Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://kvant.mccme.ru/pdf/1998/04/03.pdf Дата изменения: Fri Dec 23 19:24:40 2005 Дата индексирования: Tue Oct 2 00:10:18 2012 Кодировка: Windows-1251 Поисковые слова: флуоресценция

К

90-ЛЕТИЮ

СО

ДНЯ

РОЖДЕНИЯ

И.К.КИКОИНА

3

ФЭМ-эффект
И.КИКОИН, С.ЛАЗАРЕВ

Ф
h

(ФЭМ) эффект был открыт одним из нас в 1934 году. Заключается этот эффект в следующем. Если освещать полупроводник, помещенный в магнитное поле, то в нем возникает электродвижущая сила. На рисунке 1 приведена схема экспериB a A

ОТОЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЙ

X
Рис. 1

Z

a Y

A

мента, в котором обнаруживается фотоэлектромагнитный эффект. Полупроводник в виде прямоугольной

пластинки помещен в магнитное поле, направленное вдоль оси Х. Вдоль оси Y на поверхность пластинки падает пучок света. Тогда между гранями а и a вдоль оси Z возникает разность потенциалов, которую мы в дальнейшем будем называть фотоэлектромагнитной ЭДС. Если на эти грани нанести электроды и замкнуть их проводником, то включенный в цепь измерительный прибор зарегистрирует наличие тока в цепи. В первых экспериментах, в которых был обнаружен ФЭМ-эффект, использовались пластинки из закиси меди ( Cu2O ). В то время закись меди была самым 'модным' веществом, на котором подробно изучались основные закономерности, касающиеся полупроводников. Можно сказать, что в 30-х годах началась эра полупроводников, которым суждено было совершить революцию в радиоэлект-

ронной технике. Описанные выше опыты проводились на образцах закиси меди при температуре жидкого азота (77 К). В небольшом магнитном поле (с индукцией около 1 Тл) при освещении образца довольно слабым светом от лампочки карманного фонарика разность потенциалов между точками А и A (расстояние между ними было около 2 см) достигала 1520 В! Опыты показали, что знак фотоэлектромагнитной ЭДС, а следовательно, и направление электрического поля в образце меняются при изменении направления внешнего магнитного поля. А при заданном направлении поля знак ЭДС меняется, если изменить направление падающего на образец света (т.е. осветить противоположную поверхность образца). При освещении образца в отсутствие магнитного поля ЭДС не возникает.

Иллюстрация П.Чернуского
1*