, В.М. Асташинский, Ю.А. Петухов, А.М. Кузьмицкий, И.Л. Дорошевич |
Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь |
Радиационная стойкость кремниевых наноструктурированных фотовольтаических элементов, полученных в компрессионной плазме |
||
4. |
А.Я. Силенко |
НИУ Институт ядерных проблем БГУ, Минск, Беларусь |
Эволюция поляризации мюония и позитрония в намагниченном веществе |
||
5. |
И.И. Ташлыкова-Бушкевич, В.С. Куликаускас, С.М. Барайшук, Ю.С. Яковенко, Д.М. Солодкий |
Белорусский госуниверситет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь |
Влияние композиционного состава поверхности на смачиваемость быстрозатвердевших фольг алюминия |
||
6. |
И.И. Ташлыкова-Бушкевич, О.В. Рябухин, С.С. Зырянов, Ф.Г. Нешов, Д.Р. Байтимиров, В.Н. Алехнович, В.Г. Шепелевич |
Белорусский госуниверситет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь |
Ядерно-физические исследования термической стабильности микроструктуры быстрозатвердевших сплавов А1-Сг и Al-Fe |
||
7. |
А.С. Лобко, О.В. Мисевич, А.А. Федоров |
Институт ядерных проблем БГУ, Минск, Беларусь |
Детектирование интенсивных потоков мягкого рентгеновского излучения пластическими сцинтилляторами |
||
8. |
Н.Н. Черенда, Н.В. Бибик, В.М. Асташинский, А.М. Кузьмицкий |
Белорусский государственный университет, г. Минск, Беларусь |
Легирование эвтектического силумина атомами хрома под воздействием компрессионных плазменных потоков |
||
9. |
В.В. Углов, Г. Абади, И.А. Солодухин, С.В. Злоцкий, А.Ю. Ровбуть |
Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь |
Радиационная стойкость структуры и фазового состава нанокристаллических покрытий TiZrAlN, сформированных магнетронным распылением |
||
10. |
В.М. Асташинский, А.М. Кузьмицкий |
Белорусский государственный университет, г. Минск, Беларусь |
Структурно-фазовое состояние системы титановое покрытие - твердый сплав в зависимости от параметров воздействия компрессионными плазменными потоками |
||
11. |
В.В. Углов, В.И. Шиманский, Н.Н. Черенда, В.М. Асташинский, Н.Т. Квасов |
Белорусский государственный университет, г. Минск, Беларусь |
Конвективный массоперенос в поверхностных слоях титана, подвергнутого воздействию компрессионными плазменными потоками |
||
12. |
В.В. Углов, Н.Т. Квасов, В.М. Асташинский, Ю.А. Петухов, А.М. Кузьмицкий, И.Л. Дорошевич, С.В. Ластовский |
Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь |
Радиационная стойкость кремниевых наноструктурированных фотовольтаических элементов, полученных в компрессионной плазме |
||
13. |
Н.Т. Квасов, И.Л. Дорошевич |
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь |
О магнитной структуре ферромагнитных наночастиц железа |
||
14. |
В.М. Асташинский, Р.С. Кудактин , Ю.А. Петухов, А.М. Кузьмицкий |
Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь |
Микроструктура и фазовый состав силицидного слоя, сформированного при воздействии компрессионных плазменных потоков на систему Zr-Si |
||
15. |
Н.Н. Коваль, Ю.Ф. Иванов, Ю.А. Петухов, А.В. Калин, А.Д. Тересов |
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь |
Микроструктура системы 'циркониевое покрытие-кремний', обработанной сильноточными электронными пучками |
||
16. |
С.С. Грабчиков, С.Б. Ластовский, Ю.В Богатырев, П.В. Панкратов, А.Г. Пяткевич, В.В. Углов |
НПЦ НАНБ по материаловедению, г. Минск, Беларусь |
Использование многослойных структур системы висмут/медь для защиты кремниевых биполярных приборов от электронного облучения |
||
17. |
И.С. Ташлыков, Д.А. Сильванович, В.С. Куликаускас, В.Ф. Гременок |
БГПУ им. М. Танка, Минск, Беларусь |
Воздействие Хе+ облучения на состав поверхности CuInSe2 |
||
18. |
А.И. Туровец, О.Г. Бобрович, И.С. Ташлыков |
БГПУ им. М. Танка, Минск, Беларусь |
Свойства поверхности системы Mo/стеклянная подложка формируемой ионно-ассистированным осаждением молибдена |
||
19. |
И.С. Ташлыков, В.В. Тульев |
Белорусский государственный педагогический университет, Минск, Беларусь |
Элементный состав Pd/Fe структур, сформированных динамическим атомным перемешиванием |
||
20. |
О.М. Михалкович, И.С. Ташлыков |
БГПУ им. М.Танка, Минск, Беларусь |
Локализация атомов co в облученном ионами ксенона кремнии при ионно-ассистированном нанесении на него тонких Co пленок |
||
21. |
Ю.М. Покотило, А.Н. Петух, А.В. Гиро, А.С. Камышан |
БГУ, Минск, Беларусь |
Модификация электрофизических свойств приповерхностных слоев кремния ионами водорода |
||
Белгород, Россия |
|||||
22. |
Н.Ф. Шульга, В.В. Сыщенко, В.С. Нерябова |
Белгородский государственный национальный исследовательский университет, Белгород, Российская Федерация |
Спектральный метод в теории аксиального каналирования |
||
23. |
С.В. Блажевич, Ю.П. Гладких , А.В. Носков |
Белгородский государственный университет, Белгород, Россия |
Эффект Бормана в дифрагированном переходном излучении релятивистского электрона, пересекающего периодическую слоистую мишень |
||
24. |
С.В. Блажевич, Ю.П. Гладких, А.В. Носков, |
Белгородский государственный университет, Белгород, Россия |
Когерентное рентгеновское излучение, возбуждаемое релятивистским электроном в периодической слоистой структуре в геометрии рассеяния Брэгга |
||
25. |
С.В. Блажевич, Ю.П. Гладких, А.В. Носков |
Белгородский государственный университет, Белгород, Россия |
Когерентное рентгеновское излучение вблизи направления скорости релятивистского электрона, пересекающего периодическую слоистую структуру |
||
26. |
П.Н. Жукова, Ле Тхи Хоай, Н.Н. Насонов |
Лаборатория радиационной физики, НИУ 'БелГУ', Белгород, Россия |
Определение местоположения атома в элементарной ячейке кристалла |
||
27. |
О.А. Горбунова, П.Н. Жукова, В.А. Насонова |
Лаборатория радиационной физики, НИУ 'БелГУ', Белгород, Россия |
Подавление эффекта плотности в параметрическом рентгеновском излучении |
||
28. |
В.И. Алексеев, Э.Ф. Иррибарра, А.С. Кубанкин, Р.М. Нажмудинов, Н.Н. Насонов, В.В. Полянский, В.И. Сергиенко |
Лаборатория радиационной физики, НИУ 'БелГУ', Белгород, Россия |
Диагностика поликристаллов на основе поляризационного тормозного излучения релятивистских электронов |
||
29. |
К.А. Вохмянина, П.Н.Жукова, Э.Ф. Иррибарра, А.С. Кубанкин, Ле Тхи Хоай, Р.М. Нажмудинов, Н.Н. Насонов, Г.П. Похил |
Лаборатория радиационной физики, НИУ 'БелГУ', Белгород, Россия |
Исследования бесконтактного прохождения электронов через диэлектрические каналы |
||
Екатеринбург, Россия |
|||||
30. |
С.С. Зырянов, С.Г. Купцов, Ф.Г. Нешов, О.В. Рябухин |
Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н.Ельцина, Екатеринбург, Россия |
Изучение состава приповерхностных слоев упрочняющих покрытий на основе тяжелых металлов при различных режимах легирования |
||
31. |
С.С. Зырянов, А.В. Кружалов, М.В. Кузнецов, Ф.Г. Нешов, О.В. Рябухин |
Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н.Ельцина, Екатеринбург, Россия |
Исследование поверхности стали, облученной протонами в йодной среде |
||
32. |
С.С. Зырянов, А.В. Кружалов, Ф.Г. Нешов, О.В. Рябухин |
Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н.Ельцина, Екатеринбург, Россия |
Использование обратного рассеяния протонов с энергией 6,6 МэВ для исследования дейтерирования материалов |
||
Калуга, Россия |
|||||
33. |
В.В. Андреев, Г.Г. Бондаренко, М.С. Васютин, В.Г. Дмитриев, А.В. Романов |
МГТУ им. Н.Э.Баумана, Калужский филиал, Калуга, Россия |
Исследование изменения зарядового состояния МДП-приборов при электронном облучении |
||
34. |
А.Н. Амрастанов, С.А. Гинзгеймер, М.А. Степович |
Калужский государственный университет им. К.Э. Циолковского, г. Калуга, Россия |
Об одной возможности моделирования процесса диффузии неосновных носителей заряда, генерированных электронным зондом в полупроводниковом материале |
||
35. |
Т.А. Куприянова, Л.Р. Миникаев, Р.Р. Тангишев, М.А. Степович, М.Н. Филиппов |
Калужский государственный университет им. К.Э. Циолковского, г. Калуга, Россия |
Моделирование пробега киловольтных электронов в диэлектрической мишени в условиях накопления объемного заряда |
||
36. |
А.А. Вирюс, Т.П. Каминская, М.Н. Шипко, М.А. Степович |
Калужский государственный университет им. К.Э. Циолковского, г. Калуга, Россия |
Локальный анализ состава и структуры прецизионных сплавов системы Fe-Si-Al, подвергнутых магнитоимпульсной обработке |
||
37. |
А.А. Столяров, Д.В. Андреев, И.В. Соловьев |
МГТУ им. Н.Э.Баумана, Калужский филиал, Калуга, Россия |
Исследование ионизирующих излучений с использованием полупроводниковых приборов на основе МДП-структур |
||
38. |
В.И. Кристя , Йе Наинг Тун |
Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана, Калуга, Россия |
Влияние неоднородности ионного потока на эффективный коэффициент распыления мишени с поверхностным рельефом в тлеющем разряде |
||
Королев, Россия |
|||||
39.
|
В.Ю. Китов, Э.С. Парилис | Королевский колледж космического машиностроения и технологии, г. Королев, Россия | Ориентационные эффекты в эмиссии оже-электронов из монокристаллов под действием атомарных и молекулярных ионов | ||
Москва, Россия |
|||||
40. |
Ю.А. Белкова, Я.А. Теплова |
НИИЯФ МГУ, Москва, Россия |
Трехкомпонентное приближение при оценке неравновесных зарядовых фракций ионов бора и азота при прохождении через тонкие пленки |
||
41. |
Р.И. Богданов, М.Р. Богданов |
НИИЯФ МГУ, Москва. Россия |
Аддитивные шумы в слабо-диссипативной теории Колмогорова-Арнольда-Мозера |
||
42. |
В.К. Гришин, Д.П. Никитин |
НИИЯФ МГУ, Москва, Россия |
Поляризационное излучение и диагностика атомных объектов, скрытых в эндоэдральных соединениях |
||
43. |
Н.В. Новиков, Я.А. Теплова, Ю.А. Файнберг |
НИИЯФ МГУ, Москва, Россия |
Зарядовое распределение ионов азота, отраженных от медной и графитовой поверхности |
||
44. |
В.А. Никитенко, С.Г. Стоюхин, С.В. Мухин |
Московский государственный университет путей сообщения, Москва, Россия |
Облучение и термостимулированные электронно-дырочные процессы в монокристаллах оксида цинка с анионными вакансиями |
||
45. |
Н.В. Новиков, Я.А. Теплова |
НИИЯФ МГУ, Москва, Россия |
Ширина равновесного зарядового распределения тяжелых ионов в твердой и газообразной средах |
||
46. |
С.Н. Шилобреева, В.И. Зиненко, В.В. Сарайкин, Л.Л. Кашкаров, Ю.А. Агафонов, В.С. Бронский |
Институт геохимии и аналитической химии им. В.И. Вернадского Российской академии наук, Москва, Россия |
Экспериментальное моделирование модификации силикатов под воздействием ионизирующего излучения |
||
47. |
Н.Н. Андрианова, А.М. Борисов, В.В. Борисов, Ю.С. Виргильев, Е.С. Машкова, В.С. Севостьянова, М.А. Тимофеев |
НИИЯФ МГУ, Москва, Россия |
Влияние ионной бомбардировки на автоэлектронную эмиссию углеродных материалов |
||
48. |
Н.Н. Андрианова, А.М. Борисов, Ю.С. Виргильев, Е.С. Машкова, Д.В. Петров, Е.А. Питиримова |
НИИЯФ МГУ, Москва, Россия |
Ионно-лучевое модифицирование структуры и морфологии стеклоуглерода |
||
49. |
Н.Н. Андрианова, А.М. Борисов, Ю.С. Виргильев, Е.С. Машкова, В.С. Севостьянова, В.И. Шульга |
НИИЯФ МГУ, Москва, Россия |
Влияние температуры на физическое распыление высокоориентированного пиролитического графита |
||
50. |
А.Ю. Дидык, Р.Вишневский, В.С.Каликаускас |
Объединенный институт ядерных исследований, Лаборатория ядерных реакций имени Г.Н.Флерова, Дубна, Россия |
Пороговый характер накопления ионов дейтерия в палладии при высокодозной имплантации |
||
51. |
А.Ю.Дидык, Р.Вишневский, В.С.Каликаускас |
Объединенный институт ядерных исследований, Лаборатория ядерных реакций имени Г.Н.Флерова, Дубна, Россия |
Поведение дейтерия, имплантированного в Zr, Ti и Al2O3, после высокодозной имплантации при длительном хранении |
||
52. |
А.Ю.Дидык, Р.Вишневский, В.С.Каликаускас |
Объединенный институт ядерных исследований, Лаборатория ядерных реакций имени Г.Н.Флерова, Дубна, Россия |
Распределение дейтерия и водорода в многослойных структурах из Nb-фольг и ВТСП-пленках после воздействия импульсной высокотемпературной D+-плазмы |
||
53. |
В.П. Афанасьев, Д.С. Ефременко, Д.А. Иванов, П.С. Капля, А.В. Лубенченко |
НИУ МЭИ, Москва, Россия |
Влияние процессов многократного упругого рассеяния на угловые распределения рентгеновских фотоэлектронов |
||
54. |
В.А. Басков, В.В. Ким, Б.И. Лучков, В.Ю. Тугаенко, В.А. Хабло |
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва, Россия |
Множественность заряженных частиц в ливнях от электронов 26 ГэВ в зависимости от толщины ориентированных кристаллов вольфрама |
||
55. |
Н.В. Алов |
Химический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия |
Эффект металлизации поверхности оксидов при ионном облучении |
||
56. |
А. И. Толмачев |
Российский новый университет, Москва, Россия |
Аналитические выражения для тормозной способности вещества в теории отражения заряженных частиц |
||
57. |
Ю.Г. Коробова, Д.И. Бажанов |
МГУ, Москва, Россия |
Ab initio исследование формирования структурных изгибов углеродных цепочек |
||
58. |
В.Н. Самойлов, Н.В. Носов |
Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия |
Эффект перефокусировки по азимутальному углу при эмиссии атомов с поверхности граней (001) Ni и (001) Au |
||
59. |
Н.В. Носов, В.Н. Самойлов |
Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия |
О взаимосвязи сильно блокированных и перефокусированных атомов при эмиссии с поверхности граней (001) Ni и (001) Au |
||
Нальчик, Россия |
|||||
63. |
А.З. Хамдохов, Р.Ш. Тешев, З.М. Хамдохов, В.С. Куликаускас, П.Н. Черных |
Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик, Россия |
Особенности структуры пленки TiN после облучения ионами азота |
||
Нижний Новгород, Россия |
|||||
64. |
Е.А. Питиримова, Ю.А. Данилов |
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород, Россия |
Влияние имплантации ионов Ar+ на свойства пленок хрома |
||
65. |
С.Н. Нагорных, В.И. Павленков |
Нижегородский государственный педагогический университет имени Козьмы Минина, Нижний Новгород, Россия |
Применение бифуркаций в исследовании поверхностных стохастических процессов |
||
Новосибирск, Россия |
|||||
66. |
И.Е. Тысченко |
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия |
Структуры кремний-на-изоляторе с ионно-модифицированным захороненным слоем SiO2 |
||
67. |
И.Е. Тысченко, В.А. Володин, В.П. Попов |
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия |
Структурные и оптические свойства пленок кремния на изоляторе, имплантированных большими дозами ионов H+ и отожженных в миллисекундном импульсном режиме |
||
Обнинск, Россия |
|||||
68. |
Г.В. Лысова, Г.А. Биржевой, С.М. Образцов |
ГНЦ РФ-ФЭИ имени А.И. Лейпунского, Обнинск, Россия |
Температурная зависимость радиационного упрочнения стали ЭП-823 после облучения ионами Ni++ с энергией 7 МэВ |
||
Омск, Россия |
|||||
69. |
Г.А. Вершинин, T.В. Вахний, А.И. Суслов, И.А. Курзина, Ю.П. Шаркеев |
Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского, Омск, Россия |
Анализ массоперноса в структурированных образцах титана при имплантации ионами алюминия источника Mevva-5.RU |
||
70. |
Г.А. Вершинин, К.Н. Полещенко, Г.И.Геринг, Е.Е. Тарасов, П.П. Кокухин |
Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского, Омск, Россия |
Формирование коррозионно-стойких композиций в поверхностных слоях твердых сплавов при комбинированной ионно-лучевой обработке |
||
71. |
В.С. Ковивчак, Т.В. Панова, К.А. Михайлов |
Омский государственный университет |
Особенности формирования морфологии поверхности медных сплавов, облученных мощным ионным пучком |
||
72. |
Т.В. Панова, В.С. Ковивчак, Г.И.Геринг, Д.О. Доронин |
Омский государственный университет |
Распределение микроструктуры в зоне модифицирования мощным ионным пучком металлов и сплавов |
||
Санкт-Петербург, Россия |
|||||
73. |
В.В. Козловский, В.А. Козлов |
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет |
Использование пика упругих (ядерных) потерь энергии протонов в кремнии для локального введения радиационных дефектов |
||
74. |
М.В. Гомоюнова, Г.С. Гребенюк, И.И. Пронин |
ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт Петербург, Россия |
Формирование интерфейса кремний-кобальт |
||
75. |
А.В. Бакаев, П.Ю. Григорьев, Е.Е. Журкин, Д.А. Терентьев |
СПбГПУ, Санкт-Петербург, Россия |
Молекулярно-динамическое моделирование взаимодействия дислокаций с радиационными дефектами в аустенитных сплавах Fe-Ni-Cr |
||
76. |
П.Ю. Григорьев, Е.Е. Журкин |
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия |
Моделирование распыления нанокластеров кремния диаметром (1-4) нм при бомбардировке одноатомными и кластерными ионами методом классической молекулярной динамики |
||
Сургут, Россия |
|||||
77. |
В.П. Кощеев, Д.А. Моргун, Ю.Н. Штанов, А.С. Фокин |
Сургутский государственный университет, г. Сургут |
Моделирование процесса отклонения π- мезонов с энергией 150 ГэВ кристаллом кремния |
||
Тамбов, Россия |
|||||
78. |
А.А. Дмитриевский, Н.Ю. Ефремова, П.А. Косырев А.Р. Ловцов, А.В. Шуклинов |
ТГУ имени Г.Р. Державина, Тамбов, Россия |
Подавление эффективности фазовых превращений в кремнии при локальном нагружении посредством низкоинтенсивного бета-облучения
|
||
Томск, Россия |
|||||
79. |
А.В. Кабышев, Ф.В. Конусов, Г.Е. Ремнев |
Институт физики высоких технологий, г.Томск, Россия |
Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией |
||
80. |
O.V. Bogdanov, Yu.L. Pivovarov, Y. Takabayashi, T.A. Tukhfatullin |
Tomsk Polytechnic University,Tomsk, Russia |
Doughnut scattering of 255 MeV electrons at <100> channeling in silicon crystal |
||
81. |
Н.А. Евтеева, Г.В. Гаранин, Н.С. Пушилина, А.М. Лидер |
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, г. Томск, Россия |
Моделирование диффузии водорода сквозь тонкие пленки |
||
82. |
Ю.С. Бордулев, Р.С. Лаптев, А.М. Лидер, Г.В. Гаранин |
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, г. Томск, Россия |
Оптимизация временного разрешения спектрометра для исследования аннигиляции позитронов в твердых телах |
||
83. |
Н. С. Пушилина, Е.В. Березнеева, И.П. Чернов, М.Х. Кренинг, А.М. Лидер, В.Н. Кудияров, С.В. Иванова |
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, г. Томск, Россия |
Воздействие водорода на модифицированную импульсным электронным пучком поверхность циркониевого сплава |
||
84. |
Н. С. Пушилина, И.П. Чернов, Н.Н. Коваль, Е.В. Березнеева, С.В. Иванова, А.М. Лидер, Ю.П. Черданцев |
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, г. Томск, Россия |
Микроструктура поверхностности циркониевого сплава, модифицированного импульсным электронным пучком |
||
85. |
K.B. Korotchenko, Yu.L. Pivovarov, Yu. Takabayashi, T.A. Tukhfatullin |
National Research Tomsk Polytechnic University, 30, Lenin Avenue, Tomsk, Russia |
Quantum effect for PXR at channeling |
||
86. |
С.В. Абдрашитов, О.В. Богданов, Ю.Л. Пивоваров, Т.А. Тухфатуллин |
Томский политехнический университет, г. Томск, Россия |
Рассеяние и излучение релятивистских электронов и позитронов при плоскостном каналировании в кристалле кремния |
||
87. |
Д.В. Березнеев, Е.В. Березнеева, И.П. Чернов, И.А. Шулепов, С.В. Иванова |
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, г. Томск, Россия |
Свойства нанесенных магнетронным напылением TiOх покрытий на поверхность циркониевых сплавов |
||
88. |
Е.В. Березнеева, Д.В. Березнеев, Н.С. Пушилина, И.П. Чернов, А.М. Лидер, Ю.П. Черданцев, Г.Е. Ремнев, С.В. Иванова |
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, г. Томск, Россия |
Свойства поверхностного слоя циркониевого сплава, модифицированного импульсным ионным пучком |
||
89. |
В.Н. Кудияров, А.М. Лидер, Н.С. Пушилина |
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия |
Исследование перераспределения водорода в титане под действием рентгеновского излучения методом спектрометрии плазмы тлеющего разряда |
||
90. |
И.П. Чернов, А.С. Русецкий, Д.Н. Краснов, В.М. Силкин, Т.И. Сигфуссон, Ю.И. Тюрин |
НИ Томский политехнический университет Томск, Россия |
Холодный ядерный синтез' - миф или реальность |
||
91. |
D.A. Shkitov, G.A. Naumenko, M.V. Shevelev, A.P. Potylitsyn, H. Deng, X. Wang |
TPU, Tomsk, Russia |
Application of the diffraction radiation interferogram obtained after the interaction of an electron beam with a slit target |
||
92. |
O.V. Bogdanov, S.B. Dabagov |
Tomsk Polytechnic University, Lenin Ave. 30, Tomsk, 634050 Russia |
On the kinetics and radiation of planar channeled electrons in thick crystals |
||
93. |
О.В. Богданов, Ю.Л. Пивоваров, Е. И. Фикс |
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия |
О влиянии торможения релятивистских тяжелых ионов в радиаторе на угловые распределения черенковского излучения |
||
94. |
Ю.П. Кунашенко |
ТПУ, Томск, Россия |
Когерентное тормозное излучение нейтронов |
||
95. |
Ю.П. Кунашенко, Ю.В. Шпет |
ТПУ, Томск, Россия |
КТИ релятивистских позитронов, движущихся в режиме плоскостного каналирования |
||
Чебоксары, Россия |
|||||
96. |
А.М. Самсонов, Г.М. Филиппов |
ЧГПУ им. И. Я. Яковлева, Чебоксары, Россия |
Исследование агрегатных состояний водорода в процессе заполнения УНТ |
||
97. |
И.В. Лысова, А.Н. Михайлов |
ЧГПУ им. И.Я. Яковлева, г. Чебоксары, Россия |
Распределение по энергиям молекулярных образований при каналировании в УНТ |
||
98. |
И.В. Лысова, А.В. Степанов |
ЧГПУ им. И.Я. Яковлева, г. Чебоксары, Россия |
Роль структурных дефектов при каналировании частиц в углеродных нанотрубках |
||
99. |
А.В. Степанов, Г.М. Филиппов |
ЧГПУ им. И.Я. Яковлева, г. Чебоксары, Россия |
Моделирование взаимодействия потока молекул водорода с углеродной нанотрубкой методами молекулярной динамики c применением модифицированного потенциала REBO |
||
100. |
В.А. Александров, Г.М. Филиппов |
Чувашский госуниверситет, Чебоксары, РФ |
Особенности элементарных возбуждений электронной подсистемы УНТ и ее влияние на торможение частиц |
||
101. |
В.А. Александров, Г.М. Филиппов |
Чувашский госуниверситет, Чебоксары, РФ |
Оценка поляризационных сил для заряда в УНТ посредством решения нестационарного уравнения Шредингера |
||
102. |
В.А. Александров, Ф.Н. Михайлов |
Чувашский госуниверситет, Чебоксары, РФ |
Оптимизация параметров при самосборке линейно-цепочечного углерода методом молекулярной динамики |
||
103. |
А.С. Сабиров |
Чувашский госуниверситет, Чебоксары, РФ |
Исследование влияния поляризацонных полей на каналирование заряженных частиц в нанотрубках в рамках диэлектрического подхода |
||
104. |
А.С. Сабиров, Г.М. Филиппов |
Чувашский госуниверситет, Чебоксары, РФ |
Движение электрона в системе квантовых точек во внешнем поле |
||
Черноголовка, Россия |
|||||
105. |
Л.К. Израилева, Э.Н. Руманов |
Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения РАН г.Черноголовка, РФ |
Об относительной роли диффузии и импульсов давления в процессах кластеризации при облучении |
||
106. |
А.Н. Пустовит |
ИПТМ РАН, Черноголовка, Россия |
Глубина выхода распыленных частиц при наклонном угле падения первичного пучка |
||
Ташкент, Узбекистан |
|||||
107. |
А.А. Абдувайитов |
Ташкентский Государственный технический университет им. Абу Райхана Беруни. Ташкент, Узбекиста |
Исследование состава неконтролируемых примесей, их химических состояний и профиля распределения на границе раздела полупроводник-металл методами ЭОС И ВИМС |
||
108. |
А.А. Абдувайитов, М.К Рузибаева. |
Ташкентский Государственный технический университет им. Абу Райхана Беруни |
Исследование состава примесных элементов в TiN и ZrNb, методом ЭОС |
||
109. |
А.А. Абдувайитов, М.К. Рузибаева |
Ташкентский Государственный технический университет им. Абу РайханаБеруни |
Сравнителний изучение эмиссии Оже-электронов с поверхности цветных металлов при бомбардировке пучком ионов и электронов |
||
110. |
М.К. Рузибаева, С.Б. Донаев, А.А. Абдувайитов |
Институт электроники им. У.А. Арифова Академии наук Республики Узбекистан |
Формирование переходного слоя и его состав при напылении наноструктурных покрытий с одновременной ионной бомбардировкой |
||
111. |
Г.Т Рахманов, И.М Сайдумаров |
Институт Электроники, АН РУз, г. Ташкент, Узбекистан |
Определения кинетических характеристик термодесорбции молекул поверхности окисленного вольфрама |
||
112. |
Б.Г. Атабаев, Р. Джаббарганов, У..Б. Шаропов, М.К. Курбанов, Н.Г. Саидханова |
Институт Электроники, Ташкент, Узбекистан |
Изучение отрицательно-ионных кластеров SiC при бомбардировке ионами Cs+ |
||
113. |
Б.Г. Атабаев, Р. Джаббарганов, У.Б. Шаропов, М.К. Курбанов, К.У. Назаркулова |
Институт Электроники, Ташкент, Узбекистан |
Кинетика точечных дефектов и их агрегатов на поверхности пленки LiF/Si(111) |
||
114. |
В.Г. Стельмах, И.Д. Ядгаров, А.М. Расулов, А.А. Джурахалов |
Институт электроники АН РУз, г. Ташкент, Узбекистан |
Моделирование малоатомных кластеров серебра Agn (n=2..10) |
||
115. |
С.Ж.Ниматов, Т. Юсупов |
Ташкентский государственный технический университет им.А.Р. Беруни, Ташкент, Узбекистан |
Изучение методом ДЭНЭ силицидообразования на поверхности Si(111) при низкоэнергетической ионной бомбардировке |
||
116. |
С.Ж. Ниматов, Д.С. Руми |
Ташкентский государственный технический университет им.А.Р. Беруни, Ташкент, Узбекистан |
Исследование дозовой зависимости степени аморфизации поверхности Si(111) при бомбардировке низкоэнергетическими ионами Na+ |
||
117. |
С.Ж. Ниматов, Ф. Шакаров |
Ташкентский государственный технический университет им.А.Р. Беруни, Ташкент, Узбекистан |
Исследование режимов твердофазной эпитаксии германия на поверхности кремния методом ДЭНЭ |
||
118. |
М.Т. Нормурадов, Б.Е. Умирзаков, Д.А. Ташмухамедова, Д.М. Мурадкабилов, Н.А. Курбанов |
Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан |
Влияние дозы облучения ионов Co на размеры нанокристаллов CoSi2, созданных на поверхности Si |
||
119. |
Д.А. Ташмухамедова, Б.Е. Умирзаков, М.А. Миржалилова, Х.Х. Болтаев, Р.Ч. Муминов |
Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан |
Формирование одно- и многокомпонентных наноструктур на поверхности GaAs при ионной бомбардировке |
||
120. |
А.К. Ташатов, Д.А. Ташмухамедова, Д. Буназаров, Б.Б. Мавлянов, М.К. Шамшиддинов |
Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан |
Влияние ионной и электронной бомбардировки на состав и структуру пленок MgO |
||
121. |
Б.Е. Умирзаков, М.Р. Ахмеджанов, В.Х. Холмухамедова, С.Б. Данаев, Ж.А. Якубов |
Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан |
Оптимальные режимы ионной имплантации и отжига для создания трехкомпонентных диэлектрических нанопленок |
||
122. |
З.А. Исаханов, Б.Э. Умирзаков, М.К. Рузибаева, У.Н. Раззоков |
Институт электроники им.У.А.Арифова АН РУз, Ташкент, Узбекистан |
Влияние имплантации ионов на состав и электронные свойства поверхности пленок CdTe |
||
123. |
З.А. Исаханов, Б.Э. Умирзаков, З.Э. Мухтаров, У.Н. Раззоков |
Институт электроники им.У.А.Арифова АН РУз, Ташкент, Узбекистан |
Температурные зависимости работы выхода вторичных ионов с поверхностей Мо имплантированных ионами Ba+ и Cs+ |
||
124. |
Б.Л. Оксенгендлер, С.Е. Максимов, Н. Тураева, Н.Ю. Тураев |
Институт электроники АН РУз, Ташкент, Узбекистан |
Множественные процессы при распылении материалов ионной бомбардировкой |
||
125. |
Н.Х. Джемилев, С.В. Верхотуров, В.В. Соломко, С.Е. Максимов |
Институт электроники АН РУз, Ташкент, Узбекистан |
Спектры кинетических энергий распада и стабильность ниобий-углеродных кластеров, распыленных с поверхности карбида ниобия ионами ксенона |
||
126. |
Ж.Б. Хужаниезов, А.М. Рахимов, А.С. Рысбаев, Ш.Х. Джураев, А.А. Рысбаев |
Ташкентский Государственный Технический Университет, Ташкент, Узбекистан |
Влияние имплантации ионов P, B и щелочных элементов на плазменные колебания валентных электронов кремния |
||
127. |
А.М. Рахимов, Ж.Б. Хужаниезов, А.С. Рысбаев, А.А. Рысбаев |
Ташкентский Государственный Технический Университет, Ташкент, Узбекистан |
О возможности создания термочувствительных структур имплантацией ионов фосфора и бора в кремний |
||
128. |
В.Н. Арустамов, Х.Б. Ашуров, Р.Б. Х.Х. Кадыров, И.Х. Худойкулов |
Институт электроники им.У.А.Арифова Академии Наук Республики Узбекистан |
К вопросу об эмиссии электронов в катодном пятне вакуумного дугового разряда |
||
129. |
В.Н. Арустамов, Х.Б. Ашуров, Х.Х. Кадыров, И.Х. Худайкулов |
Институт Электроники АН Руз.Ташкент, Узбекистан |
Модификация поверхности стального проката прикатодной плазмой вакуумного дугового разряда |
||
130. |
Б.Г. Атабаев, В.Н. Гирянский, А.П. Коварский, Д.Ю. Казанцев, Д.А. Николаев |
Институт электроники АН РУз, Ташкент, Узбекистан |
Влияние ростовых дивакансий на кластерное распыление галлия при бомбардировке GaN ионами цезия |
||
131. |
Б.Г. Атабаев, В.Н. Гирянский, М.А. Пермухамедова, А.П. Коварский, Д.Ю. Казанцев, Д.А. Николаев |
Институт электроники АН РУз, Ташкент, Узбекистан |
Влияние стабильности и ионизации кластеров на молекулярное распыление GaN |
||
132. |
Б.Г. Атабаев, А.А. Лебедев, И.Г. Атабаев, Р. Джаббарганов, В.Н. Гирянский, Б. Зияев |
Институт электроники АН РУз, Ташкент, Узбекистан |
Исследование вторично-ионной эмиссии примесей GaN/SiC в зависимости от температуры отжига |
||
133. |
Б.Г. Атабаев, В.Г. Бекетов, Р. Джаббарганов, В.Н. Гирянский Ф.Р. Юзикаева, А. Урунов |
Институт электроники АН РУз, Ташкент, Узбекистан |
Энергетическая зависимость вторично-ионной эмиссии кластеров GaN/SiC при бомбардировке ионами цезия |
||
Запорожье, Украина |
|||||
134. |
Г.В. Корнич, Г. Бетц, В.И. Шульга |
ЗНТУ, Запорожье, Украина |
Механизмы фокусировки при распылении кластеров меди на поверхности графита |
||
135. |
Д. В. Широкорад, Г. В. Корнич |
Запорожский национальный технический университет, Запорожье, Украина |
Нейросетевой метод восстановления профиля концентрации примеси при ионном послойном анализе |
||
136. |
А.А. Ермоленко, Г.В. Корнич, А.И. Бажин, С.В. Чертопалов |
Запорожский национальный технический университет, Запорожье, Украина |
Молекулярно-динамическое моделирование взаимодействия атомов металлов с поверхностью фуллерита |
||
Киев, Украина |
|||||
137. |
В.И.Высоцкий, М.В. Высоцкий |
Киевский университет им. Т. Шевченко, Украина |
Особенности формирования и специфика проявления когерентных коррелированных состояний каналируемых частиц при демпфировании и флуктуациях в канале |
||
138. |
В.И. Высоцкий, А.А. Корнилова, В.С. Черныш |
Киевский университет им. Т. Шевченко, Украина |
Особенности ядерного синтеза при взаимодействиии ускоренных линейных молекулярных ионов (D-...-D)+ с поверхностью мишеней |
||
139. |
П.И. Диденко |
Государственное учреждение 'Институт геохимии окружающей среды НАН Украины', Киев, Украина |
Исследование минералов методом вторично-ионной масс-спектрометрии |
||
140. |
Н.В. Максюта, В.И. Высоцкий, Г.П. Головач, С.В. Ефименко |
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, Киев, Украина |
Численный анализ спектральной плотности квазихарактеристического излучения при каналировании релятивистских электронов в кристаллах со структурой цинковой обманки |
||
141. |
Н.В. Максюта, Г.П. Головач |
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, Киев, Украина |
Описание процессов деканалирования и реканалирования заряженных частиц в кристаллах с помощью нестационарного уравнения шредингера в дробных производных переменного порядка |
||
142. |
Н.В. Максюта, В.И. Высоцкий |
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, Киев, Украина |
О возможности проявления экранирования и возникновения кильватерного потенциала при каналировании релятивистских электронов в заряженных плоскостях ионных кристаллов |
||
Сумы, Украина |
|||||
143. |
Д.И. Курбатов, А.В. Климов, А.С. Опанасюк, А.Г. Пономарев |
Сумский государственный университет, Сумы, Украина |
Исследование распределения марганца в пленках Zn1-xMnxTe и Zn1-xMnxS методом μ-PIXE |
||
144. |
А.Б. Крамченков, М.И. Захарец, А.Н. Бугай, В.Е. Сторижко |
Институт прикладной физики НАН Украины, г. Сумы, Украина |
Исследование поверхностей расплавленных металлов методом резерфордовского обратного рассеяния |
||
Харьков, Украина |
|||||
145. |
А.В. Щагин |
Харьковский физико-технический институт, Харьков 61108, Украина |
Параметрическое рентгеновское излучение релятивистских заряженных частиц из прямого и изогнутого кристалла |
||
146. |
И.В. Кириллин, Н.Ф. Шульга, В.И. Трутень |
ИТФ ННЦ ХФТИ, Харьков, Украина |
О механизмах отклонения заряженных частиц изогнутыми кристаллами в ТэВ-ной области энергий |
||
147. |
Г.Л. Бочек, А.С. Деев, Н.И. Маслов |
ИФВЭЯФ ННЦ ХФТИ, г. Харьков, Украина |
Восстановление рентгеновских спектров излучения: измерение ХРИ и фильтр Росса |
||
148. |
Н.И. Маслов |
ИФВЭЯФ ННЦ ХФТИ, г. Харьков, Украина |
О возможности генерации интенсивных пучков когерентного тормозного излучения |
||
149. |
Г.П. Васильев, В.К. Волошин, А.С. Деев, С.К. Киприч, Н.И. Маслов, С.В. Наумов, В.Д. Овчинник, С.М. Потин, М.Ю. Шулика, В.И. Яловенко |
ИФВЭЯФ ННЦ ХФТИ, г. Харьков, Украина |
Экспериментальные образцы детектирующих систем |
||
150. |
Н.Ф. Шульга, С.В. Трофименко |
ИТФ ННЦ ХФТИ, г. Харьков, Украина |
Об эффекте плотности в ионизационных потерях энергии высокоэнергетических частиц в тонких слоях вещества |
||
Мехико, Мексика |
|||||
151. |
Ю.А.Кудрявцев, Р. Азомоза, В.М.Король |
Cinvestav-IPN, México DF, México |
Распыление поверхности ионами цезия: экспериментальное определение концентрации внедренного цезия |
||
152. |
Ю.А.Кудрявцев, Р. Азомоза, В.М.Король |
Cinvestav-IPN, México DF, México |
Исследование изотопного эффекта при имплантации изотопов лития в органические кристаллы |
||
Миннеаполис, США |
|||||
153. |
G.V. Kovalev |
School of Mathematics, University of Minnesota, Minneapolis, MN |
Volume Reflection of Relativistic Particles in a Bent Crystal with External Magnetic Field |
||
Египет |
|||||
154. |
Mohamed S. Badawi, Ahmed M. El-katib, Mohamed A. Elzaher, Abouzeid A. Thabet and Abdelhamid A. Sakr |
Physics Department, Faculty of Science, Alexandria University, 21511 Alexandria, Egypt |
Calculation of Full Energy Peak Efficiency of Gamma Detectors Using an Analytical Efficiency Transfer Principle. |
||
155. |
H.A.Motaweh, Abdel Hamid. A. Sakr and T.G. Abdel-Malik |
Physics Department, Faculty of Science, Damanhour University, Damanhour, Egypt |
Effect of x-ray irradiation energy on optical , mechanical and dielectric properties of polyaniline polymethylmethacrylate blend |
||
156. |
Fadel M.Ali, Sahar.E. Abo-Neima, Abdel Hamid A. Sakr, Fayza El-Akad, Ahmed.M. El-Khatib, Hussein. A. Motaweh |
Physics Department. Faculty of Science. Damanhour University. Egypt |
Effects of fast neutrons and gamma radiation on some biophysical properties of red blood cells membrane of albino rats (in vivo study) |
||
157. |
Mohamed S. Badawi, Sherif S. Nafee, Samah M. Diab, Ahmed M. El-Khatib and Ekram A. El-Mallah |
Physics Department, Faculty of Science, Alexandria University, 21511 Alexandria, Egypt |
Calculate the Efficiency of Gamma-ray Detectors for Inverted Well Beaker Sources Using an Analytical Efficiency Transfer Principle |
||
158. |
Mohamed S. Badawi, Mona M. Gouda, Ahmed M. El-Khatib, Sherif S. Nafee and Ekram A. El-Mallah |
Physics Department, Faculty of Science, Alexandria University, 21511 Alexandria, Egypt |
New Analytical Approach to Calibrate Cylindrical HPGe Detector including Corrections for Self attenuation of Large Cylindrical Sources and Attenuation of All Detector Housing Materials |
||
Добавочные (after deadline) |
|||||
159. |
Д.А. Бакланов, А.О. Винаков, И .Е. Внуков, В.С, Иванов, С.А. Лактионова, Р.А. Шатохин |
Белгородский государственный национальный исследовательский университет, г. Белгород, Россия |
Анализ трехкристальной схемы генерации монохроматического излучения для медицинских применений |
||
160. |
Д.А. Бакланов, И.Е. Внуков, Е.А. Дворецкая, С.А. Лактионова, Р.А. Шатохин |
Белгородский государственный национальный исследовательский университет, г. Белгород, Россия |
Влияние размеров микроблоков на процесс когерентного рождения электронно-позитронных пар в кристаллах |
||
161. |
А.В. Казаков, В.С. Малышевский, П.В. Серба |
Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия |
Рассеяние нейтральных атомов кристаллической поверхностью |
||
162. |
Mohamed S. Badawi, Sherif S. Nafee, Samah M. Diab, Ahmed M. El-Khatib and Ekram A. El-Mallah |
Physics Department, Faculty of Science, Alexandria University, 21511 Alexandria, Egypt |
Calculate the Efficiency of Gamma-ray Detectors for Inverted Well Beaker Sources Using an Analytical Efficiency Transfer Principle |
||
163. |
Mohamed S. Badawi, Mona M. Gouda, Ahmed M. El-Khatib, Sherif S. Nafee and Ekram A. El-Mallah |
Physics Department, Faculty of Science, Alexandria University, 21511 Alexandria, Egypt |
New Analytical Approach to Calibrate Cylindrical HPGe Detector including Corrections for Self attenuation of Large Cylindrical Sources and Attenuation of All Detector Housing Materials |