главная > справочник > химическая энциклопедия:

ГАЛЛИЯ ФОСФИД

ГАЛЛИЯ ФОСФИД GaP, оранжевые или зеленовато-желтые кристаллы с алмазным блеском; решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,54495 нм); т. пл. 1790њС- плотн. 4,1297 г/см³, жидкого 4,6 г/см³ (1790 њС); С_p^o 44,0 Дж/(моль*К); -102,6 кДж/моль, 122,4 кДж/моль; S^o₂₉₈ 51,9 Дж/(мол*К); температурный коэф. линейного расширения 5,78*10^-6 К^-1; теплопроводность 110 Вт/(м*К) при 27 њС; 10,2. Полупроводник. при 27 њС ширина запрещенной зоны 2,25 эВ; подвижность электронов 300 см²/(В*с), дырок 150 см²/(В*с).

галлия фосфид устойчив к действию кислорода воздуха до ~ 700 њС, не взаимод. с водой. практически не реагирует с H₂SO₄ и соляной кислотой, медленно взаимод. при нагр. с азотной и фтористоводородной к-тами, царской водкой. разлагается растворами щелочей при нагревании с выделением РН₃.

В виде плотного слитка GaP получают сплавлением Ga с Р под давлением паров Р, в виде пористого слитка - действием РН₃ на расплав Ga. Мон.кристаллы выращивают методами зонной плавки или вытягиванием по Чохральскому из-под флюса В₂О₃ под давлением Аг, небольшие монокристаллы-из растворов GaP в расплаве Ga. Порошкообразный GaP получают восстановлением GaPO₄ водородом или СО при 800-1000 њС. Эпитаксиальные пленки GaP наносят аналогично пленкам галлия арсенида. Для легирования монокристаллов и пленок GaP используют добавки Те, Se, S, Sn, Zn, Cd, Ge.

GaP-полупроводниковый материал для светодиодов, солнечных батарей, датчиков Холла, оптических фильтров и др.

Лит.: [Марина Л. И, На шсльски и А. Я.], Фосфид галлия, М., 1965; Фосфид галлия, Киш., 1969. П.И.Федоров.