дНЙСЛЕМР БГЪР ХГ ЙЩЬЮ ОНХЯЙНБНИ ЛЮЬХМШ. юДПЕЯ НПХЦХМЮКЭМНЦН ДНЙСЛЕМРЮ : http://scon155.phys.msu.su/rus/kazanskii_r.html
дЮРЮ ХГЛЕМЕМХЪ: Sat Apr 11 11:14:34 2015
дЮРЮ ХМДЕЙЯХПНБЮМХЪ: Sat Apr 9 23:16:50 2016
йНДХПНБЙЮ: koi8-r
оНХЯЙНБШЕ ЯКНБЮ: ЩКЕЙРПНММЮЪ РЕЛОЕПЮРСПЮ

йЮГЮМЯЙХИ юМДПЕИ цЕНПЦХЕБХВ

йЮГЮМЯЙХИ юМДПЕИ цЕНПЦХЕБХВ

цКЮБМШИ МЮСВМШИ ЯНРПСДМХЙ ЙЮТЕДПШ ТХГХЙХ ОНКСОПНБНДМХЙНБ ТХГХВЕЯЙНЦН ТЮЙСКЭРЕРЮ лцс; ДНЙРНП ТХГХЙН-ЛЮРЕЛЮРХВЕЯЙХУ МЮСЙ. гЮЫХРХК ДНЙРНПЯЙСЧ ДХЯЯЕПРЮЖХЧ МЮ РЕЛС "мЕПЮБМНБЕЯМШЕ ТНРНЩКЕЙРПНММШЕ ОПНЖЕЯЯШ Б ЮЛНПТМНЛ ЦХДПХПНБЮММНЛ ЙПЕЛМХХ" Б 1993 ЦНДС.

мЮСВМШЕ ХМРЕПЕЯШ:

мЕПЮБМНБЕЯМШЕ ЩКЕЙРПНММШЕ ОПНЖЕЯЯШ Б ЮЛНПТМШУ Х ЛХЙПНЙПХЯРЮККХВЕЯЙХУ ОНКСОПНБНДМХЙЮУ. лЕУЮМХГЛШ ЦЕМЕПЮЖХХ, ОЕПЕМНЯЮ Х ПЕЙНЛАХМЮЖХХ МЕПЮБМНБЕЯМШУ МНЯХРЕКЕИ ГЮПЪДЮ Б ЦХДПХПНБЮММНЛ ЮЛНПТМНЛ Х ЛХЙПНЙПХЯРЮККХВЕЯЙНЛ ЙПЕЛМХХ. тНРНХМДСЖХПНБЮММШЕ ЛЕРЮЯРЮАХКЭМШЕ ЯНЯРНЪМХЪ Б ЮЛНПТМШУ ОНКСОПНБНДМХЙЮУ, ЛЕУЮМХГЛШ ХУ НАПЮГНБЮМХЪ Х ПЕКЮЙЯЮЖХХ.

мЕЙНРНПШЕ ОСАКХЙЮЖХХ:

ю.ц. йЮГЮМЯЙХИ, я.л. оЕРПСЬЙН, м.б. пШФЙНБЮ. тНРНОПНБНДХЛНЯРЭ ЮЛНПТМНЦН ЦХДПХПНБЮММНЦН ЙПЕЛМХЪ, КЕЦХПНБЮММНЦН ЛЕРНДНЛ ХНММНИ ХЛОКЮМРЮЖХХ. тро, 33, 332 (1999).
ю.ц. йЮГЮМЯЙХИ, у. лЕКК, е.х. рЕПСЙНБ, о.ю. тНПЬ. оНЦКНЫЕМХЕ Х ТНРНОПНБНДХЛНЯРЭ Б ЙНЛОЕМЯХПНБЮММНЛ АНПНЛ ?Я-Si:H. тро, 34, 373 (2000).
ю.ц. йЮГЮМЯЙХИ, я.м. йНГКНБ, у. лЕКК, о.ю. тНПЬ. бКХЪМХЕ НЯБЕЫЕМХЪ МЮ ЩКЕЙРПХВЕЯЙХЕ Х ТНРНЩКЕЙРПХВЕЯЙХЕ ОЮПЮЛЕРПШ ?Я-Si:H, ЯКЮАНКЕЦХПНБЮММНЦН АНПНЛ. оХЯЭЛЮ Б фрт, 26, N 10, 17 (2000).
P.A. Forsh, A.G. Kazanskii, H. Mell, E.I. Terukov. Photoelectrical properties of microcrystalline silicon films. Thin Solid Films, 383, 251 (2001).
ю.ц. йЮГЮМЯЙХИ, у. лЕКК, е.х. рЕПСЙНБ, о.ю. тНПЬ. бКХЪМХЕ РЕЛОЕПЮРСПШ МЮ ТНРНОПНБНДХЛНЯРЭ Х ЙХМЕРХЙС ЕЕ ЯОЮДЮ Б ЛХЙПНЙПХЯРЮККХВЕЯЙНЛ ЙПЕЛМХХ. тро, 35, 991 (2001).
A.G. Kazanskii, H. Mell, G. Weiser, E.I. Terukov. Donor formation in plasma-deposited amorphous (a-Si:H) by erbium incorporation. J. Non-Cryst. Solids, 299-302, 704 (2002).
ю.ц. йЮГЮМЯЙХИ, у. лЕКК, е.х. рЕПСЙНБ, о.ю. тНПЬ. бКХЪМХЕ СПНБМЪ КЕЦХПНБЮМХЪ МЮ ТНРНОПНБНДХЛНЯРЭ ОКЕМНЙ ЛХЙПНЙПХЯРЮККХВЕЯЙНЦН ЦХДПХПНБЮММНЦН ЙПЕЛМХЪ. тро, 36, 41 (2002).
ю.ц. йЮГЮМЯЙХИ, у. лЕКК, е.х. рЕПСЙНБ, о.ю. тНПЬ. тНРНХМДСЖХПНБЮММШЕ ХГЛЕМЕМХЪ ОПНБНДХЛНЯРХ ОКЕМНЙ ЮЛНПТМНЦН ЦХДПХПНБЮММНЦН ЙПЕЛМХЪ, КЕЦХПНБЮММНЦН ЩПАХЕЛ. тро, Р. 37, Б. 7, Я. 793-795 (2003).
A.G. Kazanskii, M.V. Chukichev, P.A. Forsh, W. Fuhs. Creation of metastable defects in microcrystalline silicon films by keV-electron irradiation. J. Non-Cryst. Solids, v. 338-340, p. 378-381 (2004).
ю.ц. йЮГЮМЯЙХИ, е.х. рЕПСЙНБ, ю.б. гХЛХМНБ, н.б. цСЯЕБ, т.б. тЕМСУХМ, ю.ц. йНКНЯЙН, х.м. рПЮОЕГМХЙНБЮ, ч.ю. мХЙНКЮЕБ, аЕИ лНДС. бКХЪМХЕ ЯРПСЙРСПШ ЛНКЕЙСК МЮ ЯОЕЙРПШ ТНРНКЧЛХМЕЯЖЕМЖХХ Х ОНЦКНЫЕМХЪ РНМЙХУ ОКЕМНЙ ТРЮКНЖХЮМХМЮ ЛЕДХ Б АКХФМЕИ хй НАКЮЯРХ ЯОЕЙРПЮ. оХЯЭЛЮ Б фрт, Р. 31, Б. 18, Я. 37-43 (2005).
A.G. Kazanskii, K.Yu. Khabarova, E.I. Terukov. Modulated photoconductivity method for investigation of band gap state distribution in silicon-based thin films. J. Non-Cryst. Solids, v. 352, p. 1176-1179 (2006).
M.R. Esmaeili-Rad, A. Sazonov, A.G. Kazanskii, A.A. Khomich, N. Nathan. Optical properties of nanocrystalline silicon deposited by PECVD. J. Mater. Sci.: Mater. in Electronics, v. 18, Suppl. 1, p. S405-S409 (2007).
A.G. Kazanskii, G. Kong, X. Zeng, H. Hao, F. Liu. Peculiarity of constant photocurrent method for silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline structure. J. Non-Cryst. Solids, v. 354, p. 2282-2285 (2008).
ю.ц. йЮГЮМЯЙХИ, е.м. рЕПСЙНБ, о.ю. тНПЬ, J.P. Kleider. тНРНОПНБНДХЛНЯРЭ ОКЕМНЙ ЦХДПХПНБЮММНЦН ЙПЕЛМХЪ Я ДБСУТЮГМНИ ЯРПСЙРСПНИ. тро, Р. 44, Я. 513 (2010).
A.G. Kazanskii, G. Kong, X. Zeng, H. Hao. Effect of light soaking on CPM absorption spectra in silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline structure. Phys. Status Solidi C, v. 7, p. 666 (2010).
ю.ц. йЮГЮМЯЙХИ, е.х. рЕПСЙНБ, о.ю. тНПЬ, л.б. уЕМЙХМ. нЯНАЕММНЯРХ ТНРНЩКЕЙРПХВЕЯЙХУ Х НОРХВЕЯЙХУ ЯБНИЯРБ ОКЕМНЙ ЮЛНПТМНЦН ЦХДПНЦЕМХГХПНБЮММНЦН ЙПЕЛМХЪ, ОНКСВЕММШУ ОКЮГЛНУХЛХВЕЯЙХЛ НЯЮФДЕМХЕЛ ХГ ЯЛЕЯХ ЛНМНЯХКЮМЮ Я БНДНПНДНЛ. тро, Р. 45, Я. 518 (2011).
еЛЕКЭЪМНБ ю.б., йЮГЮМЯЙХИ ю.ц., йЮЬЙЮПНБ о.й., йНМЭЙНБ н.х., рЕПСЙНБ е.х., тНПЬ о.ю., уЕМЙХМ л.б., йСЙХМ ю.б., Beresna M., Kazansky P. бКХЪМХЕ ТЕЛРНЯЕЙСМДМНЦН КЮГЕПМНЦН НАКСВЕМХЪ ОКЕМНЙ ЮЛНПТМНЦН ЦХДПНЦЕМХГХПНБЮММНЦН ЙПЕЛМХЪ МЮ ХУ ЯРПСЙРСПМШЕ, НОРХВЕЯЙХЕ Х ТНРНЩКЕЙРПХВЕЯЙХЕ ЯБНИЯРБЮ. тХГ. Х РЕУМ. ОНКСОПНБНДМ., Р. 46, Б. 6, Я. 769-774 (2012).
Emelyanov A.V., Kazanskii A.G., Khenkin M.V., Forsh P.A., Kashkarov P.K., Lyubin E.V., Khomich A.A., Gecevicius M., Beresna M., Kazansky P.G. Structural and electrophysical properties of femtosecond laser exposed hydrogenated amorphous silicon films. Photonics for Solar Energy Systems IV, edited by Ralf Wehrspohn, Andreas Gombert, Proc. of SPIE, v. 8438, p. 84381I-1 -84381I-2 (2012).
Emelyanov A.V., Kazanskii A.G., Khenkin M.V., Forsh P.A., Kashkarov P.K., Gecevicius M., Beresna M., Kazansky P.G. Visible luminescence from hydrogenated amorphous silicon modified by femtosecond laser radiation. Appl. Phys. Lett., v. 101, p. 081902 (2012).
еЛЕКЭЪМНБ ю.б., йЮГЮМЯЙХИ ю.ц., йНМЯРЮМРХМНБЮ е.ю. тНПЬ о.ю., уЕМЙХМ л.б., оЕРПНБЮ м.м., рЕПСЙНБ е.х., йХПХКЕМЙН д.ю., аЕПР м.ю., йНММХЙНБ я.ц., йЮЬЙЮПНБ о.й. нЯНАЕММНЯРХ ЯРПСЙРСПШ Х ДЕТЕЙРМШУ ЯНЯРНЪМХИ Б ОКЕМЙЮУ ЦХДПНЦЕМХГХПНБЮММНЦН ОНКХЛНПТМНЦН ЙПЕЛМХЪ. оХЯЭЛЮ Б фщрт, Р. 97, Б. 8, Я. 536-540 (2013).
уЕМЙХМ л.б., йЮГЮМЯЙХИ ю.ц., еЛЕКЭЪМНБ ю.б., тНПЬ о.ю., йЮЬЙЮПНБ о.й., рЕПСЙНБ е.х., нПЕУНБ д.к., Roca i Cabarrocas P. бКХЪМХЕ СЯКНБХИ ОНКСВЕМХЪ ОКЕМНЙ ОНКХЛНПТМНЦН ЙПЕЛМХЪ МЮ ХУ ЯРПСЙРСПМШЕ, ЩКЕЙРПХВЕЯЙХЕ Х НОРХВЕЯЙХЕ ЯБНИЯРБЮ. тро, Р. 47, Б. 9, Я. 1283-1286 (2013).
йЮЬЙЮПНБ о.й., йЮГЮМЯЙХИ ю.ц., тНПЬ о.ю., еЛЕКЭЪМНБ ю.б. рНМЙНОКЕМНВМШЕ ЯНКМЕВМШЕ ЩКЕЛЕМРШ Б ОПНЬКНЛ Х АСДСЫЕЛ. оПХПНДЮ, Б. 12, Я. 56-64 (2013).
Khenkin M., Kazanskii A., Emelyanov A., Forsh P., Beresna M., Gecevicius M., Kazansky P. Effect of hydrogen concentration on structure and photoelectric properties of a-Si:H films modified by femtosecond laser pulses. Canadian Journal of Physics, v. 92, No. 7/8, p. 883-887 (2014).
Emelyanov A.V., Khenkin M.V., Kazanskii A.G., Forsh P.A., Kashkarov P.K., Gecevicius M., Beresna M., Kazansky P.G. Femtosecond laser induced crystallization of hydrogenated amorphous silicon for photovoltaic applications. Thin Solid Films, v. 556, p. 410-413 (2014).
еЛЕКЭЪМНБ ю.б., йЮГЮМЯЙХИ ю.ц., йЮЬЙЮПНБ о.й., йНМЭЙНБ н.х., йСРСГНБ м.о., кЪЯЙНБЯЙХИ б.к., тНПЬ о.ю., уЕМЙХМ л.б. хГЛЕМЕМХЕ ЯРПСЙРСПШ ОКЕМНЙ ЮЛНПТМНЦН ЦХДПНЦЕМХГХПНБЮММНЦН ЙПЕЛМХЪ Х ЙНМЖЕМРПЮЖХХ БНДНПНДЮ Б МХУ ОПХ ТЕЛРНЯЕЙСМДМНИ КЮГЕПМНИ ЙПХЯРЮККХГЮЖХХ. оХЯЭЛЮ Б фрт, Р. 40, Б. 4, Я. 1-8 (2014).
Khenkin M., Kazanskii A., Emelyanov A., Forsh P., Kon'kov O., Beresna M., Gecevicius M., Kazansky P. Post-hydrogenation of amorphous hydrogenated silicon films modified by femtosecond laser irradiation. Proceedings of SPIE, v. 9140, p. 914012 (2014) (7 pp.).
лЮКНБ б.б., йЮГЮМЯЙХИ ю.ц., уЕМЙХМ л.б., рЮЛЕЕБ ю.п.. нОПЕДЕКЕМХЕ ЙПЮЪ НОРХВЕЯЙНЦН ОНЦКНЫЕМХЪ Б НПЦЮМХВЕЯЙХУ ОНКСОПНБНДМХЙНБШУ ЙНЛОНГХРЮУ Я НАЗЕЛМШЛ ЦЕРЕПНОЕПЕУНДНЛ ЛЕРНДНЛ ОНЯРНЪММНЦН ТНРНРНЙЮ. оХЯЭЛЮ Б фрт, Р. 40, Б. 17, Я. 22-29 (2014).

Scopus page

оСАКХВМШЕ КЕЙЖХХ

нЯМНБМШЕ МЮОПЮБКЕМХЪ Х ОЕПЯОЕЙРХБШ ПЮГБХРХЪ РНМЙНОКЕМНВМШУ ЯНКМЕВМШУ ЩКЕЛЕМРНБ

кЕЙЖХНММШЕ ЙСПЯШ

йННПДХМЮРШ

рЕКЕТНМ: (495) 939-4118
E-mail: kazanski@phys.msu.ru
кЮАНПЮРНПХЪ: ЙНЛМ. 2-79

йЮТЕДПЮ ТХГХЙХ ОНКСОПНБНДМХЙНБ