Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://scon155.phys.msu.su/rus/amorph-si.html
Дата изменения: Sat Dec 4 18:45:59 2010
Дата индексирования: Mon Oct 1 20:12:18 2012
Кодировка: koi8-r
Поисковые слова: легирование
Аморфные и микрокристаллические полупроводники

Аморфные и микрокристаллические полупроводники

Аморфный и микрокристаллический гидрированный кремний - основа тонкопленочной электроники наступающего ХХI века. Уникальные свойства этих материалов уже в настоящее время привели к созданию на их основе функциональных тонкопленочных структур, используемых в солнечной энергетике, микроэлектронике и оптоэлектронике. Возможность формирования пленок и тонкопленочных структур большой площади открывает широкие перспективы для применения аморфного и микрокристаллического кремния в приборах регистрации и отображения информации. Фундаментальные исследования этих материалов связаны с проблемами физики неупорядоченных конденсированных сред и стимулируются перспективами их практических применений.

На кафедре гл. науч. сотр. А.Г. Казанским, старш. науч. сотр. И.А. Куровой и старш. науч. сотр. Н.Н. Ормонт проводятся исследования электрических, фотоэлектрических и оптических свойств аморфного и микрокристаллического кремния. Изучаются процессы генерации, переноса и рекомбинации неравновесных носителей в широкой области температур и в зависимости от типа и уровня легирования с целью определения механизмов этих процессов. Особое внимание уделяется исследованиям механизмов образования и релаксации метастабильных состояний в этих материалах, возникающих под влиянием внешних воздействий, в частности, световых и тепловых. Работа ведется совместно с учеными ряда научно-исследовательских институтов России (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург; ГИРЕДМЕТ, г. Москва) и учеными Германии (Марбургский университет, Институт Хана-Метнер (Берлин)).

[photo] [photo]

Другие направления научной работы на кафедре
На основную страницу