Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://scon155.phys.msu.su/publ/kaz2002-1.html
Дата изменения: Fri Nov 8 20:04:44 2002 Дата индексирования: Mon Oct 1 20:20:49 2012 Кодировка: koi8-r Поисковые слова: легирование |
Исследовано влияние уровня легирования бором пленок микрокристаллического гидрированного кремния на температурные зависимости стационарной фотопроводимости и времени фотоответа. Измерения проведены в области температур 130-450 K при облучении пленок квантами света с энергией 1.4 эВ. Получено, что с ростом уровня легирования величина стационарной фотопроводимости и время фотоответа возрастают. Предложена модель рекомбинации неравновесных носителей, учитывающая многофазную структуру микрокристаллического кремния и позволяющая удовлетворительно объяснить полученные результаты.