Электронные сверхструктуры в легированных сверхрешетках

С использованием подхода, основанного на теории функционала плотности, показано, что в легированных композиционных сверхрешетках при низких температурах и при не слишком больших концентрациях примеси обменно-корреляционный вклад в энергию системы может превысить сумму вклада кинетической энергии и хартриевского вклада, связанного с перераспределением носителей между ямами. В результате основное состояние системы может отвечать неоднородному распределению электронов между ямами. Найдены условия устойчивости однородного состояния относительно малых и конечных флуктуаций плотности и построена фазовая диаграмма. Обсуждается нелинейная теория неоднородного состояния.