Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://www.lssm.inorg.chem.msu.ru/en/pOdin.html
Дата изменения: Mon Apr 14 13:58:13 2014
Дата индексирования: Sat Apr 9 22:40:32 2016
Кодировка: Windows-1251

Поисковые слова: легирование
The Laboratory of chemistry and physics of sensor and semiconductor materials | Ivan N. Odin
 
 
 
 

THE LABORATORY OF CHEMISTRY AND PHYSICS OF SENSOR AND SEMICONDUCTOR MATERIALS

  main page english русский
Ivan N. Odin

PhD, senior scientist Ivan N. Odin


e-mail: inodin@inorg.chem.msu.ru
phone: +7(495)939-38-71

Research activities:
Synthesis, cathode luminescence, microwave photoconductivity of solid solutions on the base of A2B6 semiconductors. Electrochemical preparation of CdTe films and films doped by chlorine, iodine, gallium, indium; their physical properties analysis (cathode luminescence, microwave photoconductivity etc.).

Personal awards:

  • Academician N.S. Kurnakov's medal RAS (1993 г.)

Teaching:

  • Practice on inorganic chemistry for first-year students
  • Guidance for 4-5 students yearly projects each year

Social work in MSU:

  • Responsible for safety engineering on inorganic chemistry division of Chemistry department and laborotory

Recent publications:

  • Кинетика электрон-ионных процессов в твердых растворах на основе теллурида кадмия в системе CdTe-CdI2. М.В.Гапанович, Н.А.Радычев, Е.В.Рабенок, Д.Н.Войлов, И.Н.Один, Г.Ф.Новиков. Изв. РАН. Неорган. материалы. 2007, 43 (10), 1190.
  • Влияние легирования иодом на кинетику СВЧ-фотопроводимости теллурида кадмия. М.В.Гапанович, Н.А.Радычев, Е.В.Рабенок, Д.Н.Войлов, И.Н.Один, Г.Ф.Новиков. Химия высоких энергий. 2007, 41 (2), 159.
  • Влияние изо- и гетеровалентного замещения на люминесцентные свойства CdS, в системах Zn, Cd||S, Te; In(III), Cd||S, Te. И.Н. Один, М.В. Чукичев, Е.В. Висицкий, М.Э. Рубина, Н.А.Мазов. Известия РАН. Неорганические материалы. 2006. Т.42. ? 10. С.1159-1163.
  • Изучение структур четверных соединений Cd3In2S2Te4, Cd5Ga2S2Te6 методом зондовой мессбауэровской спектроскопии на ядрах 119Sn. И.Н. Один, И.А. Пресняков, К.В. Похолок, А.В. Михайлина. Журнал неорганической химии. 2005. Т.50. ? 1. С.87-89.
  • T-x-y фазовые диаграммы систем GaS+CdTe=CdS+GaTe, CdS-CdTe-InTe. И.Н. Один, М.Э. Рубина, М.В.Гапанович, Е.Д. Демидова. Журнал неорганической химии. 2005. Т.50. ? 4. С.714-716.
  • Взаимная система Zn3Te3+Ga2S3=Zn3S3+Ga2Te3. И.Н. Один, М.Э. Рубина, А.В. Григорьева, В.Ф. Козловский. Журнал неорганической химии. 2005. Т.50. ?5. С.848-850.
  • T-x-y фазовые диаграммы систем CdS+ZnTe=ZnS+CdTe, CdS-CdIn2S4-CdTe, ZnS-In2Te3-ZnTe. И.Н. Один, Е.В. Висицкий, М.Э. Рубина. Журнал неорганической химии. 2005. Т.50. ?6. С.1018-1023.
  • Взаимодействие оксалатов цинка, кадмия, марганца с расплавленной серой. И.Н. Один, В.В. Гринько, Е.В.Сафронов. Журнал неорганической химии. 2005. Т.50. ?7. С.1077-1078.
  • Новые четверные соединения в системах Сu7РS6 - Сd7Р2S12. И.Н. Один, В.Ф.Козловский, В.В.Гринько. Журнал неорганической химии. 2005. Т.50. ?6. С.1024-1026.
  • Масс-спектрометрическоe изучение испарения сульфида кадмия. Термохими-ческие свойства молекулы CdS. А.В.Макаров, С.Г.Збежнева, И.Н.Один, В.Ф.Козловский, А.В.Гусаров. Масс-спектрометрия. 2006. Т. 3. Вып. 3. С. 205-209.

web-design: ddirin@rambler.ru

© 2008-2010 The Laboratory of chemistry and physics of sensor and semiconductor materials.