Научные публикации кафедры физики полупроводников за 2001 год

Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://scon155.phys.msu.su/publ/list01.html
Дата изменения: Fri May 14 14:51:46 2010
Дата индексирования: Mon Oct 1 20:02:10 2012
Кодировка: koi8-r
Поисковые слова: электронная температура

Статьи

Zvyagin I.P., Keiper R. Conduction in Granular Metals by Hopping via Virtual States. Phil. Mag. B, v. 81, N 9, p. 997-1009 (2001).
Миронов А.Г. Обменные эффекты в двумерном электронном газе полупроводника при конечных температурах. Вестник МГУ. Серия 3. Физика. Астрономия, т. 42, в. 5, с. 61-64 (2001).
Lebedev A., Sluchinskaya I., Munro I. EXAFS study of PbS-SnS solid solution. - Journal of Synchrotron Radiation, v. 8, p. 800-802 (2001).
Морозова В.А., Кошелев О.Г., Веретенкин Е.П, Гаврин В.Н., Козлова Ю.П., Марков А.В., Поляков А.Я. О концентрации центров EL2 в монокристаллах GaAs, выращенных из расплавов различного состава. Вестник МГУ. Сер. 3. Физика. Астрономия, т. 42, в. 3, c. 66-70 (2001).
Garvin V.N., Kozlova Y.P., Veretenkin E.P., Bowles T.J., Eremin V.K., Verbitskaya E.M., Markov A.V., Polakov A.Y., Koshelev O.G, Morozova V.A. Bulk GaAs as a Solar Neutrino Detector. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, A 466, р. 119-125 (2001).
Forsh P.A., Kazanskii A.G., Mell H., Terukov E.I. Photoelectrical properties of microcrystalline silicon films. Thin Solid Films, v. 383, N 1-2, p. 251-255 (2001).
Казанский А.Г., Мелл Х., Теруков Е.И., Форш П.А. Влияние температуры на фотопроводимость и кинетику ее спада в микрокристаллическом кремнии. Физ. и техн. полупроводн., т. 35, в. 8, с. 99-103 (2001).
Казанский А.Г., Форш П.А. Влияние освещения на параметры пленок микрокристаллического гидрированного кремния с различным уровнем легирования бором. Вестник МГУ. Серия 3. Физика. Астрономия, т. 42, в. 6, c. 55-58 (2001).
Курова И.А., Ормонт Н.Н., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н., Афанасьев А.П., Гудовских А.С. Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H и влияние на них термического отжига. Физ. и техн. полупроводн., т. 35, в. 3, с. 115-118 (2001).
Курова И.А., Ормонт Н.Н. Особенности эффекта Стеблера-Вронского при повышенных температурах в высокоомных нелегированных пленках a-Si:H. Вестник МГУ. Сер.3. Физика. Астрономия, т. 42, в. 4, с. 62-65 (2001).
Юнович А.Э. Знание - сила, или как понимание физики изменяет жизнь людей. Знание - Сила, в. 6, с. 60-64 (2000).
Юнович А.Э. Свет из гетеропереходов. Природа, в. 6, с. 38-46 (2001).
Кудряшов В.Е., Мамакин С.С., Туркин А.Н., Юнович А.Э., Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И. Спектры и квантовый выход излучения светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами - зависимость от тока и напряжения. Физ. и техн. полупроводн., т. 35, в. 7, с. 861-868 (2001).
Yunovich A.E., Kudryashov V.E. Energy Diagram and Recombination Mechanisms in Heterostructures InGaN/AlGaN/GaN with Quantum Wells. Phys. Status Solidi B, v. 228, N 1, p. 141-145 (2001).
Один И.Н., Чукичев М.В., Иванов В.И., Рубина М.Э. Люминесценция кристаллов CdS, CdSe, CdTe, легированных кремнием и тройным раствором соединений Cd4SiS6, Cd4SiSe6. - Изв. РАН. Неорган. материалы, т. 37, в. 5, с. 536-539 (2001).

Тезисы докладов на конференциях

Zhukov E., Masumoto Y., Dneprovskii V., Muljarov E., Chernoutsan K., Romanov S. Excitons in InP quantum wires with dielectric barriers. Proc. of 25th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (Osaka, Japan, 2000), Part II, p. 1275-1276.
Gavrilov S.A., Tikhonova S.Yu., Lemeshko S.V., Zhukov E.A., Belogorokhov A.I., Belogorokhova L.I. Principles of CdS nanowire array formation by electrodeposition into porous anodic alumina. Proc. of 25th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (Osaka, Japan, 2000), Part II, p. 1745-1746.
Dneprovskii V., Gavrilov S.A., Muljarov E., Syrnicov A., Zhukov E. Optical properties of CdS nanostructures crystallized in the pores of insulating template. Proc. 9th Int. Symp. "Nanostructures: physics and technology" (St.Petersburg, Russia, 2001), p. 131-134.
Zvyagin I.P., Keiper R. On the Conduction Mechanism in Granular Materials. 9th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St.Petersburg, Russia, 2001), p. 510-513.
Звягин И.П., Миронов А.Г. Электронные сверхструктуры в полупроводниковых сверхрешетках при конечных температурах. Ломоносовские чтения 2001. Секция физики. Сб. расш. тез. докл. Изд. МГУ, физфак, 2001, с. 68-72.
Zvyagin I.P., Keiper R. Conduction in Granular Metals: Virtual State-Assisted Hopping. 9th Int. Conf. on Hopping and Related Phenomena. Shefayim, Israel, 3-6 September 2001. Abstracts.
Ormont M.A., Zvyagin I.P. Effect of Coulomb Interactions on the Density of States in Intentionally Disordered Superlattices. 9th Int. Conf. on Hopping and Related Phenomena. Shefayim, Israel, 3-6 September 2001. Abstracts.
Кайпер Р., Звягин И.П. Виртуальное туннелирование в гранулированных материалах. Всеросс. конф. по физике полупроводн. "Полупроводники-2001" (Нижний Новгород, 2001). Тез. докл., с. 31.
Ормонт М.А., Звягин И.П. Влияние кулоновских полей на плотность состояний в легированных сверхрешетках с вертикальным беспорядком. Всеросс. конф. по физ. полупроводн. "Полупроводники-2001" (Нижний Новгород, 2001). Тез. докл., с. 297.
Борисов К.Е., Звягин И.П. Вертикальный прыжковый электронный перенос с участием фононов и примесей в сверхрешетках с контролируемым беспорядком. Третья всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (С.-Петербург, 2001). Тез. докл., с. 38.
Ормонт Н.Н., Курова И.А., Звягин И.П. Аномальная кинетика процессов, связанных с фотоиндуцированными метастабильными состояниями в аморфном гидрированном кремнии. Всеросс. конф. по физ. полупроводн. "Полупроводники-2001" (Нижний Новгород, 2001). Тез. докл., с. 153.
Дорофеев С.Г., Лебедев А.И., Никитенко С.Г., Случинская И.А., Тананаева О.И. Определение зарядового состояния тулия в PbTe методом XANES. Тез. докл. 3-й Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (РСНЭ-2001, Москва, май 2001), с. 98.
Лебедев А.И., Случинская И.А., Минаев В.И., Манро И. Исследование локальной структуры твердого раствора PbS-PbSe методом EXAFS. - Тез. докл. 3-й Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (РСНЭ-2001, Москва, май 2001), с. 146.
Морозова В.А., Маренкин С.Ф., Кошелев О.Г. Структурные дефекты в ZnAs2. V Российская конф. по физ. полупроводн. "Полупроводники-2001" (Нижний Новгород, 2001). Тез. докл., т. 2, с. 369.
Marenkin S.F., Morozova V.A., Koshelev O.G., Mikhailov S.G. Anomalous light propagation in ZnAs2. Int. Conf. on materials and condensed matter physics (Kishinev, July 2001), p. 43.
Кошелев О.Г., Форш Е.А. О применении открытого резонатора для контроля профиля фотопроводимости высокоомных пластин кремния. Международная межвузовская конференция "Современные проблемы электроники и радиофизики СВЧ" (Саратов, март 2001), с. 95-96.
Казанский А.Г. Оптические и фотоэлектрические свойства аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием. Тезисы лекций и докладов Второй Российской школы ученых и молодых специалистов по материаловедению и технологиям получения легированных кристаллов кремния. ("Кремний. Школа-2001"), Москва, с. 5.
Казанский А.Г., Mell H., Weiser G. Влияние положения уровня Ферми на концентрацию дефектов и фотопроводимость в пленках аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием. Тез. докл. V Российской конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, 2001), с. 365.
Kazanskii A.G., Mell H., Weiser G., Terukov E.I. Donor formation in plasma-deposited amorphous silicon (a-Si:H) by erbium incorporation. Abstracts of 19 Int. Conf. on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors, Nice, p. 251 (2001).
Обыден С.К., Сапарин Г.В., Иванников П.В., Чукичев М.В., Юнович А.Э., Шелементьев Ю.Б., Викторов М.А. Исследование алмазных пленок и структур на основе нитрида галлия методами локальной цветной катодолюминесценции в РЭМ. Алмазные и алмазоподобные пленки, Труды 12 Междунар. симп. "Тонкие пленки в электронике" (Харьков, Украина, апрель 2001 г.), с. 72-76.
Абрамов В.С., Агафонов Д.Р., Юнович А.Э. Белые светодиоды на основе GaN гетероструктур с люминофорным покрытием. Междунар. конф. "Оптика, Оптоэлектроника и Технология" (Ульяновск, 2001). Тез. докл., с. 28.
Yunovich A.E., Kudryashov V.E. Energy Diagram and Recombination Mechanisms in heterostructures InGaN/AlGaN/GaN with Quantum Wells. 4th Int. Conf. in Nitride Semiconductors, Denver, USA, July 16-20, 2001, Abstract P4.18, Abstr. book, p. 18.
Мамакин С.С., Обыдена С.С. Сверхъяркие светодиоды на основе гетероструктур AlInGaP. Междунар. конф. студентов и аспирантов "Ломоносов-2001" (апрель 2001). Тез. докл., с. 201-203.
Мамакин С.С., Чугунов А.А. Цветовые характеристики белых светодиодов. Междунар. конф. студентов и асп. "Ломоносов-2001", Тез. докл., апрель 2001, с. 206-208.
Мамакин С.С., Чугунов А.А., Зубилевич В.З. Кинетика и угловая зависимость люминесценции белых светодиодов. 1-ая Российская конф. молодых ученых по физическому материаловедению (Калуга, октябрь 2001). Тез. докл. с. 54-55.
Юнович А.Э., Кудряшов В.Е., Мамакин С.С., Туркин А.Н. Спектры люминесценции светодиодов и лазеров на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами. XXII съезд по Спектроскопии (Звенигород, октябрь 2001). Тез. докл., с. 11.
Маняхин Ф.И., Ваттана А.Б., Мамакин С.С., Юнович А.Э. Электрические свойства и спектры люминесценции светодиодов на основе модулированно легированных гетероструктур с квантовыми ямами типа InGaN/GaN. Всероссийская Конференция "Нитриды галлия, алюминия и индия - структуры и приборы", 1-2 ноября 2001 г., Москва, физфак МГУ. Тез. докл., с. 27-28.
Мамакин С.С., Чугунов А.А., Юнович А.Э., Зубелевич В.З., Луценко Е.В. Угловая зависимость и кинетика спектров излучения белых светодиодов. Всероссийская Конференция "Нитриды галлия, алюминия и индия - структуры и приборы", 1-2 ноября 2001 г., Москва, физфак МГУ, тез. докл., с. 28.
Автухов А.А., Татьянина Н.А., Макрушин С.Р., Еремин Н.В., Климов С.В., Чукичев М.В. Отличительные особенности детекторов ионизирующих излучений на природном алмазе IIa и промежуточного типов. Научно-технический сборник, вып. 3 (по материалам конференции "Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2000"). М.Паим, 2000, с. 119-121.
Чукичев М.В., Атаев Б.М., Мамедов В.В., Аливов Я.И., Заварин Е.Е. Катодолюминесценция гетероэпитаксиальных структур ZnO/GaN/?-Al2O3 и ZnO/?-Al2O3, полученных методом химического транспорта. Труды международной конференции "Оптика, оптоэлектроника и технологии" (Ульяновск, 2001 г.), с. 33.
Чегнов В.П., Чукичев М.В., Один И.Н., Колониус С.Д., Рубина М.Э. Катодолюминесценция кристаллов сульфида кадмия, легированных теллуром. Междунар. конф. по люминесценции, посвященная 110-летию со дня рождения академика С.И. Вавилова (Москва, 17-19 октября 2001 г.). Тез. докл., с. 230.
Чукичев М.В., Атаев Б.М., Мамедов В.В., Аливов Я.И. Влияние меди на спектр люминесценции пленок ZnO. Междунар. конф. по люминесценции, посвященная 110-летию со дня рождения академика С.И. Вавилова (Москва, 17-19 октября 2001 г.). Тез. докл., с. 231.
Ермаков О.Н., Чукичев М.В. Исследование возможностей люминесцентной спектроскопии для анализа структур нитрида галлия на сапфире. Междунар. конф. по люминесценции, посвященная 110-летию со дня рождения академика С.И. Вавилова (Москва, 17-19 октября 2001 г.). Тез. докл., с. 249.
Чукичев М.В., Атаев Б.М., Мамедов В.В., Аливов Я.И., Ходос И.И., Заварин Е.Е. Оптические свойства пленок ZnO, выращенных на GaN/Al2O3 методом химического транспорта. Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" (Москва, 1-2 ноября 2001 г.). Тез. докл., с. 4.
Черных К.Ю., Спицын Б.В., Мельник Н.Н., Прелас М.А., Спицын А.В., Стоян В.П., Петров В.И., Чукичев М.В. Наращивание пленок AlN и GaN из монопрекурсоров на Si и алмазе. Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" (Москва, 1-2 ноября 2001 г.). Тез. докл., с. 9.
Александрова Г.А., Ермаков О.Н., Соловьев В.В., Анухтин Б.О., Чукичев М.В. Влияние физико-технологических факторов на характеристики эпитаксиальных структур, в системе In-Ga-N, полученные эпитаксией из металлорганических соединений, Всероссийская конференция "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" (Москва, 1-2 ноября 2001 г.). Тез. докл., с. 11.
Туркин А.Н., Улитин А.В., Чукичев М.В. Спектры катодолюминесценции гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN. Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" (Москва, 1-2 ноября 2001 г.). Тез. докл., с. 20.
Chukichev M.V. and Alivov A.Ya. Quantum Confinement Effects in Luminescence of Polycrystalline ZnO films. 3rd Int. Conf. "Physics of Low-Dimensional structures". Chernogolovka, Moscow District, Russia, 15-20 October 2001. p. 74.
Исаков Д.В., Колониус С.Д., Старков А.С., Чукичев М.В. Примесная катодолюминесценция пленок твердых растворов AlxGa1-xN/Si(111). Третья Всеросс. молодежная конф. по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2001). Тез. докл., с. 5.
Odin I.N., Chukichev M.V., Ivanov V.A., Rubina M.E. Phase diagrams and luminescent properties of phase in the Cd-Si-Se(S) systems. - 6th Int. School-Conference "Phase diagrams in material science" (Kiev, Ukraine, 14-20 October, 2001). Technical Program & Abstracts, p. 110.

Электронные публикации

Громадин А.Л., Курова И.А., Ормонт Н.Н. Получение высокоомных тонких пленок a-Si:H при слабом легировании бором и особенности их фотоэлектрических свойств. IV Международная конференция "Рост монокристаллов и тепломассоперенос" ICSC-01, 24-28 сентября 2001, г. Обнинск. (Стендовые доклады, секция 1, Электронный адрес: www.icsc.narod.ru).

Публикации за другие годы
Кафедра физики полупроводников