ПРЕДВАРИТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА

XXXV Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (PCI-2005)

Часть I

ФИЗИКА ОРИЕНТАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ

31 мая, вторник, 11⁰⁰ - 12³⁰

1 утреннее заседание

Председатель А.Ф. Тулинов

Вступительное слово - профессор А.Ф. Тулинов

1. С.В. Адаменко, В.И.Высоцкий. Экспериментальное обнаружение и моделирование ориентационного движения гипотетических магнитозаряженных частиц на многослойной поверхности. (15 мин.)

2. К.А. Вохмянина, Г.П. Похил. Транспортировка и фокусировка пучков заряженных частиц с помощью диэлектрических каналов (15 мин.)

3. В.С. Малышевский. Эволюция зарядового состояния тяжелых ионов при каналировании в кристаллах (15 мин.)

12³⁰ - 13¹⁵ обсуждение стендовых докладов

31 мая, вторник, 13¹⁵ - 14¹⁵

II утреннее заседание

Председатель Г.П. Похил

1. С.В. Афанасьев, А.С. Артемов, А.Н. Ефимов, А.П. Потылицын. Параметрическое рентгеновское излучение протонов с энергией 5 ГэВ в кристаллах кремния и графита (15 мин.)

2. Ю.П. Кунашенко. Когерентное образование атома антиводорода в кристалле (15 мин.)

3. G.V. Kovalev. The theory of focusing of high energy ions by bent crystals of special shape (15 мин.)

4. В.А.Александров, Г.М.Филиппов. Оценки вероятности выживания и перезарядки водородоподобного иона при пролете через пленку (15 мин.)

Стендовые доклады

Л. Л. Балашова. Влияние возбуждения нейтрального атома на его торможение при прохождении через вещество

Г.М. Филиппов, А.Р. Латаев. Поляризация проводящей сферы движущимися заряженными частицами

Г.М. Филиппов. Расчет энергетического распределения движущейся частицы в пленке при помощи матрицы плотности

В.И. Савельев, Г.М. Филиппов. Оценки сечений перезарядки при помощи численного решения нестационарного уравнения Шредингера

В.В.Самарин. Перезарядка, каналирование и пробеги медленных тяжелых ионов в кристалле кремния

В.В.Самарин, А.Г.Кадменский. Энергетическая зависимость угловых распределений быстрых тяжелых ионов при каналировании в кристалле кремния

В.К. Гудым, Е.В. Андреева. Рассеяние электронов высокой энергии протонами в поле биномиального потенциала

А.Х.Хоконов. Глубоко неупругое рассеяние лептонов на адронах во внешнем поле ориентированного кристалла

А.Х.Хоконов. Нарушение стабильности вакуума при сверхвысоких энергиях в ориентированных кристаллах

В. В. Тихомиров. Увеличение эффективности захвата в режим каналирования

Н.В. Новиков, Я.А. Теплова, Ю.А. Файнберг. глубина проникновения ионов, падающих на металлическую поверхность при небольших углах скольжения

И.С. Дмитриев, Я.А. Теплова, Ю.А. Файнберг. исследование перезарядки водородоподобных ионов бора

М.К. Губкин, А.А. Барат. ХПЭ зарядовых фракций медленных ионов, отраженных поверхностью металла

А.К. Холодов, В.П. Кощеев, Д.А. Моргун. Влияние многократного рассеяния на распределение частиц по поперечным энергиям в переходной области ось-плоскость

В.П. Кощеев, А.К. Холодов, Н.В. Сафин, Д.А. Моргун. Флуктуационный механизм потерь энергии каналированных ионов

Н.В. Сафин, В.П. Кощеев, Д.А. Моргун. Деканалирование ионов в переходной области ось-плоскость

Ю.Ф. Блинов, П.В Серба. Моделирование процесса обратного рассеяния методом Монте-Карло

В.И. Ефремов, В.А. Долгих, Ю.Л. Пивоваров. Особенности многократного рассеяния отрицательно и положительно зяряженных частиц в кристалле вольфрама

Ю.Л.Пивоваров, В.А.Долгих. Компьютерное моделирование электромагнитной диссоциации релятивистских дейтронов при каналировании в кристалле вольфрама

А.А. Алиев, З.А. Исаханов, С. Худайбердиев, М.К. Рузибаева. Ориентационная зависимость потери энергии электронов, рассеянных поверхностью монокристаллов тугоплавких металлов

В.И. Высоцкий, М.В. Высоцкий, Н.В. Максюта. Активная оптика пролетных пучков релятивистских частиц в режиме когерентного каналирования

Н.В. Максюта. Фрактальный сценарий возникновения частиц в процессе каналирования электронов и позитронов в кристаллоподобном вакууме

А.Г. Кадменский, Е.Е. Михайлова. Модификация статистической теории осевого каналирования

А.Г. Кадменский, В.В. Самарин. Двойное каналирование и другие проявления нелинейной динамики заряженных частиц и ионов в непрерывном потенциале кристалла при осевом каналировании

Г.П. Похил, В.В. Чердынцев, Т.В. Гранкина. Особенности эффекта поперечного охлаждения и нагрева каналированных ионов

Е.В. Васютин, В.В. Погосов. Модельные представления температурной и размерной зависимости потенциала ионизации кластеров и энергии прилипания электронов

С.Д. Богданов, Е.Я. Шабля, В.А. Бакаев, С. Вокал, В.Ф. Космач, Н.Н. Леонов, В.А. Плющев. Изменение траекторий ионов золота при взаимодействии с тяжелыми ядрами фотоэмульсии

В.А. Евсеенко, Н.П. Калашников. Исследование механизма диссоциации молекулы водорода при взаимодействии с антипротонов

М.Н. Бекназаров, С.В. Блажевич. Акустический эффект импульсного воздействия пучком релятивистских электронов на тонкую пластину эллипсной формы

G. V. Kovalev. The parabolic equation method for scattering and channeling in bent crystals with variable curvature

Н.А. Скакун, В.М. Шершнев. Определение амплитуды тепловых колебаний атомов с помощью каналированных частиц

Н.А. Скакун, В.М. Шершнев. Электронные потери энергии гиперканалированных частиц

Л.А. Жиляков, В.С. Куликаускас, Г.П. Похил, В.Б. Фридман, Д.В. Пресняков. Скользящее взаимодействие пучков ускоренных заряженных частиц с равномерно заряженной диэлектрической пластиной

Часть II

ИЗЛУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ И ПОЗИТРОНОВ В ТВЕРДОМ ТЕЛЕ

31 мая, вторник, 15¹⁵ - 16³⁰

I вечернее заседание

Председатель Н.Н. Насонов

1. В.В. Каплин, С.Р. Углов, О.Ф. Булаев, А.А. Воронин, В.А. Москалев, M. Piestrup, Ch. Gary. Генерация параметрического рентгеновского излучения бетатронным пучком в кристаллах периодических наноструктурах (15 мин.)

2. Н.Ф. Шульга, В.В. Сыщенко, В.В. Бойко. Сравнительный анализ сечений излучения релятивистских электронов в кристаллах, полученных на основе операторного квазиклассического метода и диаграммной техники Фейнмана

Н.Ф. Шульга, Д. Н. Тютюнник. О рассеянии и когерентном излучении релятивистских электронов при их столкновении с коротким и узким сгустком релятивистских частиц (Объединенный доклад 20 мин.)

3. А.Н. Алейник, А.Н. Балдин, И.Е. Внуков, Б.Н. Калинин, Е.А. Каратаева, А.С. Кубанкин, Н.Н. Насонов, А.П. Потылицын, А.Ф. Шарафутдинов. Параметрическое рентгеновское излучение под малыми углами к направлению скорости релятивистских электронов, движущихся в кристалле вольфрама (15 мин.)

4. В.К. Гришин. Рентгеновское тормозное излучение быстрых ионов и атомов в структурированных средах

В.К. Гришин. Рентгеновское тормозное излучение электрон-позитрон пары в кристаллических средах (Объединенный доклад 20 мин.)

16³⁰ - 17¹⁵ обсуждение стендовых докладов

31 мая, вторник, 17¹⁵ - 18⁴⁵

II вечернее заседание

Председатель Н.Ф. Шульга

1. В.Н. Забаев, С.В. Разин, С.Р. Углов, Ю.Н. Адищев, Д.А. Веригин, С.И. Кузнецов, А.П. Потылицын. Дифракция виртуальных и реальных фотонов в кристаллах при их генерации пучком 5,7 МэВ электронов (15 мин.)

2. П.Н. Жукова, Н.Н. Насонов, С.И. Тарапатин. Корреляции в излучении надбарьерных электронов в газе атомных цепочек (корреляции в излучении надбарьерных электронов)

3. Ч. Гэри, Н. Насонов, М. Пайструп. Аномальное фотопоглощение в параметрическом излучении в условиях эффекта Вавилова-Черенкова (Объединенный доклад 20 мин.)

4. А.П. Потылицын, Р.О. Резаев. Фокусировка и дефокусировка переходного и дифракционного излучений ультрарелятивистских частиц в изогнутых мишенях (15 мин.)

5. M.Kh. Khokonov, H. Nitta. Radiation spectrum of relativistic electrons in non-uniform strong fields.

М.Х. Хоконов. Каскадная теория излучения электронов при сверхвысоких энергиях в кристаллах (Объединенный доклад 20 мин.)

Предполагается продлить вечернюю секцию на один час и заслушать дополнительно следующие доклады:

1. О.Ф. Панченко, Л.К. Панченко. Взаимодействие медленных электронов с поверхностью (0001) слоистых кристаллов NbSe₂ и ZrS₂: тонкая структура спектров полного тока (15 мин.)

2. А.C. Фомин, C.П. Фомин, Н.Ф. Шульга. Влияние многократного рассеяния на угловые распределения и поляри-

зацию излучения релятивистских электронов в тонком кристалле (15 мин.)

3. А. А. Тищенко, М. Н. Стриханов, А. П. Потылицын. Эффект Смита-Парселла в ультрафиолетовом и рентгенов-

ском диапазоне частот (15 мин.)

Стендовые доклады

А.С. Лобко, О.М. Луговская. Влияние температуры мишени на характеристики параметрического рентгеновского излучения (ПРИ)

А.Н. Балдин И.Е. Внуков, В.К. Гришин, А.С. Кубанкин, Н.Н. Насонов, Г.П. Похил, М.В. Обольянова, Р.А. Шатохин, Е.А. Ширшов. Предложение эксперимента по поиску и исследованию дифрагированного излучения каналированных электронов на микротроне НИИ ЯФ МГУ

И.Е. Внуков, Д.А. Нечаенко. Сравнение характеристик позитронных источников на основе кристаллов легких и тяжелых элементов

Н.К. Жеваго, П.Н. Жукова, Н.Н. Насонов. Квазичеренковское излучение в периодической среде в области аномальной дисперсии

В.А. Лихачев, Н.Н. Насонов, В.А. Насонова. особенности параметрического излучения вдоль скорости излучающих электронов

А.В. Романов, М.А. Степович, М.Н. Филиппов. о возможности повышения эффективности использования излучения, возникающего при взаимодействии заряженных частиц с кристаллами, для анализа приповерхностных областей вещества

H.Nitta, M.Kh.Khokonov, Y.Nagata, S.Onuki. Influence of the strong field non-uniformity on pair production

М.Х.Хоконов, И.Г.Езаова. Моделирование многофотонных процессов излучения в ориентированных кристаллах при энергиях свыше 100 ГэВ

М.Х.Хоконов, О.Х.Темрокова. Влияние излучения на угловые распределения электронов с энергиями свыше 100 ГэВ в ориентированных кристаллах

А.Х.Хоконов, М.Х.Хоконов, К.В.Эфендиев. Подавление выхода жестких фотонов в ориентированных кристаллах при энергиях 150-300 ГэВ

А.Х.Хоконов, М.Х.Хоконов, К.В.Эфендиев. Влияние каналирования на выход некогерентного тормозного излучения ультрарелятивистских электронов в кристаллах

Ю.Н. Адищев, А.С. Гоголев, Б.Н. Калинин, Г.А. Науменко, А.П. Потылицын. Характеристическое рентгеновское излучение и параметрическое рентгеновское излучение релятивистских заряженных частиц

В.А. Долгих. Черенковское излучение релятивистских частиц, движущихся через кристаллическую мишень. Компьютерное моделирование

В.И. Федулов, В.И. Суворов, В.И. Кравцов, Ш.А. Аманов. О движении и излучении заряженных частиц в электричeском поле с распределенным потенциалом

С.В. Блажевич, Г.Л. Бочек, В.И. Кулибаба, Н.И. Маслов, В.Д. Овчинник, С.М. Потин, Б.И. Шраменко. Источник высокоэнергетического гамма-излучения на основе кристаллической мишени

Н.Ф. Шульга, Д.Н. Тютюнник. Об источниках излучения, основанных на когерентном излучении релятивистских электронов в кристаллах и на процессе обратного комптоновского рассеяния лазерной волны на пучке релятивистских электронов

Н.Ф. Шульга, М. Табризи. О ширине линий параметрического рентгеновского излучения 'назад' релятивистских электронов в тонких кристаллах

C.П. Фомин. Эффект Ландау-Померанчука-Мигдала в аморфной среде и в кристалле

В.П. Лапко, В.С. Мирошник. Излучение релятивистского электрона в поле ориентированной двухатомной молекулы

В.Ф. Болдышев, М.Г. Шатнев. Излучение релятивистских позитронов в кристаллическом ондуляторе

С.В. Блажевич, А.В. Носков. Зависимость характеристик когерентного рентгеновского излучения релятивистского электрона в толстом кристалле от ориентации его входной повнерхности

Н.Ф. Шульга, В.В. Сыщенко, В.Г. Сыщенко. Переходное излучение на нитях и капиллярах

ЧАСТЬ III

РАССЕЯНИЕ, РАСПЫЛЕНИЕ И ЭМИССИЯ ВТОРИЧНЫХ ЧАСТИЦ

1 июня, среда, 10⁰⁰ - 11³⁰

I утреннее заседание

Председатель В.С.Черныш

1. А.С. Судорогин, В.Н. Самойлов Аналитические расчеты функции распределения распыленных атомов: расщепление максимума энергоспектра в случае узкого пучка эмитируемых атомов (15 мин.)

2. В.С. Черныш, А.С. Патракеев, В.Н. Шульга, И.И.Разгуляев Распыление аморфного германия низкоэнергетичными ионами (15 мин.)

3. Ю.Ю. Лебединский, А.В. Зенкевич, Н.С. Баранцев, В.С. Куликаускас, В.Н. Неволин. Наблюдение 'тонкой структуры' в энергетических спектрах медленных (300-800 эВ) ионов He⁺, обратнорассеянных на поверхности Hf-содержащих мишеней

Ю.Ю. Лебединский, А.В. Зенкевич, В.С. Куликаускас, В.Н. Неволин. In situ исследование кинетики деградации сверхтонких слоев HfO₂ на Si (Объединенный доклад 20 мин.)

4. А.М. Борисов, Ю.С. Виргильев, А.П. Дьячковский, Е.С. Машкова, А.С. Немов, А.И.Сорокин. Влияние температуры термообработки стеклоуглерода на ионно-индуцированные процессы.

А.М. Борисов, В.Г.Востриков, В.С. Куликаускас, Е.А. Романовский, М.В. Серков. Применение спектрометрии ЯОР для анализа водорода в материалах. (Объединенный доклад 20 мин.)

5. А.А. Алиев, А.А. Абдувайитов, З.Т. Шалимов. Исследование ориентационной зависимости оже-электронов от монокристаллов Мо и W при бомбардировке их пучком ионов и электронов (15 мин.)

11³⁰ - 12¹⁵ обсуждение стендовых докладов

1 июня, среда, 12¹⁵ - 14⁰⁰

II утреннее заседание

Председатель Н.Г. Чеченин

1. В.П. Афанасьев, М.В. Лукашевский, С.Д. Федорович. Энергетические спектры отраженных электронов. Влияние состояния поверхности (15 мин.)

2. Н.В Волков. Образование каскадов смещений при облучении материалов пучком ионов He⁺ и Ar⁺ с широким энергетическим спектром (15 мин.)

3. Л.А. Власукова, А.Ю. Дидык, Ф.Ф. Комаров, А. Халил. Влияние облучения электронами и ионами криптона высокой энергии на изменения структуры поверхности InP

Л.А. Власукова, А.Ю. Дидык, Ф.Ф.Комаров, А. Халил. Изменение структуры поверхности и объемные эффекты в GaAs, облученном ионами Kr высокой энергии и электронами.

Т.С. Балашов, А.Ю. Дидык, Ю.Н. Чеблуков, А. Халил, А. Хофман. Изучение эффектов образования треков в GaAs при облучении ионами ¹³⁶Хе с энергией 580 МэВ по изменению структуры поверхности. (Объединенный доклад 25 мин.)

4. И.И. Пронин, Д.А. Валдайцев, А.С. Ворончихин, М.В. Гомоюнова. Структурный фазовый переход в сверхтон ких слоях кобальта, формирующихся на поверхности MgO (001). (15 мин.)

5. И.П. Сошников, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, В.Т. Барченко, Г.Э. Цырлин. Исследование формирования массивов GaAs нановискеров методом магнетронного осаждения (15 мин.)

Стендовые доклады

М.В. Гомоюнова, И. И. Пронин, Д.Е. Малыгин. Взаимодействие атомов железа с чистой и окисленной поверхностью Si(100)2´1

В.С. Черныш, А.С. Патракеев, В.И. Емельянов, А.С. Узбяков, А.В. Кудрявцев. Формирование нанорельефа при ионном облучении поверхности кремния и германия

П. И. Диденко, А. А. Ефремов. Анализ структурных особенностей и примесно-дефектной подсистемы образцов природного кварца методом МСВИ

Г.Г. Бондаренко, В.И. Кристя. Аналитический расчет углового распределения ионов в приэлектродном слое плазмы тлеющего разряда в инертном газе

В.В. Манухин. Энергетические спектры распыленых атомов и принципы инвариантного погружения

А.В. Лубенченко. Отраженеие частиц от неоднородной мишени с неповторяющимися структурами

С.Н. Нагорных, В.И. Павленков. Бифуркация Ферхюльста уравнений Блохинцева в исследовании распределения электронной стимулированной эмиссии по поверхности окисленного металла

Р.И. Богданов, С.Н. Нагорных. Об одном возбуждении квазилинейной диффузии при облучении твердых тел

Б.А. Калин, Н.В. Волков, С.Ю. Наквасин. Влияние каналирования на процесс имплантации при облучении материалов пучком ионов аргона с гауссоподобным энергетическим спектром

А.А. Джурахалов, С.Э. Рахматов. Особенности ионно-ударной десорбции и распыления поверхностей монокристаллов при скользящей бомбардировке

А.М. Борисов, Ю.С. Виргильев, Е.С. Машкова, А.С. Немов, Е.А. Питиримова. Угловые и температурные зависимости кинетической ионно-электронной эмиссии высокоориентированного пирографита

А.И. Толмачев. расчет коэффициента распыления при наклонном падении ионов на мишень

Ю.А. Кабальнов, Д.А. Павлов, Н.И. Петуров, Е.А. Питиримова, В.Г. Шенгуров, Е.В. Коротков. Предэпитаксиальное облучение сапфира ионами кремния

С. Гаипов, Б.Г. Атабаев, Р. Джаббарганов., У.Б. Шаропов. Влияние температуры на дефектообразование в LiF/Si(111) при облучении медленными электронами

Х.Н. Исматуллаев, М.Н. Мирахмедов. Взаимодействие высокозарядных ионов с поверхностью ионного кристалла

Т.Д. Раджабов, И.Е. Джамалетдинова. Исследование поверхностных свойств полимеров при ионной имплантации

Ш.С. Раджабов, М.К. Курбанов, Б.Г. Атабаев, Ф.Р. Юзикаева. Распыление поверхности карбида кремния при бомбардировке молекулярными ионами SF₅⁺

А.И. Акишин, Л.С. Новиков, В.Н. Черник, С.Ф. Наумов, С.П. Соколова, А.О. Куриленок. Эрозия Cu, Ag, Au и Sn В низкоэнергетичных потоках кислородной плазмы

В.В. Хвостов, В.Г. Бабаев, А.А.Хайдаров, К.Ф. Миннебаев, И.Ф. Уразгильдин. Вторичная ионная эмиссия из слоистого углерода при облучении ионами аргона

ЧАСТЬ IV

МОДИФИКАЦИЯ И АНАЛИЗ ПОВЕРХНОСТИ

1 июня, среда, 15⁰⁰ - 16³⁰

1 вечернее заседание

Председатель В.С. Куликаускас

1. В.В. Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонов: протонно-стимулированная диффузия. (15 мин.)

2. Д.И. Тетельбаум, Е.В. Курильчик, Ю.А. Менделева, А.А. Суворкин, Ю.А. Новицкий. Влияние предрадиационных термических отжигов и температуры внешней среды на поведение микротвердости в эффекте дальнодействия при ионном и фотонном облучениях металлов. (15 мин.)

3. А.В. Мудрый, А.В. Иванюкович, В.С. Куликаускас, В.С. Черныш, М.В. Якушев, Я.В. Феофанов. Дефектообразование в тонких пленках халькопиритных полупроводников Cu(InGa)Se₂ при облучении протонами.

А.В. Мудрый, А.В. Иванюкович, В.С. Куликаускас, В.П. Петухов, М.В. Якушев, Я.В. Феофанов. Образование дефектов в халькопиритном полупроводниковом соединении CuInSe₂ при облучении электронами. (Объединенный доклад 20 мин.)

4. Н.Т.Квасов, Л.А. Данилюк, А.В. Пунько, В.В. Углов, В.М. Анищик, Н.Н. Черенда, Ю.В. Свешников, В.М. Асташинский, Е.А. Костюкевич, А.М. Кузьмицкий. Механизм формирования монослойного наноструктурированного покрытия компрессионным плазменным потоком.

В.В. Углов, В.М. Анищик, Н.Н. Черенда, Е.К. Стальмошенок, В.М. Асташинский, А.М. Кузьмицкий, А.В. Ковязо. Модификация системы покрытие-подложка под влиянием компрессионных плазменных потоков. (Объединенный доклад 20 мин.)

5. Т.В. Панова, В.С. Ковивчак, В.И. Блинов, Р.Б. Бурлаков. Влияние воздействия мощного ионного пучка на размеры областей когерентного рассеяния металлических материалов.

В.С. Ковивчак, Т.В. Панова, В.И. Блинов, Р.Б. Бурлаков. Структурно-фазовые изменения в медных сплавах после воздействия мощного ионного пучка.

В.С. Ковивчак, Т.В. Панова, Р.Б. Бурлаков. Особенности воздействия мощного ионного пучка на систему SiO₂/Si-подложка. (Объединенный доклад 20 мин.)

16³⁵ - 17¹⁵ - Обсуждение стендовых докладов.

1 июня, среда, 17¹⁵ - 18²⁵

II вечернее заседание

Председатель В.С. Черныш

1. В.Ю. Фоминский, Р.И. Романов, Г.А. Киселев, В.С. Куликаускас. Формирование ионно-имплантированных структур Pt/Si с применением импульсной лазерной плазмы. (15 мин.)

2. В.П. Попов, Л.Н. Сафронов, М.Б. Ильницкий, А.Ф.Тулинов, Г.П. Похил, В.Б. Фридман. Скалывание слоя Si в имплантированном водородм (100) кремнии, инициируемое (111) дефектами вида [H₂*]_N^D.

В.П. Попов, А.К. Гутаковский, О.В. Наумова, Л.Н. Сафронов, А.В. Талочкин, И.Е. Тысченко. Формирование фазы дигидрида кремния в различных модификациях кремния, пересыщенного водородом и дефектами. (Объединенный доклад 20 мин.)

3. И.П.Чернов, Ю.М. Коротеев, Ю.И. Тюрин, И.П. Черданцев. Физические процессы в системах металл-водород при воздействии излучения.

И.П.Чернов, И.П. Черданцев, Ю.И. Тюрин, А.М. Лидер, Г.В. Гаранин, О.В. Бояринов. Взаимодействие водорода с дефектами кристаллической решетки металлов при электролитическом насыщении, пластической деформации и радиационном воздействии.

А.М. Лидер, И.П.Чернов, И.П. Черданцев, О.М. Степанова, М.Кренинг, А.С. Сурков. Исследование дефектов водородного происхождения методом электрон-позитронной аннигиляции. (Объединенный доклад 20 мин.)

4. П.Н. Белкин, А.М. Борисов, В.Г. Востриков, И.Г. Дьяков, Е.А. Романовский, М.В. Серков. Применение спектрометрии ЯОР протонов для исследования анодной химико-термической обработки титана. (15 мин.)

Стендовые доклады

А.П. Мамонтов, Б.В. Чахлов. Влияние облучения дейтронами на арсенид галлия

В.Н. Бондаренко, А.В. Гончаров, В.Я. Колот, В.И. Сухоставец. Изменение элементного состава приповерхностного слоя образцов полиимида при протонном облучении

Д.И. Тетельбаум, А.А. Ежевский, Ю.А. Менделева, Д.В. Гусейнов, И.В. Зайцева, Д.М. Гапонова. Некоторые закономерности фотолюминесценции ионно-облученного (наноструктурированного) кремния

А.А. Булычева, В.Ф. Пичугин. Электропроводность ионномодифицированных приповерхностных слоев оксидных диэлектриков и тонких пленок

Е.Л. Жавжаров, В.М. Матюшин. Воздействие атомарного водорода на гетероструктуры Ni-подложка

Н.Т. Горбачук, П.И. Диденко. Исследование некоторых электрофизических свойств пленок n-Si, легированных ионной имплантацией

Д.О. Полеха, В.М. Матюшин. Изменение адгезионных свойств пленки в системе германий -медь посредством водородного воздействия

Б.А. Калин, Н.В. Волков, В.В. Осипов, С.Н. Тимошин, О.В. Щербаков, И.В. Олейников, Д.Н. Алтухов. Особенности структуры оксидной пленки на ионно-модифицированной поверхности сплавов циркония

В.Н. Агарев, С.Г. Полянчев. Связанные состояния для электронов в полупроводниках вблизи наноразмерных непроводящих гранул

С.Н. Поворознюк, К.Н. Полещенко. Модифицирование инструментальных твердых сплавов ионно-лучевой и ионно-плазменной обработкой

Н.В. Алов. Влияние ионно-лучевого окисления поверхности на работу выхода молибдена и вольфрама

С.И. Жукова, Н.И. Поляк, Л.А. Васильева, А.Ю. Дидык, В.А. Скуратов. Изотермический пострадиационный отжиг бериллиевой бронзы, имплантированной высокоэнергетическими ионами криптона

И.И. Ташлыкова-Бушкевич, Е.С. Гутько, В.Г. Шепелевич. Анализ распределения легирующего элемента в быстро затвердевших сплавах Al-Ge

В.В. Углов, В.В. Асташинский, Н.Н. Черенда. Исследование элементного состава поверхностных слоев железа и сталей, обработанных плазменным потоком квазистационарного ускорителя

В.В. Углов, А.К. Кулешов, М.В. Асташинская, С.Н. Дуб, И. Поло. Механические характеристики и структура никель-углеродных композитов, сформированных плазмо-усиленным химическим вакуумным осаждением

В.М. Анищик, В.В. Углов, В.В. Ходасевич, С.В. Злоцкий, Е.В. Ухова, В.В. Чаевский. Структура и механические свойства нитридных систем, сформированных методом конденсации с ионной бомбардировкой, на твердом сплаве Т15К6

И.С. Ташлыков, О.Г. Верес. Влияние ионно-ассистированного нанесения тонких пленок на смачиваемость поверхности резин

А.В. Кабышев, Ф.В. Конусов. Оптические свойства оксида алюминия после облучения ионами хрома и отжига

В.Н. Бондаренко, А.В. Гончаров, В.М. Пистряк, С.Ю. Саенко, А.Е. Сурков, В.И. Сухоставец. Применение ядерно-физических методов для исследования распределения церия в алюмосиликатных стеклокерамиках

2 июня, четверг, 10⁰⁰ - 11³⁰

I утреннее заседание

Председатель В.С. Куликаускас

1. П.Н. Черных, В.С. Куликаускас, Е.И. Хоменко, Е. Сун, Н.Г. Чеченин. Исследование магнитомягких пленок Co-Fe-Ni методом резерфордовского рассеяния. (15 мин.)

2. В.М. Арбатский, А.Б. Надирадзе, В.В. Шапошников, В.К. Егоров. Изменение состава поверхностного слоя керамического изолятора электроракетного двигателя в процессе его работы. (15 мин.)

3. И.С. Ташлыков, О.Г. Бобрович, С.М. Барайшук, О.М. Михалкович. Повреждение структуры кремния при ионно-асситированном осаждении покрытий в условиях самооблучения.

4. В.В. Тульев, И.С. Ташлыков. Изучение методом резерфордовского обратного рассеяния и резонансных ядерных реакций элементного состава покрытий на основе Ti и Co, осажденных на кремний при ионном ассистировании. (Объединенный доклад 20 мин.)

5. Г.В. Лысова, Г.А. Биржевой, Н.П. Соловьев, Н.И. Храмушин. Концентрационная зависимость сегрегации хрома после облучения сплавов Fe-Cr ионами He⁺. (15 мин.)

11³⁰ - 12¹⁵ - Обсуждение стендовых докладов.

2 июня, четверг, 12¹⁵ - 13²⁰

II утреннее заседание

Председатель И.С. Ташлыков

1. Е.Ю. Журавлева, Ф.Г. Нешов, О.В. Рябухин. Определение соотношения F/OH в кристаллах топаза ядерно-физическими методами. (15 мин.)

2. А.И. Камардин, Т.Д. Раджабов. Влияние имплантации ионов на параметры отражающих покрытий Ag и Cu. (15 мин.)

3. Е.Ю. Боярко, Ю.Ю. Крючков, В.М. Малютин, В.П. Кощеев. Влияние защитного покрытия SiO₂ на дефектность GaAs. (15 мин.)

4. Т.В. Вахний, Г.А. Вершинин, Г.И. Геринг. Интерпретация наблюдаемого массопереноса в металлических системах при многократных импульсных воздействиях.

Е.А. Афонькина, Г.А. Вершинина, Г.И. Геринг. Локально неравновесный массоперенос в неизотермической бинарной металлической системе при воздействии интенсивными импульсными пучками. (Объединенный доклад 20 мин)

Заключительное слово - А.Ф. Тулинов

Стендовые доклады

В.А. Никитенко, И.В. Пыканов, С.В. Мухин, С.Г. Стоюхин. влияние облучения электронами и ионами на формирование оптических свойств оксида цинка

А.Б. Коршунов, А.Н. Иванов, Ю.Н. Жуков, И.В. Голубцов, В.К. Нарва. Эффект аномально малых флюенсов электронов. Энергетический аспект проблемы

В.В. Козловский, Е.В. Богданова, В.В. Емцев, К.В. Емцев, А.А. Лебедев, В.Н. Ломасов, А.Э. Васильев. Прямое экспериментальное сравнение влияния электронного облучения на скорость удаления носителей заряда в кремнии и карбиде кремния

В.Л. Ульянов, А.А. Ботаки, В.В. Ульянов. Акустические свойства диэлектриков, подвергнутых радиационному облучению и наводороживанию

А.К. Ташатов. Изучение электронного состояния тонких гетероструктурных пленок, созданных методами эпитаксии и ионной имлантации

Т.Д. Раджабов, А.М. Назаров, С.В. Пичко, Д.Э. Курбанов. Исследование оптических материалов, модифицированных ионной имплантацией редкоземельными элементами

Б.Е. Умирзаков, Д.А. Ташмухамедова. Исследование электронной структуры поверхности ионно-имплантированного CaF₂

С.Ж. Ниматов, И.А. Гарафутдинова, Д.С. Руми, У.Б. Шаропов. Исследование температурной зависимости степени аморфизации поверхности Si(111) при низкоэнергетической бомбардировке щелочными ионами Na⁺

А.П. Антипенко, Г.Л. Бочек, В.В. Ганн, С.В. Дюльдя, Н.И. Маслов. Повреждение ориентированных монокристаллов кремния высокоэнергетическими электронами

Г.А. Дискант, Г.Е. Колесов, А.И. Купчишин, А.Д. Мурадов, Ф.Ф. Комаров. Влияние электронного облучения на деформацию гибкоцепных аморфно-кристаллических полимеров

А.И. Купчишин, Т.А. Шмыгалева, А.А Купчишин, Ф.Ф. Комаров. Связь процессов радиационного дефектообразования в твердых телах при ионном облучении с цепями Маркова

К.В. Потатий, А.И. Купчишин, Д.Ю. Соколов. О пороговых энергиях образования вакансионных скоплений на динамической стадии облучения

С.К. Заманова, А.И. Купчишин, А.Д. Мурадов Т.А. Шмыгалева, Ф.Ф. Комаров. Моделирование на эвм процессов генерации радиационных дефектов в полимерных материалах, облученных электронами

Р.А. Ивахникова, А.И. Купчишин, Т.А. Шмыгалева, А.А. Купчишин. Аппроксимация интегральных сечений упругого и неупругого рассеяний нейтронов (2 и 2.5 МэВ) при взаимодействии с ядром ⁹⁶Мо

Г.А. Шипко, М.А. Степович. Влияние обработки в низкотемпературной плазме коронного разряда на кристаллическую структуру и прочностные характеристики сплава "Сендаст"

А.И. Камардин. Исследование маскирующих покрытий фотошаблонов, формируемых ионной имплантацией

К.Ю. Вуколов, В.М. Гуреев, М.И. Гусева, Л.С. Данелян, С.Н. Звонков, С.А. Евстигнеев, В.В. Затекин, В.С. Куликаускас. Исследование углеводородных пленок на внутрикамерных зеркалах в токамаке Т-10.

М.И. Гусева, В.М. Гуреев, Л.С. Данелян, В.В. Затекин, Б.Н. Колбасов, С.Н. Коршунов, В.С. Куликаускас, И.Д. Скорлупкин, В.Г. Столярова, П.Н. Черных. Изучение состава перемешанных слоев Be+C на бериллии

В.Л. Левшунова, В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов, Ю.А. Дудин. Влияние импульсного ионного облучения на структурно-чувствительные свойства кристаллов кремния